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荷蘭代爾夫特理工大學(xué)教授Braham FERREIRA：寬禁帶功率半導(dǎo)體國(guó)際技術(shù)路線圖

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臺(tái)灣科技大學(xué)Hung-Wei CHEN：照明光對(duì)人體晝夜節(jié)律影響之研究

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意大利ORCHESTRA總裁Guido COLOMBO：工業(yè)4.0：對(duì)于電子工業(yè)和產(chǎn)品的大好時(shí)機(jī)

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英諾賽科科技有限公司董事長(zhǎng)駱薇薇：硅基氮化鎵產(chǎn)業(yè)化發(fā)展的機(jī)遇與挑戰(zhàn)

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中國(guó)工程院院士陳良惠：固態(tài)照明的歷史使命與紫外LED的新機(jī)遇

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德國(guó)愛(ài)思強(qiáng)股份有限公司Vincent MERIC：化合物半導(dǎo)體外延量產(chǎn)解決方案

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2024年度中國(guó)第三代半導(dǎo)體技術(shù)十大進(jìn)展

2024年度中國(guó)第三代半導(dǎo)體技術(shù)十大進(jìn)展

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長(zhǎng)治市第三代半導(dǎo)體紫外LED產(chǎn)業(yè)發(fā)展規(guī)劃

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英國(guó)紐卡斯?fàn)柎髮W(xué)視覺(jué)神經(jīng)科學(xué)教授Anya HURLBERT：不同光譜對(duì)人類(lèi)健康的影響

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【視頻報(bào)告】鄭州大學(xué)Mussaab I. NIASS：藍(lán)寶石基B0.375GaN/B0.45GaN量子阱結(jié)構(gòu)的激光二極管中n-p電極對(duì)于p型電導(dǎo)率的影響

【視頻報(bào)告】鄭州大學(xué)Mussaab I. NIASS：藍(lán)寶石基B0.375GaN/B0.45GaN量子阱結(jié)構(gòu)的激光二極管中n-p電極對(duì)于p型電導(dǎo)率的影響

