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  • 【視頻報(bào)告 2018】株
    株洲中車時(shí)代電氣股份有限公司半導(dǎo)體事業(yè)部副總經(jīng)理研發(fā)中心主任戴小平介紹了《多電飛機(jī)平面封裝型碳化硅功率模塊》技術(shù)報(bào)告；
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    limit2021-04-29 12:27
  • 【視頻報(bào)告 2018】基
    深圳基本半導(dǎo)體有限公司副總經(jīng)理張振中介紹了《高性能 3D SiC JBS 二極管》主題報(bào)告；張振中對(duì)各種類型的碳化硅器件，包括高壓PiN二極管、高溫JBS二極管、SBD管、平面及溝槽型MOSFET、JFET、BJT、UV二極管、MESFET都有從版圖設(shè)計(jì)引入到量產(chǎn)工藝開(kāi)發(fā)直到后期失效分析及良率提升等一系列的工藝技術(shù)IP和產(chǎn)業(yè)化經(jīng)驗(yàn)。
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    limit2021-04-29 12:26
  • 【視頻報(bào)告 2018】Vic
    美國(guó)電力副執(zhí)行主任兼首席技術(shù)官、美國(guó)北卡羅萊納州立大學(xué)教授Victor Veliadis帶來(lái)《10 kV 4H-SiC晶體管基面位錯(cuò)和耐久性的影響》；
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    limit2021-04-29 12:26
  • 【視頻報(bào)告 2018】Mie
    瑞典皇家工學(xué)院工程科學(xué)院教授Mietek BAKOWSKI以瑞典視角分享了《WBG電力設(shè)備的現(xiàn)狀和采用前景》，報(bào)告中介紹了由瑞典創(chuàng)新局（Vinnova）和瑞典能源管理局以及碳化硅電力中心資助的選定工業(yè)和研究項(xiàng)目的概況和重點(diǎn)。示例展示了基于WBG的電力電子能量轉(zhuǎn)換系統(tǒng)在各種應(yīng)用中的節(jié)能方面的革命性進(jìn)展。簡(jiǎn)要介紹了瑞典材料、技術(shù)和設(shè)備研發(fā)領(lǐng)域的相關(guān)項(xiàng)目。
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    limit2021-04-29 12:26
  • 【視頻報(bào)告 2018】Ado
    瑞典Ascatron AB 首席技術(shù)官Adolf SCHÖNER介紹了《10千伏高壓4H碳化硅PIN二極管的少子壽命調(diào)制》技術(shù)報(bào)告；
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    limit2021-04-29 12:26
  • 【視頻報(bào)告 2018】P.S
    高溫、高功率寬帶隙半導(dǎo)體要求掌握碳化硅（SiC）等材料的晶體生長(zhǎng)過(guò)程。今天，SiC是通過(guò)氣相或液相法生長(zhǎng)的，它包括下列過(guò)程：反應(yīng)物的生成、反應(yīng)物到生長(zhǎng)表面的傳輸、生長(zhǎng)表面的吸附、成核和最終晶體生長(zhǎng)。GT Advanced Technologies首席技術(shù)官P.S. RAGHAVAN分享了《碳化硅襯底技術(shù)的最新進(jìn)展》技術(shù)報(bào)告，報(bào)告中介紹了不同的SiC晶體生長(zhǎng)過(guò)程以及SiC技術(shù)的最新進(jìn)展。
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    limit2021-04-29 12:25
  • 【視頻報(bào)告 2018】周
    美國(guó)倫斯勒理工學(xué)院的周達(dá)成教授分享了《碳化硅功率器件的性能、可靠性和穩(wěn)健性》；
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    limit2021-04-29 12:25
  • 【視頻報(bào)告 2018】香
