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Mini/Micro-LED微顯示技術(shù)分析與應(yīng)用劉海坤博士TCL科技集團(tuán)工業(yè)研究院

加拿大滑鐵盧大學(xué)William WONG教授分享了《通過薄膜晶體管和III-V光電器件的異質(zhì)集成實(shí)現(xiàn)Micro-LED》研究報(bào)告。他介紹到，基于氮化鎵(GaN)基微光發(fā)射二極管(microleds)的新型顯示技術(shù)有望使下一代發(fā)射顯示器具有高亮度、低功耗和高分辨率，與現(xiàn)有的基于有機(jī)光發(fā)射二極管(OLEDs)的顯示技術(shù)相比。除了在OLED顯示器上的這些改進(jìn)之外，Micro-LED與薄膜晶體管(TFT)設(shè)備的集成為高亮度和高分辨率柔性顯示器提供了新的途徑。

德國愛思強(qiáng)產(chǎn)品管理總監(jiān)Jens VOIGT介紹了《用于RGB Micro-LED大批量制造的MOCVD解決方案》主題報(bào)告。他介紹說，愛思強(qiáng)的行星式反應(yīng)器平臺是生產(chǎn)具有最高一致性、重復(fù)性和缺陷控制標(biāo)準(zhǔn)的化合物半導(dǎo)體器件的已建立的平臺，例如用VCSEL激光器證明的3D傳感器技術(shù)，這是當(dāng)前高容量需求的關(guān)鍵驅(qū)動因素之一。同樣的要求組合也適用于Micro-LED技術(shù)：在低的缺陷水平下，結(jié)合外延層的高通量結(jié)構(gòu)具有非常高的精度。行星式反應(yīng)器平臺技術(shù)已經(jīng)被

香港科技大學(xué)首席劉紀(jì)美教授在《Micro-LED顯示屏：單片方法的優(yōu)點(diǎn)和問題》報(bào)告中指出，大面積的LED顯示器和普通照明應(yīng)用中的成熟的LED技術(shù)很常見。近年來，LED在微顯示器上的應(yīng)用越來越受到人們的關(guān)注。與其他現(xiàn)有的微顯示技術(shù)相比，led在效率、亮度、壽命、溫度穩(wěn)定性和魯棒性等方面具有優(yōu)勢。最重要的是在明亮的日光下的能見度。

南方科技大學(xué)副教授劉召軍在《多功能化氮化鎵基高分辨率Micro-LED顯示器》研究報(bào)告。

復(fù)旦大學(xué)副教授田朋飛分享了《智能GaN基micro-LED陣列》研究報(bào)告。GaN基micro-LED (霯ED)陣列可用于高亮度微顯示、高效率固態(tài)照明和高速可見光通信的高帶寬發(fā)光芯片。通過結(jié)合以上功能，可以實(shí)現(xiàn)用于大數(shù)據(jù)和物聯(lián)網(wǎng)的智能霯ED系統(tǒng)。至今為止，還未有將霯ED陣列用于高帶寬探測器(PD)的報(bào)道。

美國維易科精密儀器有限公司市場營銷總監(jiān)Mark MCKEE分享了《Micro-LED顯示屏：關(guān)鍵制造挑戰(zhàn)和MOCVD技術(shù)》報(bào)告。他介紹到，微型LED顯示屏比其他顯示技術(shù)，如背光LED顯示屏、OLED顯示屏和等離子顯示屏，具有更高的亮度、更高的功率效率，而且更加堅(jiān)固柔韌。然而，微型LED顯示屏的缺點(diǎn)之一是制作復(fù)雜，這導(dǎo)致了較高的顯示成本。在嚴(yán)格堅(jiān)持目標(biāo)成本的同時(shí)，微型LED顯示屏優(yōu)秀性能和良率為其制造帶來了許多挑戰(zhàn)。報(bào)告中提出，從外延和LE