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中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所李晉閩研究員:氮化物深紫外LED光源助力公共衛(wèi)生安全
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中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所李晉閩研究員:氮化物深紫外LED光源助力公共衛(wèi)生安全
當(dāng)前，人們對(duì)于綠色、環(huán)保、安全的重視度在不斷的提高，隨著全球化加速發(fā)展，公共衛(wèi)生風(fēng)險(xiǎn)對(duì)人口流動(dòng)和經(jīng)濟(jì)活動(dòng)造成前所未有的限制，防范和化解重大疫情和突發(fā)公共衛(wèi)生風(fēng)險(xiǎn)的重要性不言而喻?；诘谌雽?dǎo)體氮化鎵材料的紫外LED光源具有節(jié)能環(huán)保、壽命長(zhǎng)、開(kāi)啟速度快、輻射強(qiáng)度可控、光譜可定制等優(yōu)勢(shì)，成為維護(hù)公共衛(wèi)生安全的重要力量。紫外LED是半導(dǎo)體光電產(chǎn)業(yè)發(fā)展的新藍(lán)海，雙碳戰(zhàn)略也給包括紫外LED產(chǎn)業(yè)在內(nèi)的綠色環(huán)保節(jié)能產(chǎn)
211100
guansheng2022-09-10 15:45
廈門(mén)大學(xué)張榮教授:氮化物半導(dǎo)體基Micro-LED顯示技術(shù)新進(jìn)展
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廈門(mén)大學(xué)張榮教授:氮化物半導(dǎo)體基Micro-LED顯示技術(shù)新進(jìn)展
第三代半導(dǎo)體材料在不同領(lǐng)域的應(yīng)用非常廣泛，其中，LED可以說(shuō)是其第一個(gè)較成熟的應(yīng)用突破口，伴隨著元宇宙等新時(shí)代的展開(kāi)，Micro-LED顯示應(yīng)用又迎來(lái)了一波新的發(fā)展機(jī)遇，作為應(yīng)用的支撐，技術(shù)的發(fā)展水平非常重要。張榮教授分享了其帶領(lǐng)的團(tuán)隊(duì)在氮化物半導(dǎo)體基顯示技術(shù)方面的最新研究及成果。報(bào)告結(jié)合Micro-LED的優(yōu)勢(shì)與挑戰(zhàn)，從外延結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)、芯片制備、全彩化方案、系統(tǒng)集成、納米LED等方面詳細(xì)分享了團(tuán)隊(duì)最新的多個(gè)研究發(fā)現(xiàn)和研究
202500
guansheng2022-09-10 15:43
中國(guó)科學(xué)院北京納米能源與系統(tǒng)研究所王中林院士:第三代半導(dǎo)體中的壓電電子學(xué)與壓電光電子學(xué)
20070
中國(guó)科學(xué)院北京納米能源與系統(tǒng)研究所王中林院士:第三代半導(dǎo)體中的壓電電子學(xué)與壓電光電子學(xué)
寬禁帶材料具有非中心對(duì)稱(chēng)的晶體結(jié)構(gòu)，因而表現(xiàn)出顯著的壓電特性，長(zhǎng)期以來(lái)這些材料中壓電極化電荷和半導(dǎo)體特性的耦合過(guò)程被忽略。近年來(lái)對(duì)于壓電電子學(xué)和壓電光電子學(xué)的基礎(chǔ)及應(yīng)用研究取得了快速地發(fā)展。多種功能材料中的壓電電子學(xué)和壓電光電子學(xué)的基本效應(yīng)得到了系統(tǒng)深入地研究，相關(guān)的理論體系得以建立，諸多壓電電子學(xué)和壓電光電子學(xué)器件也被設(shè)計(jì)研發(fā)。會(huì)上，王中林院士帶來(lái)了壓電學(xué)理論與研究成果的分享，報(bào)告結(jié)合具體的數(shù)據(jù)
200700
guansheng2022-09-10 15:42
西安電子科技大學(xué)郝躍院士：超寬禁帶半導(dǎo)體器件與材料的若干新進(jìn)展
29110
西安電子科技大學(xué)郝躍院士：超寬禁帶半導(dǎo)體器件與材料的若干新進(jìn)展
中國(guó)科學(xué)院院士、西安電子科技大學(xué)郝躍教授帶來(lái)了超寬禁帶半導(dǎo)體器件與材料的若干新進(jìn)展的主題報(bào)告；中科院外籍院士、中國(guó)科學(xué)院北京納米能源與系統(tǒng)研究所王中林院士帶來(lái)了第三代半導(dǎo)體中的壓電電子學(xué)與壓電光電子學(xué)的主題報(bào)告；廈門(mén)大學(xué)校長(zhǎng)張榮教授介紹了氮化物半導(dǎo)體基 Micro-LED顯示技術(shù)新進(jìn)展；大會(huì)主席、中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所李晉閩研究員帶來(lái)了氮化物深紫外LED光源助力公共衛(wèi)生安全的主題報(bào)告。幾大精彩主題報(bào)告，從技
