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中國科學院半導體研究所研究員，科技部重點研發(fā)計劃專項項目負責人王軍喜分享《深紫外LED研發(fā)進展及國家重點研發(fā)計劃深紫外項目》

來自中國科學院蘇州生物醫(yī)學工程技術研究所王天峰分享了《LED作為抗菌治療光源的實驗研究》主題報告。他于2015年畢業(yè)于中國科學技術大學精密儀器系。2017年畢業(yè)于紐約州立大學布法羅分?！，F在是荷蘭代爾夫特理工大學的博士在讀，在蘇州醫(yī)工所學習工作。 他介紹，微生物感染是引起發(fā)病率和死亡率的最常見疾病之一。目前，主要的治療方法是使用抗生素藥物。但其副作用從發(fā)熱、惡心到主要過敏反應都不容忽視。 此外，日益增長的抗微

報告簡介：基于深層瞬態(tài)光譜學的Al/Ti 4H-SiC肖特基結構缺陷研究 Investigation of Defect Levels of Al/Ti 4H-SiC Schottky Structures byDeep Level Transient Spectroscopy何亞偉 中國科學院半導體研究所 HE Yawei Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences

中國科學院半導體研究所高級工程師宋昌斌分享了《水產養(yǎng)殖業(yè)LED光源選擇的建議》主題報告。他詳細闡述了LED光源對循環(huán)水養(yǎng)殖系統

2012年6月18日，中共中央政治局常委、國務院副總理李克強到中國科學院半導體所考察。了解半導體照明聯合創(chuàng)新國家重點實驗室產品研發(fā)和創(chuàng)新情況。

極智報告推薦：中科院電工所研究員溫旭輝分享的《半導體功率模塊在新能源汽車中應用》主題報告。更多精彩報告，請點擊頁面頂端下載極智頭條APP，海量專業(yè)學術報告任性看！

中科院半導體研究所的研究員總工程師伊曉燕分享了“氮化物納米線可控生長與器件應用展望”主題報告。 她表示，目前從芯片發(fā)展趨勢技術上來看，一個是性能的提升，可以用納米線的新的結構形式去考慮，從器件的結構上怎么樣提高性能。第二個芯片發(fā)展到這個階段，將來的天花板是顯示屏等等，我們面臨非常廣泛的應用空間，從應用的角度可以提出來對芯片的要求，我們可以根據應用設計出來全新結構的芯片結構形式，現在提的比較多的農業(yè)、可穿戴、定位和通訊、顯示，論壇上MicroLED顯示還是大家非常關注的，還有智能光源、智慧城市跟光電的集成

中國科學院半導體研究所副研究員楊華在介紹了照明與顯示技術的集成框架研究報告。他表示，技術、成本和應用場景是照明與現實技術融合的關鍵因素。通過對光源技術發(fā)展的分析目前主要的照明技術與顯示技術的基本架構、控制難度和成本組成。給出了照明與現實技術融合的技術與成本條件。同時對照明與現實技術融合的應用場景進行了分類分析。 　　照明和顯示的融合是隨著燈具技術適應更多樣化的需求以及顯示控制技術成本的降低，使得產品既能提供一定顯示功能，同時也能夠提供照明功能技術趨勢，它主要涉及到的技術內容可能包括廉價怎么降低成本

中科院蘇州納米技術與納米仿生研究所研究員劉建平在做“鎵氮基藍光與綠光激光二極管的發(fā)展”報告時表示，對GaN基藍色和綠色的激光二極管（LD）的研究已經引起人們的廣泛關注，在過去的幾年里，為了滿足激光顯示應用的需求。我們提高了發(fā)光均勻性和減少基藍光LD結構面自支撐GaN襯底上生長GaN的內部損失。同質外延GaN層的形貌是由邊角料取向和GaN襯底角度很大的影響。并且通過工程InGaN/GaN量子阱的界面，我們已經實現了綠色激光器結構1.85 kA cm-2低閾值電流密度。在室溫連續(xù)波作用下，綠光LD的輸出功率為

中國科學院半導體研究所固態(tài)照明研發(fā)中心張連分享“選擇區(qū)域生長AlGaN/GaN異質結雙極晶體管的n-AlGaN發(fā)射器”研究報告。 張連表示，GaN基異質結雙極晶體管（HBT）具有本征優(yōu)點，例如更高線性度，常關工作模式和更高的電流密度。然而，其發(fā)展進度緩慢。一個主要問題是由低自由空穴濃度引起的基極層的低導電性，以及外部基極區(qū)域的等離子體干蝕刻損傷。雖然一些研究人員使用選擇性區(qū)域再生來減輕基層的損害，但工作后沒有顯著的進步。最常見的因素之一是難以獲得高質量的選擇性區(qū)域再生長基底層和發(fā)射極層。通過使用選擇

中國科學院微電子研究所研究員黃森分享“基于超薄壁壘AlGaN / GaN 異質結構的常關型GaN MIS-HEMTs制造”報告。 中國科學院微電子研究所研究員黃森表示，超薄勢壘（UTB）AlGaN / GaN異質結用于制造常關斷型GaN基MIS-HEMT。通過低壓化學氣相沉積（LPCVD）生長的SiNx鈍化膜，有效地減少了超薄勢壘（UTB） Al0.22Ga0.78N（5nm）/ GaN異質結構中2維電子氣體（2DEG）的薄層電阻。制造的Al2O3 / AlGaN / GaN MIS-HEMT表現出

中國科學院蘇州生物醫(yī)學工程技術研究所光健康中心董建飛研究員也分享了具有復雜動態(tài)光伏窗遮陽控制的建筑物的采光模擬與分析報告。他表示，光伏（PV）遮陽系統將光伏材料與窗戶處理（百葉窗，百葉窗等）結合在一起，用于建筑環(huán)境中的能量平衡。光伏遮陽系統在發(fā)電，照明控制，眩光保護等方面對建筑物有利。為了從窗戶區(qū)域收獲最大的太陽能，在PV遮陽元件中應用太陽能跟蹤，從而可以實時移動和動態(tài)采光，但是很難通過常規(guī)方法模擬這一操作。