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先進(jìn)封裝大板扇出研發(fā)及功率器件封裝應(yīng)用The Research on Panel Level Fan Out Package and its Application on Power Electronics林挺宇廣東佛智芯微電子技術(shù)研究有限公司副總經(jīng)理，廣東省半導(dǎo)體智能裝備與系統(tǒng)集成創(chuàng)新中心首席科學(xué)家Tingyu LINDeputy General Manager of Guangdong FZX Microelectronics Technology Co. Ltd, Principal Scientist of CNC Equipment Cooperative Innovation Institute

SiC功率器件制造工藝特點(diǎn)與核心裝備創(chuàng)新進(jìn)展Manufacturing process characteristics and key equipment development of SiC power devices鞏小亮中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第四十八研究所 半導(dǎo)體裝備研究部副主任GONGXiaoliang Deputy director of Semiconductor equipment research department, the 48th Research Institute of China Electronics Technology Group Corporation

《GaN基肖特基功率器件研究新進(jìn)展》作者：陳鵬單位：南京大學(xué)電子科學(xué)與工程學(xué)院

《具有高可靠感生能量泄放能力的AlGaN/GaN基功率器件研制》作者：徐尉宗，周峰，任芳芳，陳敦軍，張榮，鄭有炓，陸海單位：南京大學(xué)電子科學(xué)與工程學(xué)院

《氧化鎵基雙極型異質(zhì)結(jié)功率器件研究》作者：葉建東，鞏賀賀，周峰，郁鑫鑫，徐尉宗，任芳芳，顧書(shū)林，陸海，張榮，鄭有炓單位：南京大學(xué)電子科學(xué)與工程學(xué)院

美國(guó)國(guó)家工程院院士、美國(guó)加利福尼亞大學(xué)杰出教授、Transphorm 的聯(lián)合創(chuàng)始人Umesh K. MISHRA的高足吳毅鋒博士，分享了功率器件之爭(zhēng)：寬禁帶vs硅的發(fā)展動(dòng)態(tài)。 吳毅鋒表示寬禁帶技術(shù)對(duì)于電力、能源節(jié)約具有非常重要的意義。我們需要繼續(xù)發(fā)展功率元件，該領(lǐng)域的市場(chǎng)潛力非常大，對(duì)于功率器件而言，可靠性至關(guān)重要。結(jié)合目前的發(fā)展情況，對(duì)于硅、碳化硅和硅基氮化鎵來(lái)說(shuō)，硅基氮化鎵能力性可能更強(qiáng)。硅是目前功率元件中最成功的，已經(jīng)

美國(guó)倫斯勒理工學(xué)院的周達(dá)成教授分享了《碳化硅功率器件的性能、可靠性和穩(wěn)健性》；

蘇州能訊高能半導(dǎo)體有限公司李元分享了《以系統(tǒng)方法實(shí)現(xiàn)氮化鎵射頻功率器件的高可靠性：我們的成就及新進(jìn)展》主題報(bào)告。氮化鎵射頻功率器件因其優(yōu)良的性能而在基礎(chǔ)工業(yè)領(lǐng)域（如5G通訊基站）具有廣泛的應(yīng)用前景?；A(chǔ)工業(yè)應(yīng)用要求的超長(zhǎng)連續(xù)工作壽命及可能的外部惡劣工作環(huán)境，對(duì)器件的可靠性提出了更高的要求。能訊高能半導(dǎo)體通過(guò)一個(gè)系統(tǒng)工程，從產(chǎn)品設(shè)計(jì)，工藝開(kāi)發(fā)，器件生產(chǎn)，到最終篩選測(cè)試，每一個(gè)環(huán)節(jié)都按嚴(yán)格的程序進(jìn)行，確

英諾賽科研發(fā)中心副總裁David C. ZHOU分享了《200mm 40V-650V E型硅基氮化鎵材料功率器件技術(shù)：從器件、封裝、到系統(tǒng)》研究報(bào)告

