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一代材料，一代器件，一代裝備，一代應(yīng)用。隨著以碳化硅、氮化鎵等寬禁帶半導(dǎo)體材料為代表的第三代半導(dǎo)體應(yīng)用技術(shù)的不斷進(jìn)步與產(chǎn)