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中國首款高壓抗輻射碳化硅功率器件研制成功通過太空驗(yàn)證

中國太空科技新突破！首款高壓抗輻射碳化硅功率器件研制成功并驗(yàn)證

哈爾濱工業(yè)大學(xué)在碳化硅集成光量子糾纏器件領(lǐng)域取得新突破

中欣晶圓12英寸BCD硅片產(chǎn)品取得技術(shù)突破

英飛凌推出全球最薄硅功率晶圓，突破技術(shù)極限并提高能效

九峰山實(shí)驗(yàn)室再次在硅光子集成領(lǐng)域取得突破性進(jìn)展

我國首次突破溝槽型碳化硅MOSFET芯片制造技術(shù)

基本半導(dǎo)體銅燒結(jié)技術(shù)在碳化硅功率模塊中的應(yīng)用

呂堅(jiān)院士團(tuán)隊(duì) l 3D打印莫來石增強(qiáng)的碳化硅氣凝膠復(fù)合材料

國內(nèi)首款！2Tb/s三維集成硅光芯粒成功出樣

厚度達(dá)100 mm! 碳化硅單晶生長取得新進(jìn)展

香港科技大學(xué)開發(fā)高效結(jié)合III-V與硅的新集成技術(shù) 有助革新數(shù)據(jù)通信

碳化硅單晶襯底的常用檢測技術(shù)

廈大、華為合作，實(shí)現(xiàn)具有超低邊界熱阻的硅/多晶金剛石鍵合

器件新突破！香港科技大學(xué)教授陳敬團(tuán)隊(duì)成功研制一種融合氮化鎵和碳化硅二者優(yōu)點(diǎn)的實(shí)驗(yàn)晶體管！

中科院物理所陳小龍團(tuán)隊(duì)：晶圓級立方碳化硅單晶生長取得突破

首個(gè)由石墨烯制成的功能半導(dǎo)體問世?電子遷移率是硅的10倍

石墨烯芯片制造領(lǐng)域，重要里程碑→

山東大學(xué)彭燕、徐現(xiàn)剛團(tuán)隊(duì)在面向大功率高效散熱GaN器件用金剛石-碳化硅復(fù)合襯底的進(jìn)展

上海硅酸鹽所碳化硅陶瓷增材制造研究獲進(jìn)展

工藝打通！九峰山實(shí)驗(yàn)室全面啟動(dòng)碳化硅（SiC）工藝技術(shù)服務(wù)

天津大學(xué)在硅基頻率源技術(shù)方面取得系列成果

研究稱芯片中的硅或可被新材料取代

中科院科學(xué)家在8英寸碳化硅單晶研制中獲進(jìn)展

中科院半導(dǎo)體所在硅基外延量子點(diǎn)激光器研究取得進(jìn)展

半導(dǎo)體所在硅基外延量子點(diǎn)激光器研究方面取得重要進(jìn)展

中科院微電子所：在硅基氮化鎵橫向功率器件的動(dòng)態(tài)可靠性研究方面取得進(jìn)展

中國電科55所高性能高可靠碳化硅MOSFET 技術(shù)及應(yīng)用通過技術(shù)鑒定

成果上新！8英寸導(dǎo)電型碳化硅研制獲得成功

科友6/8英寸碳化硅規(guī)?；a(chǎn)取得重大技術(shù)突破

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