以氮化鎵、氮化鋁為代表的Ⅲ族氮化物寬禁帶半導體是研制短波長光電子器件和高頻、高功率電子器件的核心材料體系。由于缺少高質(zhì)量、低成本的同質(zhì)GaN和AlN襯底，氮化物半導體主要通過異質(zhì)外延，特別是大失配異質(zhì)外延來制備。由此導致的高缺陷密度、殘余應力成為當前深紫外發(fā)光器件、功率電子器件等氮化物半導體器件發(fā)展的主要瓶頸，影響了材料和器件性能的提升。沈波教授在報告中，結合氮化物半導體面臨的大失配外延生長問題、詳細分