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CSPSD 2024成都前瞻|廣東工業(yè)大學(xué)張紫輝：GaN功率半導(dǎo)體器件仿真建模與制備研究

CSPSD 2024成都前瞻|電子科技大學(xué)章文通：硅基超結(jié)-功率半導(dǎo)體More silicon發(fā)展的主力器件

CSPSD 2024成都前瞻|成都信息工程大學(xué)羅小蓉：《氮化鎵功率器件結(jié)構(gòu)、驅(qū)動和電源應(yīng)用

17位報告嘉賓公布！2024功率半導(dǎo)體器件與集成電路會議4月26-28日成都見！

CSPSD 2024成都前瞻 |松山湖材料實驗室王方洲：低損耗高耐壓Si基GaN雙向阻斷功率器件研究

CSPSD 2024成都前瞻 |海威華芯林書勛：新型功率半導(dǎo)體器件在新基建中的應(yīng)用

15位演講嘉賓主題公布！2024功率半導(dǎo)體器件與集成電路會議4月26-28日成都見！

CSPSD 2024成都前瞻 |東南大學(xué)魏家行：碳化硅功率MOSFET器件及其可靠性研究

CSPSD 2024成都前瞻 |中國科學(xué)院微電子研究所蔣其夢：氮化鎵功率器件開關(guān)安全工作區(qū)的研究

CSPSD 2024成都前瞻 |成都復(fù)錦邀您參加”2024功率半導(dǎo)體器件與集成電路會議“

CSPSD 2024成都前瞻|廣東工業(yè)大學(xué)周賢達：非晶氧化物半導(dǎo)體功率器件：理論極限和初步實現(xiàn)

CSPSD 2024成都前瞻|北京工業(yè)大學(xué)張亞民：面向氮化鎵微波功率器件的異質(zhì)界面溫升表征方法

CSPSD 2024成都前瞻|云鎵半導(dǎo)體邀您參加“2024功率半導(dǎo)體器件與集成電路會議”

CSPSD 2024成都前瞻|北京大學(xué)魏進：如何使GaN功率器件如Si MOSFET一樣簡單易用？

首批報告嘉賓公布！2024功率半導(dǎo)體器件與集成電路會議4月26-28日成都見！

CSPSD 2024成都前瞻|四川大學(xué)副教授黃銘敏：碳化硅功率器件的輻射效應(yīng)及抗輻射技術(shù)

CSPSD 2024成都前瞻|南京郵電大學(xué)南通研究院執(zhí)行副院長姚佳飛將出席“2024功率半導(dǎo)體器件與集成電路會議”

CSPSD 2024成都前瞻|北京智慧能源研究院所長金銳受邀將出席“2024功率半導(dǎo)體器件與集成電路會議”

2024功率半導(dǎo)體器件與集成電路會議（CSPSD 2024）4月26-28日成都見！

中韓科研人員在新型半導(dǎo)體材料和器件領(lǐng)域取得重大突破

北京大學(xué)取得AlGaN基深紫外發(fā)光二極管器件結(jié)構(gòu)及其制備方法專利，顯著提升器件的光輸出功率

功率器件公司瑞能半導(dǎo)體旗下項目落地上海徐匯

日本開發(fā)在磁場下實現(xiàn)電阻開關(guān)效應(yīng)的半導(dǎo)體器件

中車中低壓功率器件產(chǎn)業(yè)化（宜興）項目一期預(yù)計9月部分竣工投產(chǎn)

摩珂達SiC功率器件及電子產(chǎn)品制造項目簽約

鍇威特獲得發(fā)明專利授權(quán)：“一種新型寬禁帶功率半導(dǎo)體器件及其制作方法”

芯聯(lián)集成：全球領(lǐng)先的新一代IGBT器件會在24年下半年量產(chǎn)，大幅提高單位晶圓片的芯片產(chǎn)出數(shù)量

2024功率半導(dǎo)體器件與集成電路會議（CSPSD 2024)定檔

華為公司申請半導(dǎo)體器件及其制備方法專利，降低半導(dǎo)體器件的功率損耗

北京大學(xué)集成電路學(xué)院半導(dǎo)體器件參數(shù)測量儀采購項目公開招標(biāo)公告

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