    矩陣轉(zhuǎn)換器被認(rèn)為是一種最優(yōu)異的交流-交流功率轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu)，因?yàn)槠渲饕蕾囉陔p向開(kāi)關(guān)而幾乎不需要其他被動(dòng)組件。它不僅提升了能量轉(zhuǎn)換效率，而且可以突破傳統(tǒng)的通用逆變器所存在的開(kāi)關(guān)切換速度，工作溫度以及電壓等級(jí)的限制。在此基礎(chǔ)下，新型碳化硅（SiC）組件以及先進(jìn)功率器件封裝的應(yīng)用將帶來(lái)新一代矩陣轉(zhuǎn)換器的重大發(fā)展與變革。香港應(yīng)用科技研究院功率器件組總監(jiān)袁述分享了《新一代碳化硅矩陣變換器》主題報(bào)告，報(bào)告中回顧矩陣轉(zhuǎn)
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    limit2021-04-29 12:25
  • 【視頻報(bào)告 2018】中
    中電科電子裝備集團(tuán)有限公司離子注入機(jī)技術(shù)總監(jiān)張叢分享了《國(guó)產(chǎn)離子注入機(jī)發(fā)展及應(yīng)用》主題報(bào)告。
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    limit2021-04-29 12:24
  • 【視頻報(bào)告 2018】南
    【極智報(bào)告】南京大學(xué)陳琳：6英寸GaN襯底生長(zhǎng)用HVPE反應(yīng)腔的三維數(shù)值模擬
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    limit2021-04-29 12:23
  • 【視頻報(bào)告 2018】西
    西安電子科技大學(xué)趙子越博士分享了《基于氮化鈦源極擴(kuò)展技術(shù)的常關(guān)型氟離子處理的AlGaN/GaN高電子遷移率晶體管（fT/fmax=61GHz/130GHz）》主題報(bào)告。他介紹說(shuō)，在SiC襯底上實(shí)現(xiàn)了高性能的柵長(zhǎng)為0.1um的常關(guān)型薄勢(shì)壘AlGaN/GaN高電子遷移率晶體管器件，采用氟離子注入技術(shù)并結(jié)合氮化鈦源極擴(kuò)展技術(shù)實(shí)現(xiàn)了高性能的常關(guān)型器件，其閾值電壓達(dá)到0.6V，飽和電流達(dá)到845mA/mm@Vgs=3V ，峰值跨導(dǎo)達(dá)到412mS/mm，電流截止頻率達(dá)到61GHz，最大
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    limit2021-04-29 12:21
  • 【視頻報(bào)告 2018】敖
    日本德島大學(xué)教授、西安電子科技大學(xué)特聘教授敖金平在《用于微波無(wú)線電能傳輸?shù)牡壣漕l肖特基二極管》報(bào)告中介紹到：無(wú)線電能傳輸技術(shù)是非常有前景的新技術(shù)，可以用在各種各樣的無(wú)線系統(tǒng)，比如無(wú)線充電、能量收割、無(wú)處不在的電源和建筑物內(nèi)的電源供應(yīng)等。在微波無(wú)線電能傳輸系統(tǒng)里，通常采用天線整流電路（rectenna）來(lái)完成RF到DC的能量轉(zhuǎn)換。天線整流電路廣泛地用到肖特基勢(shì)壘二極管（SBD）。但是，目前市場(chǎng)上很難找到能在天
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    limit2021-04-29 12:21
  • 【視頻報(bào)告 2018】蘇
    蘇州能訊高能半導(dǎo)體有限公司李元分享了《以系統(tǒng)方法實(shí)現(xiàn)氮化鎵射頻功率器件的高可靠性：我們的成就及新進(jìn)展》主題報(bào)告。氮化鎵射頻功率器件因其優(yōu)良的性能而在基礎(chǔ)工業(yè)領(lǐng)域（如5G通訊基站）具有廣泛的應(yīng)用前景?；A(chǔ)工業(yè)應(yīng)用要求的超長(zhǎng)連續(xù)工作壽命及可能的外部惡劣工作環(huán)境，對(duì)器件的可靠性提出了更高的要求。能訊高能半導(dǎo)體通過(guò)一個(gè)系統(tǒng)工程，從產(chǎn)品設(shè)計(jì)，工藝開(kāi)發(fā)，器件生產(chǎn)，到最終篩選測(cè)試，每一個(gè)環(huán)節(jié)都按嚴(yán)格的程序進(jìn)行，確
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    limit2021-04-29 12:21
  • 【視頻報(bào)告 2018】中
