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國(guó)際首次！科研團(tuán)隊(duì)在基于碳化硅硅空位色心的高壓原位磁探測(cè)研究方面取得突破

一徑科技高性能車規(guī)級(jí)長(zhǎng)距MEMS激光雷達(dá)ML-Xs首次亮相海外市場(chǎng)

首次提出并主導(dǎo)！我國(guó)在半導(dǎo)體國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)制定方面再獲突破

模擬集成電路設(shè)計(jì)企業(yè)杰華特?cái)M首次公開(kāi)發(fā)行5808萬(wàn)股

全球首次！全球首次實(shí)現(xiàn)室溫下連續(xù)波深紫外激光輸出

首次突破萬(wàn)億！近10年我國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)復(fù)合增長(zhǎng)率19%

計(jì)劃募資10億元！有研半導(dǎo)體硅材料股份公司首次公開(kāi)發(fā)行股票并在科創(chuàng)板上市

清華團(tuán)隊(duì)基于二維面內(nèi)異質(zhì)結(jié)首次同步實(shí)現(xiàn)熱/電整流

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中山大學(xué)研究團(tuán)隊(duì)首次實(shí)現(xiàn)了基于ε-Ga2O3薄膜的SAW射頻諧振器

工信部：去年我國(guó)集成電路全行業(yè)銷售額首次破萬(wàn)億

韓國(guó)半導(dǎo)體出口兩年多來(lái)首次下滑

郝躍院士團(tuán)隊(duì)研制出國(guó)際最高功率優(yōu)值13.2 GW/cm2氧化鎵二極管并首次在氧化鎵中實(shí)現(xiàn)空穴超注入效應(yīng)

中國(guó)科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所團(tuán)隊(duì)首次采用GNR邊緣接觸制備出目前世界上最小尺寸相變存儲(chǔ)單元器件

國(guó)家納米科學(xué)中心劉新風(fēng)研究團(tuán)隊(duì)首次測(cè)定超高熱導(dǎo)率半導(dǎo)體-砷化硼的載流子遷移率

國(guó)基南方SiC MOSFET首次獲得新能源汽車龍頭企業(yè)大批量訂單

國(guó)際首創(chuàng)！浙大杭州科創(chuàng)中心首次采用新技術(shù)路線成功制備2英寸氧化鎵晶圓

首次采用GAA技術(shù) 臺(tái)積電正式啟動(dòng)2nm晶圓廠建設(shè)，將于2025年投產(chǎn)

西電學(xué)子在ISPD國(guó)際集成電路物理設(shè)計(jì)競(jìng)賽首次獲得冠軍實(shí)現(xiàn)了新突破

持股17.284%，大基金二期首次投資半導(dǎo)體零部件廠商

宏光半導(dǎo)體：與GaN Systems進(jìn)行首次公開(kāi)GaN的行業(yè)實(shí)地試驗(yàn)

中科大首次實(shí)現(xiàn)芯片集成冷原子磁光阱系統(tǒng) 推動(dòng)量子技術(shù)應(yīng)用

全球5G手機(jī)滲透率首次過(guò)半

中國(guó)集成電路進(jìn)口首次同比下滑，透露出哪些信號(hào)？

清華大學(xué)團(tuán)隊(duì)首次實(shí)現(xiàn)了具有亞1nm柵極長(zhǎng)度的晶體管

中國(guó)半導(dǎo)體進(jìn)口，兩年來(lái)首次下跌

三安集成攜全系列產(chǎn)品線首次亮相OFC 2022

世界上首次用HVPE法在6英寸晶片上氧化鎵成膜成功

中國(guó)科大潘建偉院士團(tuán)隊(duì)等與海外團(tuán)隊(duì)合作《Science》發(fā)文報(bào)道首次觀測(cè)到費(fèi)米超流中的熵波臨界發(fā)散

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