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上海積塔半導(dǎo)體取得晶圓承載裝置及應(yīng)用其的半導(dǎo)體工藝設(shè)備專利，避免晶圓拿取時(shí)破碎

2025年上海市重大工程清單公布，中芯國(guó)際、積塔半導(dǎo)體、上海天岳、長(zhǎng)電科技等項(xiàng)目上榜

上海：?jiǎn)?dòng)寬禁帶與超寬禁帶半導(dǎo)體材料等11家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室籌建立項(xiàng)

上海：?jiǎn)?dòng)“上海市寬禁帶與超寬禁帶半導(dǎo)體材料重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室”等11家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室籌建立項(xiàng)

上海天岳申請(qǐng)一種三維方向應(yīng)力分布均勻的SiC襯底及SiC晶體專利，提高SiC襯底質(zhì)量

上海瑞華晟申請(qǐng)SiC/SiC復(fù)合材料制備方法專利，提升材料抗氧化性

上海積塔半導(dǎo)體申請(qǐng)檢測(cè)晶圓位置的專利，能夠確保后續(xù)晶圓環(huán)切等工藝順利進(jìn)行

上海燁映微電子申請(qǐng) GaN 晶體管與柵極驅(qū)動(dòng)器合封專利，實(shí)現(xiàn)高頻能力

上海積塔半導(dǎo)體申請(qǐng)?zhí)蓟杈w管結(jié)構(gòu)及其制備方法專利，有效降低器件VFSD

上海微系統(tǒng)所科研團(tuán)隊(duì)在金剛石基氧化鎵異質(zhì)集成材料與器件領(lǐng)域取得突破性進(jìn)展

盛美上海PEALD設(shè)備通過初步驗(yàn)證，邁向量產(chǎn)

盛美上海發(fā)布關(guān)于美國(guó)出口管制新規(guī)的聲明

上海聯(lián)風(fēng)氣體有限公司宣布完成新一輪億元人民幣融資

近5億，上海林眾電子碳化硅相關(guān)項(xiàng)目正式啟用

上海漢虹申請(qǐng)一種單晶爐碳化硅爐專用KF40電動(dòng)蝶閥專利

上海華虹宏力申請(qǐng)接觸孔自對(duì)準(zhǔn)的MOSFET制造方法專利

上海交大在n型有機(jī)半導(dǎo)體摻雜領(lǐng)域取得重要進(jìn)展

總規(guī)模超21億元上海半導(dǎo)體裝備材料二期基金完成二關(guān)募集

上海壁仞科技取得封裝結(jié)構(gòu)專利，提高散熱性能

上海積塔半導(dǎo)體申請(qǐng)半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)相關(guān)專利，避免因相鄰膜層刻蝕選擇比過大形成底切結(jié)構(gòu)

上海設(shè)立百億級(jí)基金培育未來產(chǎn)業(yè)

上海電子信息職業(yè)技術(shù)學(xué)院集成電路測(cè)試技術(shù)實(shí)訓(xùn)室建設(shè)2建設(shè)項(xiàng)目（第二次）的公開招標(biāo)公告

上海漢虹8英寸碳化硅晶體成功出爐

上海電力大學(xué)集成電路實(shí)踐實(shí)訓(xùn)平臺(tái)公開招標(biāo)公告

14家重點(diǎn)半導(dǎo)體項(xiàng)目簽約上海臨港總投資288億元

總投資額288億，新微化合物半導(dǎo)體、上海集材院等14個(gè)重點(diǎn)項(xiàng)目落地簽約

華海清科擬投不超16.98億元建設(shè)上海集成電路裝備研發(fā)制造基地

華海清科擬投資16.98億元建設(shè)上海集成電路裝備研發(fā)制造基地項(xiàng)目

上海集成電路產(chǎn)投基金二期增資至145億

上海微系統(tǒng)所成功開發(fā)面向二維集成電路的單晶金屬氧化物柵介質(zhì)晶圓

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