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  • 亞格盛電子副總經(jīng)理俞
    半導(dǎo)體行業(yè)對高純電子化學(xué)品質(zhì)量管理的高要求High requirements for the quality management of high-purity electronic chemicals in Semiconductor俞冬雷安徽亞格盛電子新材料有限公司副總經(jīng)理YU DongleiVice General Manager of Anhui Argosun?New Electronic Materials Co., Ltd
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    guansheng2023-05-19 08:37
  • 中國科學(xué)院半導(dǎo)體所研
    平片藍(lán)寶石襯底上高質(zhì)量AlN材料MOCVD外延生長High quality AlN growth on flat sapphire at relative low temperature by MOCVD趙德剛中國科學(xué)院半導(dǎo)體所研究員ZHAO DegangProfesor of Institute of Semiconductors, CAS
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    guansheng2023-05-18 16:19
  • 吳玲理事長：化合物半
    在開幕式上，第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟理事長吳玲作了題為《化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展戰(zhàn)略思考》的主旨演講，就產(chǎn)業(yè)發(fā)展目前的形勢，存在的問題，面臨的挑戰(zhàn)等方面的問題分享了觀點(diǎn)看法。
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    guansheng2023-04-21 14:35
  • 中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究
    當(dāng)前，人們對于綠色、環(huán)保、安全的重視度在不斷的提高，隨著全球化加速發(fā)展，公共衛(wèi)生風(fēng)險(xiǎn)對人口流動和經(jīng)濟(jì)活動造成前所未有的限制，防范和化解重大疫情和突發(fā)公共衛(wèi)生風(fēng)險(xiǎn)的重要性不言而喻?；诘谌雽?dǎo)體氮化鎵材料的紫外LED光源具有節(jié)能環(huán)保、壽命長、開啟速度快、輻射強(qiáng)度可控、光譜可定制等優(yōu)勢，成為維護(hù)公共衛(wèi)生安全的重要力量。紫外LED是半導(dǎo)體光電產(chǎn)業(yè)發(fā)展的新藍(lán)海，雙碳戰(zhàn)略也給包括紫外LED產(chǎn)業(yè)在內(nèi)的綠色環(huán)保節(jié)能產(chǎn)
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    guansheng2022-09-10 15:45
  • 廈門大學(xué)張榮 教授:氮
    第三代半導(dǎo)體材料在不同領(lǐng)域的應(yīng)用非常廣泛，其中，LED可以說是其第一個(gè)較成熟的應(yīng)用突破口，伴隨著元宇宙等新時(shí)代的展開，Micro-LED顯示應(yīng)用又迎來了一波新的發(fā)展機(jī)遇，作為應(yīng)用的支撐，技術(shù)的發(fā)展水平非常重要。張榮教授分享了其帶領(lǐng)的團(tuán)隊(duì)在氮化物半導(dǎo)體基顯示技術(shù)方面的最新研究及成果。報(bào)告結(jié)合Micro-LED的優(yōu)勢與挑戰(zhàn)，從外延結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)、芯片制備、全彩化方案、系統(tǒng)集成、納米LED等方面詳細(xì)分享了團(tuán)隊(duì)最新的多個(gè)研究發(fā)現(xiàn)和研究
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    guansheng2022-09-10 15:43
  • 中國科學(xué)院北京納米能
    寬禁帶材料具有非中心對稱的晶體結(jié)構(gòu)，因而表現(xiàn)出顯著的壓電特性，長期以來這些材料中壓電極化電荷和半導(dǎo)體特性的耦合過程被忽略。近年來對于壓電電子學(xué)和壓電光電子學(xué)的基礎(chǔ)及應(yīng)用研究取得了快速地發(fā)展。多種功能材料中的壓電電子學(xué)和壓電光電子學(xué)的基本效應(yīng)得到了系統(tǒng)深入地研究，相關(guān)的理論體系得以建立，諸多壓電電子學(xué)和壓電光電子學(xué)器件也被設(shè)計(jì)研發(fā)。會上，王中林院士帶來了壓電學(xué)理論與研究成果的分享，報(bào)告結(jié)合具體的數(shù)據(jù)
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    guansheng2022-09-10 15:42
  • 西安電子科技大學(xué)郝躍
    中國科學(xué)院院士、西安電子科技大學(xué)郝躍教授帶來了超寬禁帶半導(dǎo)體器件與材料的若干新進(jìn)展 的主題報(bào)告；中科院外籍院士、中國科學(xué)院北京納米能源與系統(tǒng)研究所王中林院士帶來了第三代半導(dǎo)體中的壓電電子學(xué)與壓電光電子學(xué)的主題報(bào)告；廈門大學(xué)校長張榮教授介紹了氮化物半導(dǎo)體基 Micro-LED顯示技術(shù)新進(jìn)展；大會主席、中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所李晉閩研究員帶來了氮化物深紫外LED光源助力公共衛(wèi)生安全 的主題報(bào)告。幾大精彩主題報(bào)告，從技
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    guansheng2022-09-10 15:38
  • 山東大學(xué)徐現(xiàn)剛教授：