291100
guansheng2022-09-10 15:38
中國(guó)科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所劉宗亮：氮化鎵單晶襯底生長(zhǎng)與應(yīng)用進(jìn)展
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中國(guó)科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所劉宗亮：氮化鎵單晶襯底生長(zhǎng)與應(yīng)用進(jìn)展
常見(jiàn)的氮化鎵器件為在異質(zhì)襯底上長(zhǎng)氮化鎵外延層制作成半導(dǎo)體器件。但由于使用的是異質(zhì)襯底，材料之間存在著晶格失配與熱失配導(dǎo)致外延材料位錯(cuò)密度比較高，阻礙了相關(guān)器件性能的提升及其穩(wěn)定性。采用氮化鎵單晶襯底實(shí)現(xiàn)同質(zhì)外延是提高氮化鎵外延層晶體質(zhì)量進(jìn)而提高氮化鎵器件的主要途徑。劉宗亮博士在報(bào)告中結(jié)合GaN材料生長(zhǎng)制備的主要方法及挑戰(zhàn)，GaN單晶制備的主要方法與特點(diǎn)以及國(guó)際上GaN單晶生長(zhǎng)研究進(jìn)展等，分享了GaN單晶襯底生
124700
guansheng2022-09-09 15:53
山東大學(xué)徐現(xiàn)剛教授：GaAs半導(dǎo)體激光器的研究進(jìn)展
21810
山東大學(xué)徐現(xiàn)剛教授：GaAs半導(dǎo)體激光器的研究進(jìn)展
半導(dǎo)體激光器的理論和實(shí)踐都取得巨大成果。近年來(lái),GaAs基大功率半導(dǎo)體激光器憑其優(yōu)勢(shì)，在眾多領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用。但是GaAs基大功率半導(dǎo)體激光器仍面臨著功率不足、發(fā)熱量大及光束質(zhì)量差的問(wèn)題。光電性能差是限制其應(yīng)用的關(guān)鍵問(wèn)題，如何進(jìn)一步提高激光器的光電性能是半導(dǎo)體激光器面臨的挑戰(zhàn)。朱振博士在報(bào)告中，詳細(xì)分享了GaAs半導(dǎo)體激光器關(guān)鍵技術(shù)及最新研究進(jìn)展，報(bào)告指出基于GaAs襯底的6x x（635-690），8 x x（780-880），9 x x
218100
guansheng2022-09-09 15:50
北京大學(xué)沈波教授：氮化物寬禁帶半導(dǎo)體大失配異質(zhì)外延新進(jìn)展
18070
北京大學(xué)沈波教授：氮化物寬禁帶半導(dǎo)體大失配異質(zhì)外延新進(jìn)展
以氮化鎵、氮化鋁為代表的Ⅲ族氮化物寬禁帶半導(dǎo)體是研制短波長(zhǎng)光電子器件和高頻、高功率電子器件的核心材料體系。由于缺少高質(zhì)量、低成本的同質(zhì)GaN和AlN襯底，氮化物半導(dǎo)體主要通過(guò)異質(zhì)外延，特別是大失配異質(zhì)外延來(lái)制備。由此導(dǎo)致的高缺陷密度、殘余應(yīng)力成為當(dāng)前深紫外發(fā)光器件、功率電子器件等氮化物半導(dǎo)體器件發(fā)展的主要瓶頸，影響了材料和器件性能的提升。沈波教授在報(bào)告中，結(jié)合氮化物半導(dǎo)體面臨的大失配外延生長(zhǎng)問(wèn)題、詳細(xì)分
180700
guansheng2022-09-09 15:47
圓桌對(duì)話：碳化硅、氮化鎵和氧化鎵功率半導(dǎo)體的應(yīng)用領(lǐng)域、關(guān)鍵科學(xué)技術(shù)問(wèn)題及解決之道
12400
圓桌對(duì)話：碳化硅、氮化鎵和氧化鎵功率半導(dǎo)體的應(yīng)用領(lǐng)域、關(guān)鍵科學(xué)技術(shù)問(wèn)題及解決之道
主題對(duì)話環(huán)節(jié)，北京大學(xué)沈波教授主持下，中科院半導(dǎo)體所研究員趙德剛，中微半導(dǎo)體公司副總裁兼MOCVD產(chǎn)品事業(yè)部總經(jīng)理郭世平，清華大學(xué)長(zhǎng)聘副教授汪萊，中科院蘇州納米所研究員孫錢(qián)，南京大學(xué)教授陳鵬，中科院長(zhǎng)春光機(jī)所研究員孫曉娟，南京大學(xué)教授陸海，江南大學(xué)教授敖金平，中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)微電子學(xué)院執(zhí)行院長(zhǎng)、教授龍世兵，浙江大學(xué)研究員、電力電子技術(shù)研究所副所長(zhǎng)楊樹(shù)，中科院微電子研究所研究員黃森等學(xué)界、業(yè)界中青代骨干
