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Power Integrations收購GaN開發(fā)商Odyssey半導(dǎo)體資產(chǎn)

日本開發(fā)在磁場下實(shí)現(xiàn)電阻開關(guān)效應(yīng)的半導(dǎo)體器件

SK海力士聯(lián)合TEMC開發(fā)半導(dǎo)體行業(yè)首個(gè)氖氣回收技術(shù)

Marvell 美滿電子宣布與臺積電合作，開發(fā) 2nm 芯片生產(chǎn)平臺

日本初創(chuàng)公司開發(fā)功率半導(dǎo)體生產(chǎn)新材料成本降低75%

上海合晶：將積極探索及開發(fā)CIS等模擬器件使用12英寸外延片產(chǎn)品

香港科技大學(xué)開發(fā)高效結(jié)合III-V與硅的新集成技術(shù) 有助革新數(shù)據(jù)通信

英特爾與日本NTT合作開發(fā)光電融合半導(dǎo)體

聯(lián)電、英特爾宣布合作開發(fā)12nm芯片制程，2027年投產(chǎn)

江寧開發(fā)區(qū)加速布局第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)

豐田、本田、電裝、瑞薩電子等12家日企宣布合作開發(fā)高性能汽車芯片

南京浦口經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū) 凝聚第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)力量

中科大孫海定教授：用于日盲光通信的高效DUV微型LED和新型光電探測器的開發(fā)

賽微電子：擬與子公司以1.8億元設(shè)合資公司，實(shí)施MEMS高頻通信器件制造工藝開發(fā)項(xiàng)目

IFWS 2023│博睿光電梁超：面向高功率器件的超高導(dǎo)熱AIN陶瓷基板的研制及開發(fā)

IFWS 2023│廈門大學(xué)徐翔宇：氧化鎵缺陷研究，合金工程電子結(jié)構(gòu)調(diào)制以及日盲光電探測器的開發(fā)

IFWS 2023│三安光電王俞授：大功率藍(lán)綠激光器開發(fā)與應(yīng)用

天馬與三安半導(dǎo)體簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議聚焦車載LED芯片技術(shù)開發(fā)

日本Rapidus、東京大學(xué)與法國研究機(jī)構(gòu)合作開發(fā)1nm制程半導(dǎo)體

日本開發(fā)新技術(shù)，可實(shí)現(xiàn)GaN垂直導(dǎo)電

三菱電機(jī)和安世半導(dǎo)體將合作共同開發(fā)碳化硅功率半導(dǎo)體

代爾夫特理工大學(xué)研究團(tuán)隊(duì)開發(fā)無定形碳化硅，可用于微芯片領(lǐng)域

廣州開發(fā)區(qū) 廣州市黃埔區(qū)促進(jìn)集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展辦法印發(fā)

鎵和半導(dǎo)體展示多規(guī)格氧化鎵單晶襯底并首次公開發(fā)布4英寸（100）面單晶襯底參數(shù)

國芯科技與香港應(yīng)科院簽約合作開發(fā)AI芯片技術(shù)

臺積電創(chuàng)始人公開發(fā)聲：半導(dǎo)體不再有全球化芯片制造商競爭將更加激烈

俄羅斯開發(fā)出可替代光刻機(jī)的芯片制造設(shè)備

CASICON 2023深圳前瞻 |博睿光電副總經(jīng)理梁超博士：面向高功率器件的超高導(dǎo)熱AlN陶瓷基板的研制及開發(fā)

IQE和VisIC宣布合作開發(fā)車用高可靠性D模式GaN功率產(chǎn)品

緯湃科技開發(fā)出創(chuàng)新型功率模塊

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