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我國在太空成功驗證第三代半導(dǎo)體材料制造的功率器件

中國光子毫米波雷達技術(shù)取得突破性進展

中科院理化所&吉大&中科大Nature Nano.：用于超高分辨率micro-LED顯示器的遠程外延晶體鈣鈦礦

Nature Review EE：第三代半導(dǎo)體和電力電子是實現(xiàn)碳中和的關(guān)鍵路徑

中國首款高壓抗輻射碳化硅功率器件研制成功通過太空驗證

中國太空科技新突破！首款高壓抗輻射碳化硅功率器件研制成功并驗證

KAUST AM論文：Ga2O3 晶相異質(zhì)結(jié)

寬禁帶半導(dǎo)體超越照明材料與技術(shù)全國重點實驗室重組獲批！

電子科技大學(xué)朱慧慧、劉奧教授在Nature Protocols上發(fā)表新型半導(dǎo)體薄膜電子器件研究成果

南科大深港微電子學(xué)院于洪宇、王中銳、汪青研究團隊在LiNbO3壓電聲表面波相移器領(lǐng)域取得新進展

北京工業(yè)大學(xué)郭偉玲課題組聯(lián)合閩都創(chuàng)新實驗室、福州大學(xué)孫捷課題組：局域表面等離子體增強納米柱Micro-LED發(fā)光

紅光對干眼癥的干預(yù)與治療概述

安森美完成對Qorvo碳化硅JFET技術(shù)的收購

西安電子科技大學(xué)保宏教授團隊在《Advanced Materials》上發(fā)表科研成果

從安森美幾款最新品發(fā)布看電源技術(shù)的綠色變革路線圖

長晶科技成功通過省級企業(yè)技術(shù)中心認定

西安電子科技大學(xué)集成電路學(xué)部科研團隊在《Advanced Materials》發(fā)表科研成果

美國將禁止進口中國聯(lián)網(wǎng)汽車技術(shù)

核能安全所在超寬禁帶材料半導(dǎo)體輻射探測器研制方面取得新進展

臺積電亞利桑那州工廠已開始生產(chǎn)4nm芯片

西安電子科技大學(xué)蘇杰副教授以共同第一作者在Science發(fā)表研究成果

北京市2024年第三、四批集成電路等領(lǐng)域政策試點國家高新技術(shù)企業(yè)名單發(fā)布 78家

清純半導(dǎo)體與士蘭微電子繼續(xù)深化8英寸碳化硅量產(chǎn)線技術(shù)支撐與代工合作

智源研究院發(fā)布2025十大AI技術(shù)趨勢

美國實驗室研發(fā)新型激光技術(shù)，有望大幅提升芯片制造效率

復(fù)旦大學(xué)微電子學(xué)院超寬帶高速電路取得多項成果

南京郵電大學(xué)研究團隊在用于低功率光通信的GaN/CuI異質(zhì)結(jié)構(gòu)紫外光伏探測器取得進展

盛合晶微完成7億美元新增定向融資強化三維多芯片集成技術(shù)布局

半導(dǎo)體所在基于氧化鎵的日盲紫外偏振光探測器方面取得新進展

杭州鎵仁半導(dǎo)體氧化鎵襯底技術(shù)突破，助力客戶實現(xiàn)2400V增強型晶體管

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