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guansheng2022-09-08 15:57
圓桌對(duì)話：MOCVD外延技術(shù)和裝備面臨的挑戰(zhàn)和發(fā)展趨勢(shì)
12600
圓桌對(duì)話：MOCVD外延技術(shù)和裝備面臨的挑戰(zhàn)和發(fā)展趨勢(shì)
主題對(duì)話環(huán)節(jié)，北京大學(xué)沈波教授主持下，中科院半導(dǎo)體所研究員趙德剛，中微半導(dǎo)體公司副總裁兼MOCVD產(chǎn)品事業(yè)部總經(jīng)理郭世平，清華大學(xué)長(zhǎng)聘副教授汪萊，中科院蘇州納米所研究員孫錢(qián)，南京大學(xué)教授陳鵬，中科院長(zhǎng)春光機(jī)所研究員孫曉娟，南京大學(xué)教授陸海，江南大學(xué)教授敖金平，中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)微電子學(xué)院執(zhí)行院長(zhǎng)、教授龍世兵，浙江大學(xué)研究員、電力電子技術(shù)研究所副所長(zhǎng)楊樹(shù)，中科院微電子研究所研究員黃森等學(xué)界、業(yè)界中青代骨干
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guansheng2022-09-08 15:55
中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)譚鵬舉：零回滯氧化鎵光電晶體管從光電導(dǎo)效應(yīng)到光柵效應(yīng)
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中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)譚鵬舉：零回滯氧化鎵光電晶體管從光電導(dǎo)效應(yīng)到光柵效應(yīng)
零回滯氧化鎵光電晶體管從光電導(dǎo)效應(yīng)到光柵效應(yīng)譚鵬舉，鄒燕妮，趙曉龍*，侯小虎，張中方，丁夢(mèng)璠，于舜杰，馬曉蘭，徐光偉，胡芹*，龍世兵中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)
78700
guansheng2022-09-02 16:03
南京大學(xué)葉建東：氧化鎵基雙極型異質(zhì)結(jié)功率器件研究
7110
南京大學(xué)葉建東：氧化鎵基雙極型異質(zhì)結(jié)功率器件研究
氧化鎵基雙極型異質(zhì)結(jié)功率器件研究葉建東*，鞏賀賀，周峰，郁鑫鑫，徐尉宗，任芳芳，顧書(shū)林，陸海，張榮，鄭有炓南京大學(xué)
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guansheng2022-09-02 16:02
陜西科技大學(xué)馬淑芳：基于單根Ga2O3納米線的深紫外光電探測(cè)性能
6730
陜西科技大學(xué)馬淑芳：基于單根Ga2O3納米線的深紫外光電探測(cè)性能
基于單根Ga2O3納米線的深紫外光電探測(cè)性能馬淑芳*，劉松，韓斌，尉國(guó)棟，董浩琰，牛艷萍，郝曉東，許并社陜西科技大學(xué)
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guansheng2022-09-02 16:01
中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)龍世兵：氧化鎵半導(dǎo)體器件
8700
中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)龍世兵：氧化鎵半導(dǎo)體器件
氧化鎵半導(dǎo)體器件龍世兵*，徐光偉，趙曉龍，侯小虎中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)
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guansheng2022-09-02 15:59
湖北大學(xué)陳興馳：基于n-ZnO/n-Ga2O3/p-GaN異質(zhì)結(jié)與pn結(jié)耦合增強(qiáng)型自驅(qū)動(dòng)紫外探測(cè)器研究
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湖北大學(xué)陳興馳：基于n-ZnO/n-Ga2O3/p-GaN異質(zhì)結(jié)與pn結(jié)耦合增強(qiáng)型自驅(qū)動(dòng)紫外探測(cè)器研究