    半導(dǎo)體激光器的理論和實(shí)踐都取得巨大成果。近年來,GaAs基大功率半導(dǎo)體激光器憑其優(yōu)勢，在眾多領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用。但是GaAs基大功率半導(dǎo)體激光器仍面臨著功率不足、發(fā)熱量大及光束質(zhì)量差的問題。光電性能差是限制其應(yīng)用的關(guān)鍵問題，如何進(jìn)一步提高激光器的光電性能是半導(dǎo)體激光器面臨的挑戰(zhàn)。朱振博士在報(bào)告中，詳細(xì)分享了GaAs半導(dǎo)體激光器關(guān)鍵技術(shù)及最新研究進(jìn)展，報(bào)告指出基于GaAs襯底的6x x（635-690），8 x x（780-880），9 x x
    218100
    guansheng2022-09-09 15:50
  • 北京大學(xué)沈波教授：氮
    以氮化鎵、氮化鋁為代表的Ⅲ族氮化物寬禁帶半導(dǎo)體是研制短波長光電子器件和高頻、高功率電子器件的核心材料體系。由于缺少高質(zhì)量、低成本的同質(zhì)GaN和AlN襯底，氮化物半導(dǎo)體主要通過異質(zhì)外延，特別是大失配異質(zhì)外延來制備。由此導(dǎo)致的高缺陷密度、殘余應(yīng)力成為當(dāng)前深紫外發(fā)光器件、功率電子器件等氮化物半導(dǎo)體器件發(fā)展的主要瓶頸，影響了材料和器件性能的提升。沈波教授在報(bào)告中，結(jié)合氮化物半導(dǎo)體面臨的大失配外延生長問題、詳細(xì)分
    180700
    guansheng2022-09-09 15:47
  • 圓桌對話：碳化硅、氮
    主題對話環(huán)節(jié)，北京大學(xué)沈波教授主持下，中科院半導(dǎo)體所研究員趙德剛，中微半導(dǎo)體公司副總裁兼MOCVD產(chǎn)品事業(yè)部總經(jīng)理郭世平，清華大學(xué)長聘副教授汪萊，中科院蘇州納米所研究員孫錢，南京大學(xué)教授陳鵬，中科院長春光機(jī)所研究員孫曉娟，南京大學(xué)教授陸海，江南大學(xué)教授敖金平，中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)微電子學(xué)院執(zhí)行院長、教授龍世兵，浙江大學(xué)研究員、電力電子技術(shù)研究所副所長楊樹，中科院微電子研究所研究員黃森等學(xué)界、業(yè)界中青代骨干
    124000
    guansheng2022-09-08 15:57
  • 中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)龍世
    氧化鎵半導(dǎo)體器件龍世兵*，徐光偉，趙曉龍，侯小虎中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)
    87000
    guansheng2022-09-02 15:59
  • 中科院合肥物質(zhì)科學(xué)研
    一種基于寬禁帶半導(dǎo)體材料的微孔陣列同位素電池張佳辰，韓運(yùn)成*，王曉彧，何厚軍，任雷，李桃生中國科學(xué)院合肥物質(zhì)科學(xué)研究院中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)湖北科技學(xué)院
    54300
    guansheng2022-09-01 16:11
  • 中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究
    銻化物超晶格紅外探測器的MOCVD生長技術(shù)研究吳東海中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所
    54400
    guansheng2022-09-01 12:15
  • 華中科技大學(xué)吳峰:基
    基于寬禁帶半導(dǎo)體的深紫外發(fā)光與探測器件研究吳峰*，戴江南，陳長清華中科技大學(xué)
    62100
    guansheng2022-09-01 12:13
  • 中科院長春光機(jī)所劉可
    寬禁帶氧化物半導(dǎo)體日盲紫外探測器及其在大氣臭氧檢測中的應(yīng)用研究劉可為*，陳星，楊佳霖，韓冬陽，侯其超，申德振中國科學(xué)院長春光學(xué)精密機(jī)械與物理研究所
    54600
    guansheng2022-09-01 12:06
  • 南京大學(xué)陸海:寬禁帶
    寬禁帶半導(dǎo)體紫外、極紫外及軟x射線探測器陸海*，張榮，鄭有炓南京大學(xué)
    54700
    guansheng2022-09-01 11:37
  • 江蘇第三代半導(dǎo)體研究
    GaN基Micro-LED同質(zhì)外延及其性能表征王國斌*，閆其昂，周溯沅，李增林，蘇旭軍，劉宗亮，王建峰，徐科江蘇第三代半導(dǎo)體研究院有限公司中國科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所蘇州納維科技有限公司
    55000
    guansheng2022-09-01 11:36
  • 中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究
    用于片上通信的日盲波段光電集成芯片何瑞，魏同波*，王軍喜，李晉閩中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所
    64500
    guansheng2022-09-01 11:35
  • 愛思強(qiáng)方子文：促進(jìn)寬
    促進(jìn)寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)化的關(guān)鍵外延技術(shù)The key epitaxial technology to promote the industrialization of wide bandgap semiconductors方子文德國愛思強(qiáng)股份有限公司中國區(qū)副總經(jīng)理FANG ZiwenDeputy General Manage，China AIXTRON SE
    59400
    limit2022-05-01 17:25
  • 啟迪半導(dǎo)體研發(fā)總監(jiān)鈕
    第三代半導(dǎo)體碳化硅器件產(chǎn)業(yè)化關(guān)鍵技術(shù)及發(fā)展進(jìn)展The key technology and development progress of the Wide Band-gap semiconductor silicon carbide device industrialization鈕應(yīng)喜蕪湖啟迪半導(dǎo)體有限公司研發(fā)總監(jiān)NIU YingxiRD Director of Wuhu Advanced Semiconductor Manufacturing Co.,ltd
    74300
    limit2022-05-01 17:19
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