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韓開發(fā)出新高
遷移率
p型半導(dǎo)體材料
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2024-09-18 16:24
CSPSD 2024成都前瞻|上海大學(xué)任開琳：一種新型氮化鎵基發(fā)光高電子
遷移率
晶體管
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2024-04-23 09:53
首個由石墨烯制成的功能半導(dǎo)體問世?電子
遷移率
是硅的10倍
評論 ?
2024-01-05 15:47
石墨烯芯片制造領(lǐng)域，重要里程碑→
碳化硅
超高遷移率
半導(dǎo)體
外延
石墨烯
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2024-01-05 13:55
IFWS 2023│臺灣成功大學(xué)李清庭：GaN基單片電子器件的集成互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體D模和E模高電子
遷移率
晶體管
評論 ?
2023-12-08 16:40
MXene范德華接觸在氮化鎵高電子
遷移率
晶體管中的應(yīng)用
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2023-04-27 16:12
標(biāo)準(zhǔn) | CASA立項(xiàng)《射頻GaN HEMT結(jié)構(gòu)的
遷移率
非接觸霍爾測量方法》等5項(xiàng)團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)
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2022-11-21 15:27
國家納米科學(xué)中心劉新風(fēng)研究團(tuán)隊(duì)首次測定超高熱導(dǎo)率半導(dǎo)體-砷化硼的載流子
遷移率
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2022-07-25 09:42
蘇州大學(xué)揭建勝教授團(tuán)隊(duì)提出有機(jī)半導(dǎo)體單晶薄膜制備新方法，
遷移率
變異系數(shù)僅9.8%
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2022-04-24 08:28
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