    中科院半導(dǎo)體研究所所長(zhǎng)助理、研究員張韻分享了《III族氮化物基射頻HEMT、HBT與濾波器》報(bào)告，受限于鈮酸鋰聲速較低(3400-4000 m/s)，商用鈮酸鋰基聲表面波（SAW）濾波器工作頻率通常低于3 GHz，難以滿足通訊系統(tǒng)頻率不斷提升的需求，因此基于高聲速AlN薄膜(5600-6000 m/s)的高頻SAW濾波器成為研究熱點(diǎn)。分別在鈮酸鋰襯底和AlN/藍(lán)寶石襯底上制備出叉指寬度為2 靘的SAW濾波器，鈮酸鋰SAW濾波器的中心頻率為426.7 MHz，而AlN基SAW 濾
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    limit2021-04-29 12:20
  • 【視頻報(bào)告 2018】河
    河北半導(dǎo)體研究所高級(jí)工程師的李靜強(qiáng)分享了《GaN 內(nèi)匹配封裝器件仿真技術(shù)研究》主題報(bào)告。
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    limit2021-04-29 12:20
  • 【視頻報(bào)告 2018】臺(tái)
    【極智報(bào)告】臺(tái)灣長(zhǎng)庚大學(xué)邱顯欽教授：適用于第五代移動(dòng)通訊六吋與八吋硅基氮化鎵微波器件解決方案
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    limit2021-04-29 12:20
  • 【視頻報(bào)告 2018】四
    OMMIC公司董事長(zhǎng)、巴黎高等電子研究所終身教授Marc Christian ROCCHI（四川益豐基礎(chǔ)研發(fā)部部長(zhǎng)王祁鈺代講）介紹了《100nm and 60 nm Si 上GaN MMIC工藝和產(chǎn)品》主題報(bào)告，報(bào)告中將首先從射頻性能和可靠性的角度來(lái)綜述GaN on Si工藝。檢查各種10W功率放大器在30GHz和39GHz的性能，PAE高達(dá)35%，增益23 dB。從20到34 GHz有20dB增益和1.5 dB NF的寬帶LNAs。用30GHz 5W和2.7dB NF T/R芯片以及600mW 90GHz功率放大器來(lái)演示這些工藝的性能
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    limit2021-04-29 12:20
  • 【視頻報(bào)告 2018】日
    日本名城大學(xué)副教授Motoaki IWAYA 帶來(lái)了關(guān)于基于AlGaN 激光的發(fā)展現(xiàn)狀的報(bào)告。
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    limit2021-04-29 12:06
  • 【視頻報(bào)告 2018】港
    集成功率器件與智能控制單元、基于片上系統(tǒng)解決方案的智能功率芯片技術(shù)成為未來(lái)功率系統(tǒng)的最佳選擇。然而，傳統(tǒng)的硅功率器件的效率、開(kāi)關(guān)速度以及最高工作溫度已逼近其極限，使得寬禁帶半導(dǎo)體氮化鎵成為應(yīng)用于功率管理的理想替代材料。香港科技大學(xué)教授陳敬做了全GaN功率集成技術(shù)的報(bào)告，該技術(shù)能夠?qū)崿F(xiàn)智能功率集成所需的功率模塊和各種控制單元模塊。
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    limit2021-04-29 12:06
  • 【視頻報(bào)告 2018】AIX
    一直以來(lái)，高功率密度電動(dòng)汽車電力驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)是新一代大功率電動(dòng)汽車發(fā)展的主要挑戰(zhàn)，寬禁帶功率器件的應(yīng)用，將對(duì)新一代電動(dòng)汽車的發(fā)展產(chǎn)生重要影響。德國(guó)亞琛工業(yè)大學(xué)教授，AIXTRON SE 全球副總裁Michael HEUKEN帶來(lái)了寬禁帶器件在汽車應(yīng)用中的加速采用的報(bào)告，分享了目前的發(fā)展現(xiàn)狀及AIXTRON的策略。
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    limit2021-04-29 12:05
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