一代材料，一代器件，一代裝備，一代應(yīng)用。隨著以碳化硅、氮化鎵等寬禁帶半導(dǎo)體材料為代表的第三代半導(dǎo)體應(yīng)用技術(shù)的不斷進(jìn)步與產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用，第三代半導(dǎo)體納入國(guó)家2030規(guī)劃和“十四五”國(guó)家研發(fā)計(jì)劃,被視作我國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)彎道超車(chē)的機(jī)會(huì)。