亚洲日韩久久|国偷自产一区二区三区蜜臀国|国产一区二区日韩|99热这里只亚洲无码,无码

<pre id="8wsas"></pre><noframes id="8wsas"><dl id="8wsas"></dl></noframes>

<tfoot id="8wsas"></tfoot>

<code id="8wsas"><delect id="8wsas"></delect></code>

<nav id="8wsas"><pre id="8wsas"></pre></nav>

首頁(yè) > 新聞資訊 > 搜索

芯導(dǎo)科技申請(qǐng)一種 T 型溝槽柵碳化硅 MOSFET 器件結(jié)構(gòu)及其制備方法專利，提高了柵極可靠性

芯導(dǎo)科技申請(qǐng)TrenchMOSFET器件的自對(duì)準(zhǔn)的制備方法專利，進(jìn)一步縮小了接觸孔沿溝道方向尺寸

芯導(dǎo)科技：IGBT產(chǎn)品部分型號(hào)已出樣，處于認(rèn)證階段

芯導(dǎo)科技：公司車規(guī)級(jí)TVS產(chǎn)品正在國(guó)產(chǎn)電動(dòng)汽車頭部廠家進(jìn)行驗(yàn)證導(dǎo)入

芯導(dǎo)科技：第三代半導(dǎo)體650VGaNHEMT產(chǎn)品預(yù)計(jì)今年可實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)

芯導(dǎo)科技：已經(jīng)成功推出幾款GaN產(chǎn)品

芯導(dǎo)科技2021年凈利同比增54.38%，氮化鎵業(yè)務(wù)及研究有進(jìn)展

芯導(dǎo)科技募資加強(qiáng)功率器件與IC研發(fā)，抓緊第三代半導(dǎo)體材料發(fā)展機(jī)遇

今日動(dòng)態(tài) | 第三代半導(dǎo)體持續(xù)升溫！三星、芯導(dǎo)科技、宏光照明、西部數(shù)據(jù)、富士電機(jī)、華燦光電、鎵未來(lái)、京創(chuàng)先進(jìn)等動(dòng)態(tài)

芯導(dǎo)科技科創(chuàng)板首發(fā)過(guò)會(huì) 致力成為功率半導(dǎo)體領(lǐng)域知名品牌

上海芯導(dǎo)科技科創(chuàng)板IPO申請(qǐng)正式獲受理

功率半導(dǎo)體廠商上海芯導(dǎo)科技擬科創(chuàng)板 IPO

聯(lián)系客服投訴反饋頂部

<tbody id="mgiic"></tbody>

<dl id="mgiic"></dl>

<tr id="mgiic"></tr>