基于n-ZnO/n-Ga2O3/p-GaN異質(zhì)結(jié)與pn結(jié)耦合增強(qiáng)型自驅(qū)動(dòng)紫外探測(cè)器研究陳興馳，陳劍，樊啟賢，毛佳興，張忠輝，許雅俊，盧寅梅，何云斌*湖北大學(xué)
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guansheng2022-09-01 16:22
吉林大學(xué)焦騰：n型Ga2O3薄膜的MOCVD同質(zhì)外延
6580
吉林大學(xué)焦騰：n型Ga2O3薄膜的MOCVD同質(zhì)外延
n型Ga2O3薄膜的MOCVD同質(zhì)外延焦騰，陳威，李政達(dá)，刁肇悌，黨新明，陳沛然，董鑫*吉林大學(xué)
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guansheng2022-09-01 16:21
南京大學(xué)汪正鵬：NiO/β-Ga2O3 p+-n異質(zhì)結(jié)二極管深能級(jí)缺陷研究
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南京大學(xué)汪正鵬：NiO/β-Ga2O3 p+-n異質(zhì)結(jié)二極管深能級(jí)缺陷研究
NiO/-Ga2O3p+-n異質(zhì)結(jié)二極管深能級(jí)缺陷研究汪正鵬，鞏賀賀，郁鑫鑫，葉建東*，顧書(shū)林，任芳芳，張榮，鄭有炓南京大學(xué)
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guansheng2022-09-01 16:20
大連理工大學(xué)張赫之：兩步法在藍(lán)寶石襯底上生長(zhǎng)高質(zhì)量β-Ga2O3厚膜的研究
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大連理工大學(xué)張赫之：兩步法在藍(lán)寶石襯底上生長(zhǎng)高質(zhì)量β-Ga2O3厚膜的研究
兩步法在藍(lán)寶石襯底上生長(zhǎng)高質(zhì)量-Ga2O3厚膜的研究張赫之，張嵩，董增印，張文輝，程麗媛，梁紅偉*大連理工大學(xué)中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第四十六研究所
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guansheng2022-09-01 16:19
山東大學(xué)賈志泰：大尺寸高質(zhì)量氧化鎵單晶生長(zhǎng)及性能研究
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山東大學(xué)賈志泰：大尺寸高質(zhì)量氧化鎵單晶生長(zhǎng)及性能研究
大尺寸高質(zhì)量氧化鎵單晶生長(zhǎng)及性能研究穆文祥，李陽(yáng)，賈志泰*，陶緒堂山東大學(xué)
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guansheng2022-09-01 16:18
湖北大學(xué)何云斌：Ga2O3三元合金設(shè)計(jì)及其日盲紫外光電探測(cè)器研究
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湖北大學(xué)何云斌：Ga2O3三元合金設(shè)計(jì)及其日盲紫外光電探測(cè)器研究
Ga2O3三元合金設(shè)計(jì)及其日盲紫外光電探測(cè)器研究王其樂(lè)，瞿秋琳，陳劍，黎明鍇，盧寅梅，何云斌*湖北大學(xué)
97400
guansheng2022-09-01 16:16
中山大學(xué)王鋼：基于金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積的ε-Ga2O3薄膜異質(zhì)外延及其在場(chǎng)效應(yīng)晶體管中的應(yīng)用
5670
中山大學(xué)王鋼：基于金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積的ε-Ga2O3薄膜異質(zhì)外延及其在場(chǎng)效應(yīng)晶體管中的應(yīng)用
基于金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積的-Ga2O3薄膜異質(zhì)外延及其在場(chǎng)效應(yīng)晶體管中的應(yīng)用王鋼*，陳偉驅(qū)，羅浩勛，陳梓敏，盧星，裴艷麗中山大學(xué)
56700
guansheng2022-09-01 16:13

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