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詳解碳化硅晶片的磨拋工藝方案

簡述激光在碳化硅半導(dǎo)體晶圓制程中的應(yīng)用

打破國外壟斷武漢先進(jìn)院有機(jī)硅材料制備技術(shù)取得突破

簡述碳化硅襯底制備的重點與難點

中國科大首次實現(xiàn)基于碳化硅中硅空位色心的高壓原位磁探測

國際首次！科研團(tuán)隊在基于碳化硅硅空位色心的高壓原位磁探測研究方面取得突破

國內(nèi)首家！廈門大學(xué)實現(xiàn)8英寸碳化硅外延生長

臺灣中山大學(xué)突破6英寸碳化硅晶體生長！

簡述SiC碳化硅單晶的生長原理

簡述碳化硅功率器件封裝的三個關(guān)鍵技術(shù)

俄亥俄州立大學(xué)的碳化硅MOSFET可靠性研究之短路能力

上海微系統(tǒng)所在碳化硅異質(zhì)集成材料與光子器件領(lǐng)域取得進(jìn)展

淺談碳化硅壽命中的挑戰(zhàn)

硅基氮化鎵Micro-LED，實現(xiàn)高速可見光通信信號探測

蘇州納米所孫錢團(tuán)隊研制出國際首支1200V的硅襯底GaN基縱向功率器件

東風(fēng)汽車碳化硅功率模塊將于2023年實現(xiàn)量產(chǎn)

SiC工藝之質(zhì)子注入缺陷抑制技術(shù)解決碳化硅層錯難題

復(fù)旦大學(xué)研究團(tuán)隊合作發(fā)明晶圓級硅基二維互補(bǔ)疊層晶體管

上海微系統(tǒng)所在硅基碳化硅異質(zhì)集成XOI材料領(lǐng)域取得重要進(jìn)展

簡述碳化硅SIC器件在工業(yè)應(yīng)用中的重要作用

長平時代發(fā)布用于車載電子的900V硅基氮化鎵外延片

碳化硅單晶薄膜制備技術(shù)及集成光子應(yīng)用技術(shù)進(jìn)展

簡述碳化硅功率器件封裝關(guān)鍵技術(shù)

高壓碳化硅器件封裝國內(nèi)外研究進(jìn)展

碳化硅單晶襯底加工技術(shù)現(xiàn)狀及發(fā)展趨勢綜述

南京大學(xué)余林蔚教授課題組實現(xiàn)面向GAA-FET的10 nm特征尺寸超細(xì)晶硅納米線可靠生長集成

WOLFSPEED：?使用碳化硅進(jìn)行雙向車載充電機(jī)設(shè)計

湖南三安發(fā)布最新1200V碳化硅MOSFET系列，包含1200V 80mΩ/20mΩ/16mΩ

自研基于 6 寸碳化硅晶圓的 6.5kV MOSFET功率模塊測試分析

【成果轉(zhuǎn)化】6 英寸 650V-1200V 碳化硅外延片---產(chǎn)業(yè)基礎(chǔ)領(lǐng)域先進(jìn)技術(shù)產(chǎn)品轉(zhuǎn)化應(yīng)用目錄 (推廣篇)(2021年度)》

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