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北京大學申請長波長
InGaN
基發(fā)光二極管專利，有利于提高發(fā)光多量子阱中的銦并入
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2024-03-25 10:36
成果推薦 | 硅襯底上基于高Al組分Al
InGaN
勢壘層射頻微波器件
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2024-03-13 20:04
廈門大學團隊演示可同步輻射正交線偏振綠光的半極性
InGaN
基MCLED
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2024-01-24 17:32
南京大學莊喆：基于外延層殘余應變調控的
InGaN
基紅光LED器件
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2023-12-27 13:50
SSLCHINA2023│北京大學教授陳志忠：利用溝槽結構生長高效率
InGaN
紅光
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2023-11-27 22:08
【CASICON 2023】湖南大學半導體學院（集成電路學院）李陽鋒：原位AlGaN插入層降低
InGaN
LED漏電流
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2023-05-09 11:18
鄭州大學Muhammad Nawaz Sharif：銦摩爾分數對
InGaN
基近紫外發(fā)光二極管光學性能的影響
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2021-12-10 15:35
廈門大學聯合三安光電技術攻關，超8瓦大功率
InGaN
藍光激光器取得突破性成果
廈門大學
三安光電
8瓦
大功率
InGaN
藍光激光器
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2021-02-08 08:24
InGaN
μLED外部量子效率改進最新研究成果 有望消除高性能μLED發(fā)展瓶頸
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2020-07-27 14:59
英國Plessey宣布開發(fā)出世界上首個硅基
InGaN
紅光LED
英國
Plessey
開發(fā)
世界
首個
硅基
InGaN
紅光LED
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2019-12-09 17:34
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