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上海燁映微電子申請 GaN 晶體管與柵極驅動器合封專利,實現(xiàn)高頻能力

日期:2024-12-19 閱讀:261
核心提示:國家知識產權局信息顯示,上海燁映微電子科技股份有限公司申請一項名為GaN 晶體管與柵極驅動器的合封結構及合封方法的專利,公開

國家知識產權局信息顯示,上海燁映微電子科技股份有限公司申請一項名為“GaN 晶體管與柵極驅動器的合封結構及合封方法”的專利,公開號 CN 119132982 A,申請日期為 2024 年 9 月。

專利摘要顯示,本發(fā)明提供了 GaN 晶體管與柵極驅動器的合封方法及合封結構,其中合封方法包括以下步驟:提供一陶瓷基板;在所述陶瓷基板上貼裝 GaN 晶體管和柵極驅動器,所述GaN 晶體管和柵極驅動器為相鄰布置;填充膠體于所述陶瓷基板分別與所述GaN 晶體管和柵極驅動器之間的間隙;在所述GaN 晶體管的外側面上形成熱傳導膠利用金屬外殼覆蓋所述GaN 晶體管和柵極驅動器并且所述熱傳導膠抵接于所述GaN 晶體管和金屬外殼之間,實現(xiàn)高頻能力、耗損率小、可靠性好和散熱性能好。

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