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中國電科48所發(fā)布最新研制的8英寸碳化硅外延設備

上海光機所在特殊波長的飛秒超快光纖激光器研制方面獲進展

成果上新！8英寸導電型碳化硅研制獲得成功

國家標準化管理委員會印發(fā)《2023年全國標準化工作要點》加強新興技術(shù)領域標準研制

半導體所成功研制一款極低電壓低抖動低功耗頻率綜合器芯片

中國科大龍世兵課題組研制出氧化鎵垂直槽柵場效應晶體管

從基礎到應用碳化硅晶體研制獲突破

重大突破 | 國內(nèi)首款全自研中小容量19nm 2D NAND研制成功

蘇州納米所孫錢團隊研制出國際首支1200V的硅襯底GaN基縱向功率器件

中科院微電子所研制高功率密度5結(jié)級聯(lián)905nm VCSEL

中國科學院半導體所“深紫外激光光致發(fā)光光譜儀”入選中國科學院自主研制科學儀器名錄

智新半導體已研制出基于第3代半導體碳化硅的功率模塊

山東大學成功研制高質(zhì)量4英寸氧化鎵晶體

郝躍院士團隊研制出國際最高功率優(yōu)值13.2 GW/cm2氧化鎵二極管并首次在氧化鎵中實現(xiàn)空穴超注入效應

復旦大學微電子學院成功研制新原理機器視覺增強芯片

中電科45所研制的雙8英寸全線自動化濕法整線設備進入國內(nèi)主流產(chǎn)線

我國自主研制深紫外LED器件助力疫情防控

大功率芯片研制獲突破

全面自主研發(fā)和量產(chǎn)！中機新材在精密研磨拋材料研制方面獲多項技術(shù)突破

清華大學團隊研制出國際首款實時超光譜成像芯片

廣東光大科研制造中心項目開工，一期投資100億元

中科院半導體所趙德剛團隊研制出室溫連續(xù)功率2W的GaN基大功率紫外激光器

中科院物理所陸凌團隊研制出了性能指標具佳的拓撲腔面發(fā)射激光器

中科院合肥物質(zhì)科學研究院成功研制BGA芯片外觀檢測設備

工信部：2022年汽車標準化工作要點加快新興領域標準研制

長光所在量子陀螺專用垂直腔面發(fā)射激光器研制和應用方面取得進展

?電科材料成功研制出8英寸碳化硅晶體實現(xiàn)小規(guī)模量產(chǎn)！

中電科二所研制出山西首片碳化硅芯片

中電科二所研制出山西省首片碳化硅芯片

【CASICON 2021】云南鍺業(yè)公司首席科學家惠峰：VCSEL用六英寸超低位錯密度砷化鎵單晶片研制及應用

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