常見的氮化鎵器件為在異質(zhì)襯底上長(zhǎng)氮化鎵外延層制作成半導(dǎo)體器件。但由于使用的是異質(zhì)襯底，材料之間存在著晶格失配與熱失配導(dǎo)致外延材料位錯(cuò)密度比較高，阻礙了相關(guān)器件性能的提升及其穩(wěn)定性。采用氮化鎵單晶襯底實(shí)現(xiàn)同質(zhì)外延是提高氮化鎵外延層晶體質(zhì)量進(jìn)而提高氮化鎵器件的主要途徑。劉宗亮博士在報(bào)告中結(jié)合GaN材料生長(zhǎng)制備的主要方法及挑戰(zhàn)，GaN單晶制備的主要方法與特點(diǎn)以及國(guó)際上GaN單晶生長(zhǎng)研究進(jìn)展等，分享了GaN單晶襯底生