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全文征稿中！IEEE收錄+EI檢索！
IFWS
& SSLCHINA 2024 繼續(xù)征文中！
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2024-09-18 20:10
征文繼續(xù)！
IFWS
& SSLCHINA 2024 征文中，IEEE收錄+EI檢索，現(xiàn)場展示+頒獎！
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2024-08-27 09:06
Call for Papers |
IFWS
& SSLCHINA 2024
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2024-07-29 19:12
IFWS
& SSLCHINA 2024——征文通知
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2024-07-16 09:00
定檔！年度國際盛會
IFWS
&SSLCHINA 2024 11月蘇州見！
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2024-07-05 10:32
IFWS
2023│九峰山實驗室袁?。盒滦吞蓟铚喜燮骷夹g(shù)研究進展
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2023-12-21 10:42
IFWS
2023│國瑞升苑亞斐：碳化硅襯底材料研磨拋光耗材和工藝技術(shù)
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2023-12-20 16:26
IFWS
2023│200 mm 4H-SiC高質(zhì)量厚層同質(zhì)外延生長
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2023-12-20 11:52
IFWS
2023│西安交通大學(xué)王來利：碳化硅功率半導(dǎo)體多芯片封裝技術(shù)
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2023-12-19 11:35
IFWS
2023│科友半導(dǎo)體趙麗麗：8英寸碳化硅襯底產(chǎn)業(yè)化進展
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2023-12-19 11:05
IFWS
2023│南砂晶圓/山東大學(xué)楊祥龍：大尺寸SiC單晶的研究進展
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2023-12-18 11:52
IFWS
2023│華南師范大學(xué)尹以安：具復(fù)合柵極和階梯結(jié)構(gòu)的新型GaN垂直晶體管研究
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2023-12-18 10:11
IFWS
2023│晶格領(lǐng)域張澤盛：液相法碳化硅單晶生長技術(shù)研究
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2023-12-15 13:38
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2023│小鵬汽車楊恒：碳化硅器件在新能源車電驅(qū)動系統(tǒng)的應(yīng)用
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2023-12-13 10:58
IFWS
2023│日本大阪大學(xué)陳傳彤：SiC功率模塊中微米級Ag燒結(jié)連接技術(shù)的進展
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2023-12-12 14:17
IFWS
2023│瞻芯電子曹峻：碳化硅車載功率轉(zhuǎn)換解決方案
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2023-12-12 10:45
IFWS
2023│大連理工大學(xué)王德君： 提升SiC MOS 器件性能可靠性的表面優(yōu)化途徑
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2023-12-11 17:38
IFWS
2023│ 加拿大Crosslight首席研發(fā)專家Ahmed NASHED：基于半導(dǎo)體激光器件的高級光學(xué)建模與仿真
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2023-12-11 15:24
IFWS
2023│博睿光電梁超：面向高功率器件的超高導(dǎo)熱AIN陶瓷基板的研制及開發(fā)
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2023-12-11 11:02
IFWS
2023│臺灣成功大學(xué)李清庭：GaN基單片電子器件的集成互補金屬氧化物半導(dǎo)體D模和E模高電子遷移率晶體管
評論 ?
2023-12-08 16:40
IFWS
2023│日本國立材料研究所桑立雯：GaN MEMS/NEMS應(yīng)變調(diào)控諧振器
評論 ?
2023-12-08 16:04
IFWS
2023│氮矽科技朱仁強：增強型功率氮化鎵器件結(jié)構(gòu)設(shè)計進展
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2023-12-08 15:49
IFWS
2023│南方科技大學(xué)于洪宇：Si基GaN器件及系統(tǒng)研究與產(chǎn)業(yè)前景
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2023-12-08 15:32
IFWS
2023│Yuri MAKAROV：利用碳化鉭的坩堝中物理氣相傳輸生長SiC和AlN晶體
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2023-12-08 14:32
IFWS
2023│中國科學(xué)院半導(dǎo)體所閆果果：6英寸碳化硅外延生長及深能級缺陷研究
評論 ?
2023-12-07 17:38
IFWS
2023│南京大學(xué)修向前：基于HVPE的氮化鎵單晶襯底設(shè)備與工藝技術(shù)
評論 ?
2023-12-07 15:51
IFWS
2023│中國科學(xué)院蘇州納米所司志偉：助熔劑法生長GaN單晶襯底的研究進展
評論 ?
2023-12-07 15:07
IFWS
2023│六方氮化硼研究進展
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2023-12-06 11:20
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2023│高通量方法輔助篩選和預(yù)測半導(dǎo)體界面結(jié)構(gòu)——以β-Ga2O3 /AlN 界面為例
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2023-12-05 17:20
IFWS
2023│ 中國電子科技集團第四十六研究所孫杰：高導(dǎo)熱GaN/金剛石結(jié)構(gòu)制備及器件性能
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2023-12-05 16:53
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