1956年，在我國十二年科學(xué)技術(shù)發(fā)展遠(yuǎn)景規(guī)劃中，半導(dǎo)體科學(xué)技術(shù)被列為當(dāng)時國家新技術(shù)四大緊急措施之一。為了創(chuàng)建中國半導(dǎo)體科學(xué)技術(shù)的研究發(fā)展基地，國家于1960年9月6日在北京成立中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所（以下簡稱半導(dǎo)體所），開啟了中國半導(dǎo)體科學(xué)技術(shù)的發(fā)展之路。
半導(dǎo)體所擁有兩個國家級研究中心—國家光電子工藝中心、光電子器件國家工程研究中心；三個國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室—半導(dǎo)體超晶格國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室、集成光電子學(xué)國家重點(diǎn)聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室、表面物理國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室(半導(dǎo)體所區(qū))；三個院級實(shí)驗(yàn)室(中心)—半導(dǎo)體材料科學(xué)重
