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  • 黃火林：GaN基增強型H
    《GaN基增強型HEMT器件關(guān)鍵技術(shù)》作者：黃火林單位：大連理工大學(xué)光電工程與儀器科學(xué)學(xué)院
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    limit2022-01-10 11:07
  • Hui Guo: NiO/AlGaN i
    NiO/AlGaN interface reconstruction and transport manipulation of p-NiO gated AlGaN/GaN HEMTsAuthor: Hui Guo, Hehe Gong, Xinxin Yu, Rui Wang, Qing Cai, Danfeng Pan, Jiandong Ye, Bin Liu, Dunjun Chen, Hai Lu, Rong Zhang, Youdou Zheng單位/Institute: 南京大學(xué)電子科學(xué)與工程學(xué)院
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    limit2022-01-07 11:53
  • 吳千樹：肖特基p型柵
    《肖特基p型柵結(jié)構(gòu)GaN基HEMTs中Vth的影響機理》作者：吳千樹，何亮，張津偉，陳佳，黎城朗，張琦，丘秋凌，劉振興，周毓昊，吳志盛，賀志遠，劉揚單位：中山大學(xué)電子與信息工程學(xué)院，工業(yè)和信息化部電子第五研究所
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    limit2022-01-07 11:51
  • 劉婷：Suppression of
    Suppression of the Regrowth Interface Leakage Current in AlGaN/GaN HEMTs by Unactivated Mg Doped GaN Layer作者：劉婷, 渡邊浩崇 ,新田州吾,王嘉,于國浩,安藤裕二, 本田善央, 天野浩,田中墩之,小出康夫單位：名古屋大學(xué)未來材料系統(tǒng)研究所，名古屋大學(xué)電子學(xué)系，北京化工大學(xué)數(shù)理學(xué)院
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    limit2022-01-05 16:56
  • 化夢媛：常關(guān)型 GaN P
    《常關(guān)型 GaN PNJ-HEMT 柵極漏電機理及閾值電壓穩(wěn)定性》作者：化夢媛，李玲玲，王成財，姜作衡單位：南方科技大學(xué)
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    limit2022-01-05 16:54
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