亚洲日韩久久|国偷自产一区二区三区蜜臀国|国产一区二区日韩|99热这里只亚洲无码,无码

<table id="s4i6q"></table>

<center id="s4i6q"><nav id="s4i6q"></nav></center><dl id="s4i6q"><xmp id="s4i6q"></xmp></dl>

首頁(yè) > 新聞資訊 > 搜索

香港大學(xué)等聯(lián)合開(kāi)發(fā)革命性鉆石制備技術(shù) 10秒產(chǎn)出2英寸金剛石晶圓

中欣晶圓12英寸BCD硅片產(chǎn)品取得技術(shù)突破

杭州鎵仁半導(dǎo)體實(shí)現(xiàn)直拉法2英寸N型氧化鎵單晶生長(zhǎng)

1萬(wàn)伏！我國(guó)實(shí)現(xiàn)6英寸AlN單晶復(fù)合襯底和晶圓制造全流程突破

鎵仁半導(dǎo)體：鑄造法成功生長(zhǎng)超厚6英寸氧化鎵單晶！

日本FOX公司計(jì)劃2028年量產(chǎn)6英寸氧化鎵晶圓

北京大學(xué)王新強(qiáng)教授團(tuán)隊(duì)：推動(dòng)高功率UVC-LED晶圓進(jìn)入低成本4英寸時(shí)代！

新進(jìn)展！西安交通大學(xué)實(shí)現(xiàn)2英寸單晶金剛石異質(zhì)外延自支撐襯底量產(chǎn)

鎵和半導(dǎo)體展示多規(guī)格氧化鎵單晶襯底并首次公開(kāi)發(fā)布4英寸（100）面單晶襯底參數(shù)

重大進(jìn)展！中國(guó)團(tuán)隊(duì)成功實(shí)現(xiàn)12英寸二維半導(dǎo)體晶圓批量制備技術(shù)

中科院科學(xué)家在8英寸碳化硅單晶研制中獲進(jìn)展

國(guó)內(nèi)8英寸SiC傳來(lái)新進(jìn)展！

成果上新！8英寸導(dǎo)電型碳化硅研制獲得成功

科友6/8英寸碳化硅規(guī)模化生產(chǎn)取得重大技術(shù)突破

國(guó)內(nèi)首家！廈門(mén)大學(xué)實(shí)現(xiàn)8英寸碳化硅外延生長(zhǎng)

臺(tái)灣中山大學(xué)突破6英寸碳化硅晶體生長(zhǎng)！

國(guó)產(chǎn)4英寸氧化鎵晶圓襯底技術(shù)獲突破！

4英寸氧化鎵單晶生長(zhǎng)與性能分析

山東大學(xué)成功研制高質(zhì)量4英寸氧化鎵晶體

山東大學(xué)與南砂晶圓團(tuán)隊(duì)實(shí)現(xiàn)了高質(zhì)量8英寸導(dǎo)電型4H-SiC單晶和襯底制備

【成果轉(zhuǎn)化】6 英寸 650V-1200V 碳化硅外延片---產(chǎn)業(yè)基礎(chǔ)領(lǐng)域先進(jìn)技術(shù)產(chǎn)品轉(zhuǎn)化應(yīng)用目錄 (推廣篇)(2021年度)》

浙江大學(xué)50 mm厚6英寸碳化硅單晶生長(zhǎng)獲得成功

超芯星6英寸碳化硅襯底進(jìn)入美國(guó)高端市場(chǎng)

中電科45所研制的雙8英寸全線自動(dòng)化濕法整線設(shè)備進(jìn)入國(guó)內(nèi)主流產(chǎn)線

大阪大學(xué)、豐田合成等合作利用Na助熔劑法培育出世界上最大的6英寸高品質(zhì)GaN晶體

6英寸高品質(zhì)GaN晶體最新進(jìn)展

半導(dǎo)體晶圓供應(yīng)商IQE開(kāi)發(fā)出全球首批8英寸VCSEL外延片

第四代半導(dǎo)體氧化鎵，浙大杭州科創(chuàng)中心新技術(shù)路線制備 2 英寸晶圓

中科院成功制備8英寸碳化硅晶體

國(guó)際首創(chuàng)！浙大杭州科創(chuàng)中心首次采用新技術(shù)路線成功制備2英寸氧化鎵晶圓

第1頁(yè)/共2頁(yè) 首頁(yè) 下一頁(yè) 上一頁(yè) 尾頁(yè)

聯(lián)系客服投訴反饋頂部