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CASICON晶體大會前瞻|南方科技大學(xué)劉召軍:第三代半導(dǎo)體光電器件與Micro-LED新型顯示技術(shù)

CASICON晶體大會前瞻|山東大學(xué)孫濤：建設(shè)公共科研平臺，助力晶體產(chǎn)業(yè)發(fā)展

CASICON晶體大會前瞻|西安電子科技大學(xué)宋慶文：碳化硅電子器件技術(shù)若干新進(jìn)展

CASICON晶體大會前瞻|西安交通大學(xué)王若錚：MPCVD法生長英寸級單晶金剛石的相關(guān)機(jī)理探討

名古屋大學(xué)天野浩團(tuán)隊Nature發(fā)文：氮化鎵的2D-Mg摻雜現(xiàn)象

CASICON晶體大會前瞻|山東大學(xué)徐現(xiàn)剛：低缺陷碳化硅單晶進(jìn)展及展望

CASICON晶體大會前瞻|上海交通大學(xué)王亞林：高壓SiC功率模塊封裝、測試及應(yīng)用研究

CASICON晶體大會前瞻 |山東大學(xué)孫麗：X射線形貌技術(shù)在半導(dǎo)體材料中的應(yīng)用

北京大學(xué)申請多溝道GaN基HEMT專利，降低導(dǎo)通電阻進(jìn)而降低損耗

CASICON晶體大會前瞻 |廈門大學(xué)黃凱：顯示用Micro-LED技術(shù)新進(jìn)展

CASICON晶體大會前瞻 |北京大學(xué)教授沈波：AlN單晶襯底和外延薄膜的制備

CASICON晶體大會前瞻 |西安交通大學(xué)李強(qiáng)：六方氮化硼薄膜制備及器件應(yīng)用

南京大學(xué)—江蘇富樂德石英“半導(dǎo)體洗凈技術(shù)研究中心”簽約揭牌儀式

青島佳恩半導(dǎo)體有限公司與西安電子科技大學(xué)戰(zhàn)略合作簽約

CASICON晶體大會前瞻 |廣東工業(yè)大學(xué)張紫輝：界面缺陷效應(yīng)對 GaN功率電子器件的影響研究

CASICON晶體大會前瞻|深圳大學(xué)劉新科：低成本垂直氮化鎵功率器件

北京大學(xué)鄭州新材料高等研究院項目開工

西安郵電大學(xué)聯(lián)合宇騰科技共建產(chǎn)學(xué)研合作基地

復(fù)旦大學(xué)芯片院在高速低EMI功率集成電路設(shè)計領(lǐng)域取得重要進(jìn)展

南京大學(xué)成功研發(fā)出大尺寸碳化硅激光切片設(shè)備與技術(shù)

北京大學(xué)申請多溝道GaN基HEMT專利，降低導(dǎo)通電阻進(jìn)而降低損耗

武漢大學(xué)聯(lián)合中國科學(xué)院微電子研究所與青禾晶元在表面活化鍵合4H-SiC的熱物性表征與聲子熱輸運研究領(lǐng)域取得新進(jìn)展

南京大學(xué)成功研發(fā)出大尺寸碳化硅激光切片設(shè)備與技術(shù)

CSPSD 2024成都前瞻|電子科技大學(xué)魏杰：高速低損耗SOI LIGBT新結(jié)構(gòu)與機(jī)理研究

CSPSD 2024成都前瞻|溫州大學(xué)韋文生:3C/4H-SiC異構(gòu)結(jié)場效應(yīng)器件的構(gòu)建和模擬

CSPSD 2024成都前瞻|電子科技大學(xué)徐躍杭:金剛石半導(dǎo)體器件可靠性新機(jī)制

CSPSD 2024成都前瞻|西安理工大學(xué)王曦：光控型SiC功率器件的理論與實驗研究

CSPSD 2024成都前瞻|上海大學(xué)任開琳：一種新型氮化鎵基發(fā)光高電子遷移率晶體管

CSPSD 2024成都前瞻|西安電子科技大學(xué)何艷靜：SiC MOSFET浪涌可靠性的研究

CSPSD 2024成都前瞻|電子科技大學(xué)劉人寬：基于多層級多場域的壓接型IGBT模塊失效演化機(jī)制研究

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