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  • 【視頻報(bào)告 2018】周
    美國(guó)倫斯勒理工學(xué)院的周達(dá)成教授分享了《碳化硅功率器件的性能、可靠性和穩(wěn)健性》;
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    limit2021-04-29 12:25
  • 【視頻報(bào)告 2018】蘇
    蘇州能訊高能半導(dǎo)體有限公司李元分享了《以系統(tǒng)方法實(shí)現(xiàn)氮化鎵射頻功率器件的高可靠性:我們的成就及新進(jìn)展》主題報(bào)告。氮化鎵射頻功率器件因其優(yōu)良的性能而在基礎(chǔ)工業(yè)領(lǐng)域(如5G通訊基站)具有廣泛的應(yīng)用前景?;A(chǔ)工業(yè)應(yīng)用要求的超長(zhǎng)連續(xù)工作壽命及可能的外部惡劣工作環(huán)境,對(duì)器件的可靠性提出了更高的要求。能訊高能半導(dǎo)體通過一個(gè)系統(tǒng)工程,從產(chǎn)品設(shè)計(jì),工藝開發(fā),器件生產(chǎn),到最終篩選測(cè)試,每一個(gè)環(huán)節(jié)都按嚴(yán)格的程序進(jìn)行,確
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    limit2021-04-29 12:21
  • 英諾賽科研發(fā)中心副總
    英諾賽科研發(fā)中心副總裁David C. ZHOU分享了《200mm 40V-650V E型硅基氮化鎵材料功率器件技術(shù):從器件、封裝、到系統(tǒng)》研究報(bào)告
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    limit2019-12-30 13:03
  • 日本德島大學(xué)教授敖金
    日本德島大學(xué)教授、西安電子科技大學(xué)特聘教授敖金平分享了《常關(guān)型AlGaN/GaN HFET功率器件的發(fā)展》技術(shù)報(bào)告。敖金平博士1989年畢
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    limit2019-12-29 13:00
  • Victor VELIADIS教授
    2018年10月23日下午,第十五屆中國(guó)國(guó)際半導(dǎo)體照明論壇(SSLCHINA 2018)暨2018國(guó)際第三代半導(dǎo)體論壇(IFWS 2018)開幕大會(huì)在深圳會(huì)展中心隆重召開。大會(huì)以創(chuàng)芯聚智 共享生態(tài)為主題,吸引了來自海內(nèi)外半導(dǎo)體照明,第三代半導(dǎo)體及相關(guān)領(lǐng)域的專家學(xué)者、企業(yè)領(lǐng)袖、行業(yè)機(jī)構(gòu)領(lǐng)導(dǎo)以及相關(guān)政府官員的積極參與,共同論道產(chǎn)業(yè)發(fā)展。 本屆論壇由國(guó)家半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟(CSA)、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟(CASA)、深圳市
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    limit2018-12-01 12:43
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