日本德島大學(xué)教授、西安電子科技大學(xué)特聘教授敖金平分享了《常關(guān)型AlGaN/GaN HFET功率器件的發(fā)展》技術(shù)報(bào)告。敖金平博士1989年畢

2018年10月23日下午，第十五屆中國(guó)國(guó)際半導(dǎo)體照明論壇（SSLCHINA 2018）暨2018國(guó)際第三代半導(dǎo)體論壇（IFWS 2018）開(kāi)幕大會(huì)在深圳會(huì)展中心隆重召開(kāi)。大會(huì)以創(chuàng)芯聚智 共享生態(tài)為主題，吸引了來(lái)自海內(nèi)外半導(dǎo)體照明，第三代半導(dǎo)體及相關(guān)領(lǐng)域的專(zhuān)家學(xué)者、企業(yè)領(lǐng)袖、行業(yè)機(jī)構(gòu)領(lǐng)導(dǎo)以及相關(guān)政府官員的積極參與，共同論道產(chǎn)業(yè)發(fā)展。 本屆論壇由國(guó)家半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟（CSA）、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）、深圳市

極智報(bào)告|株洲中車(chē)時(shí)代電動(dòng)汽車(chē)股份有限公司副總經(jīng)理劉國(guó)友：新能源汽車(chē)用功率器件解決方案報(bào)告。更多專(zhuān)業(yè)學(xué)術(shù)報(bào)告，請(qǐng)點(diǎn)擊頁(yè)面頂端下載極智頭條APP，海量報(bào)告，免費(fèi)看！

今天極智課堂邀請(qǐng)到中國(guó)電子科技集團(tuán)第五十五研究所李士顏博士，分享《從特斯拉用碳化硅代替IGBT說(shuō)起——碳化硅功率器件之新能源汽車(chē)應(yīng)用及展望》主題報(bào)告

日本Novel Crystal Technology公司總裁Akito KURAMATA做了用于功率器件的β-Ga2O3晶體塊體和外延生長(zhǎng)的報(bào)告，分享了其最新研究成果。

泰科天潤(rùn)半導(dǎo)體科技（北京）有限公司（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“泰科天潤(rùn)”）是中國(guó)碳化硅（SiC）功率器件產(chǎn)業(yè)化的倡導(dǎo)者之一，致力于中國(guó)半導(dǎo)體功率器件制造產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，并向全球功率器件消費(fèi)者提供優(yōu)質(zhì)的半導(dǎo)體功率器件產(chǎn)品和專(zhuān)業(yè)服務(wù)。 作為國(guó)內(nèi)唯一一家碳化硅研發(fā)生產(chǎn)和平臺(tái)服務(wù)型公司，泰科天潤(rùn)目前在北京已建成國(guó)內(nèi)第一條完整的4～6寸碳化硅器件量產(chǎn)線，可在SiC外延上實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體功率器件的制造工藝。 泰科天潤(rùn)的產(chǎn)品線涉及基礎(chǔ)核心技術(shù)產(chǎn)品、碳化硅成型產(chǎn)品以及多套行業(yè)解決方案。公司基礎(chǔ)核心產(chǎn)品以碳化硅肖特基二極管為代表，其中6

美國(guó)Wolfspeed 電力設(shè)備研究科學(xué)家Jon ZHANG教授帶來(lái)“碳化硅功率器件的現(xiàn)狀與展望”主題報(bào)告。Jon ZHANG教授表示，功率半導(dǎo)體器件是電力電子系統(tǒng)的重要組成部分，其決定了能量調(diào)節(jié)系統(tǒng)的效率、尺寸和成本。功率器件的進(jìn)步革新了電力電子系統(tǒng)。針對(duì)不同的應(yīng)用，如今的商業(yè)市場(chǎng)提供了廣泛的電子器件。在所有類(lèi)型的電力器件中，IGBTs和FRDs是目前是分立器件和功率模塊中最常用的組件。盡管有這些優(yōu)勢(shì)，Si 功率器件正在接近他們的性能極限。