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中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所研究員，科技部重點研發(fā)計劃專項項目負(fù)責(zé)人王軍喜分享《深紫外LED研發(fā)進(jìn)展及國家重點研發(fā)計劃深紫外項目》

來自中國科學(xué)院蘇州生物醫(yī)學(xué)工程技術(shù)研究所王天峰分享了《LED作為抗菌治療光源的實驗研究》主題報告。他于2015年畢業(yè)于中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)精密儀器系。2017年畢業(yè)于紐約州立大學(xué)布法羅分?！，F(xiàn)在是荷蘭代爾夫特理工大學(xué)的博士在讀，在蘇州醫(yī)工所學(xué)習(xí)工作。 他介紹，微生物感染是引起發(fā)病率和死亡率的最常見疾病之一。目前，主要的治療方法是使用抗生素藥物。但其副作用從發(fā)熱、惡心到主要過敏反應(yīng)都不容忽視。 此外，日益增長的抗微

報告簡介：基于深層瞬態(tài)光譜學(xué)的Al/Ti 4H-SiC肖特基結(jié)構(gòu)缺陷研究 Investigation of Defect Levels of Al/Ti 4H-SiC Schottky Structures byDeep Level Transient Spectroscopy何亞偉 中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所 HE Yawei Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences

中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所高級工程師宋昌斌分享了《水產(chǎn)養(yǎng)殖業(yè)LED光源選擇的建議》主題報告。他詳細(xì)闡述了LED光源對循環(huán)水養(yǎng)殖系統(tǒng)

2012年6月18日，中共中央政治局常委、國務(wù)院副總理李克強(qiáng)到中國科學(xué)院半導(dǎo)體所考察。了解半導(dǎo)體照明聯(lián)合創(chuàng)新國家重點實驗室產(chǎn)品研發(fā)和創(chuàng)新情況。

極智報告推薦：中科院電工所研究員溫旭輝分享的《半導(dǎo)體功率模塊在新能源汽車中應(yīng)用》主題報告。更多精彩報告，請點擊頁面頂端下載極智頭條APP，海量專業(yè)學(xué)術(shù)報告任性看！

中科院半導(dǎo)體研究所的研究員總工程師伊?xí)匝喾窒砹恕暗锛{米線可控生長與器件應(yīng)用展望”主題報告。 她表示，目前從芯片發(fā)展趨勢技術(shù)上來看，一個是性能的提升，可以用納米線的新的結(jié)構(gòu)形式去考慮，從器件的結(jié)構(gòu)上怎么樣提高性能。第二個芯片發(fā)展到這個階段，將來的天花板是顯示屏等等，我們面臨非常廣泛的應(yīng)用空間，從應(yīng)用的角度可以提出來對芯片的要求，我們可以根據(jù)應(yīng)用設(shè)計出來全新結(jié)構(gòu)的芯片結(jié)構(gòu)形式，現(xiàn)在提的比較多的農(nóng)業(yè)、可穿戴、定位和通訊、顯示，論壇上MicroLED顯示還是大家非常關(guān)注的，還有智能光源、智慧城市跟光電的集成

中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所副研究員楊華在介紹了照明與顯示技術(shù)的集成框架研究報告。他表示，技術(shù)、成本和應(yīng)用場景是照明與現(xiàn)實技術(shù)融合的關(guān)鍵因素。通過對光源技術(shù)發(fā)展的分析目前主要的照明技術(shù)與顯示技術(shù)的基本架構(gòu)、控制難度和成本組成。給出了照明與現(xiàn)實技術(shù)融合的技術(shù)與成本條件。同時對照明與現(xiàn)實技術(shù)融合的應(yīng)用場景進(jìn)行了分類分析。 　　照明和顯示的融合是隨著燈具技術(shù)適應(yīng)更多樣化的需求以及顯示控制技術(shù)成本的降低，使得產(chǎn)品既能提供一定顯示功能，同時也能夠提供照明功能技術(shù)趨勢，它主要涉及到的技術(shù)內(nèi)容可能包括廉價怎么降低成本

中科院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所研究員劉建平在做“鎵氮基藍(lán)光與綠光激光二極管的發(fā)展”報告時表示，對GaN基藍(lán)色和綠色的激光二極管（LD）的研究已經(jīng)引起人們的廣泛關(guān)注，在過去的幾年里，為了滿足激光顯示應(yīng)用的需求。我們提高了發(fā)光均勻性和減少基藍(lán)光LD結(jié)構(gòu)面自支撐GaN襯底上生長GaN的內(nèi)部損失。同質(zhì)外延GaN層的形貌是由邊角料取向和GaN襯底角度很大的影響。并且通過工程InGaN/GaN量子阱的界面，我們已經(jīng)實現(xiàn)了綠色激光器結(jié)構(gòu)1.85 kA cm-2低閾值電流密度。在室溫連續(xù)波作用下，綠光LD的輸出功率為

中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所固態(tài)照明研發(fā)中心張連分享“選擇區(qū)域生長AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)雙極晶體管的n-AlGaN發(fā)射器”研究報告。 張連表示，GaN基異質(zhì)結(jié)雙極晶體管（HBT）具有本征優(yōu)點，例如更高線性度，常關(guān)工作模式和更高的電流密度。然而，其發(fā)展進(jìn)度緩慢。一個主要問題是由低自由空穴濃度引起的基極層的低導(dǎo)電性，以及外部基極區(qū)域的等離子體干蝕刻損傷。雖然一些研究人員使用選擇性區(qū)域再生來減輕基層的損害，但工作后沒有顯著的進(jìn)步。最常見的因素之一是難以獲得高質(zhì)量的選擇性區(qū)域再生長基底層和發(fā)射極層。通過使用選擇

中國科學(xué)院微電子研究所研究員黃森分享“基于超薄壁壘AlGaN / GaN 異質(zhì)結(jié)構(gòu)的常關(guān)型GaN MIS-HEMTs制造”報告。 中國科學(xué)院微電子研究所研究員黃森表示，超薄勢壘（UTB）AlGaN / GaN異質(zhì)結(jié)用于制造常關(guān)斷型GaN基MIS-HEMT。通過低壓化學(xué)氣相沉積（LPCVD）生長的SiNx鈍化膜，有效地減少了超薄勢壘（UTB） Al0.22Ga0.78N（5nm）/ GaN異質(zhì)結(jié)構(gòu)中2維電子氣體（2DEG）的薄層電阻。制造的Al2O3 / AlGaN / GaN MIS-HEMT表現(xiàn)出

中國科學(xué)院蘇州生物醫(yī)學(xué)工程技術(shù)研究所光健康中心董建飛研究員也分享了具有復(fù)雜動態(tài)光伏窗遮陽控制的建筑物的采光模擬與分析報告。他表示，光伏（PV）遮陽系統(tǒng)將光伏材料與窗戶處理（百葉窗，百葉窗等）結(jié)合在一起，用于建筑環(huán)境中的能量平衡。光伏遮陽系統(tǒng)在發(fā)電，照明控制，眩光保護(hù)等方面對建筑物有利。為了從窗戶區(qū)域收獲最大的太陽能，在PV遮陽元件中應(yīng)用太陽能跟蹤，從而可以實時移動和動態(tài)采光，但是很難通過常規(guī)方法模擬這一操作。