亚洲日韩久久|国偷自产一区二区三区蜜臀国|国产一区二区日韩|99热这里只亚洲无码,无码

功率HEMT的p-GaN柵極可靠性及其加固方法GaN Gate Reliability and Its Reinforcement Techniques in Power HEMTs鐘耀宗中國科學院蘇州納米技術與納米仿生研究所助理研究員ZHONG YaozongAssistant Professor of Suzhou Institute of Nano-Tech and Nano-Bionics, Chinese Academy of Sciences

1200V SiC MOSFET抗輻射可靠性研究Investigation of 1200V SiC MOSFET Radiation Ruggedness任娜浙江大學特聘研究員REN NaProfessor of Zhejiang University

用于高效能量轉換應用的GaN HEMT的深能級效應和可靠性Deep level effects and reliability of GaN HEMTs for high efficiency energy conversion applicationsEnrico Zanoni意大利帕多瓦大學信息工程系教授Enrico ZanoniProfessor of Dipartimento di Ingegneria dellInformazioneUniversit di Padova

從應用端看GaN功率電子器件面臨的關鍵可靠性難題及器件性能提升方案周峰，徐尉宗，任芳芳，陳敦軍，張榮，鄭有炓，陸海*南京大學

SiC 功率MOSFET器件的可靠性研究Development trends and challenges of SiC Power MOSFET device 張藝蒙西安電子科技大學微電子學院教授Yimeng Zhang Professor of School of Microelectronics, Xidian University

UV反應器設計和運行可靠性保障UV Reactor Design and Operation Reliability Guarantee李夢凱--中國科學院生態(tài)環(huán)境研究中心副研究員LI Mengkai--Associate Professor of Ecological Environment Research Center, CAS

《面向復雜電氣應用環(huán)境的高可靠性GaN功率電子器件研究》作者：陸海，張榮，鄭有炓單位：南京大學電子科學與工程學院

美國倫斯勒理工學院的周達成教授分享了《碳化硅功率器件的性能、可靠性和穩(wěn)健性》；

蘇州能訊高能半導體有限公司李元分享了《以系統(tǒng)方法實現(xiàn)氮化鎵射頻功率器件的高可靠性：我們的成就及新進展》主題報告。氮化鎵射頻功率器件因其優(yōu)良的性能而在基礎工業(yè)領域（如5G通訊基站）具有廣泛的應用前景?；A工業(yè)應用要求的超長連續(xù)工作壽命及可能的外部惡劣工作環(huán)境，對器件的可靠性提出了更高的要求。能訊高能半導體通過一個系統(tǒng)工程，從產品設計，工藝開發(fā)，器件生產，到最終篩選測試，每一個環(huán)節(jié)都按嚴格的程序進行，確

常州星宇車燈股份有限公司工程師李茹分享了熱界面材料的特性及其對LED車燈散熱和可靠性影響的研究成果，結合具體的研究實踐，她

封裝可靠性的評估是非常重要的環(huán)節(jié)，會上香港科技大學陶勉做了題為用于封裝可靠性評估的熱機測試芯片的設計與制備的報告。

廣州市鴻利秉一光電科技有限公司總經理吳乾分享《LED紫外固化光源及模組可靠性研究》

西南交通大學副教授馬紅波分享《高效率、高可靠性多溝道HB-LED驅動電源關鍵技術》報告

隨著固體照明技術的發(fā)展，可見光通信（VLC）近年來受到了廣泛的關注。中國科學院半導體研究所馬占紅做了題為適用于可見光通信高帶寬微發(fā)光二極管的可靠性分析的報告，分享了制備帶寬高達1GHz的氮化鎵基微LED的研究，并研究了其在15kA/cm2 1kHz交流電應力下的可靠性。與傳統(tǒng)的射頻無線通信相比，VLC具有保密性高，無電磁干擾和無頻譜限制等優(yōu)點。它也被認為是未來無線通信的潛在接入選擇。近年來，微發(fā)光二極管（Micro-LED）已經可

北京工業(yè)大學教授郭偉玲帶來了高壓LED及其可靠性研究的報告，介紹了當前高壓LED及其可靠性的最新研究成果。

極智報告|日本大阪大學高悅：銅顆粒燒結貼片連接SiC-MOSFET的長期可靠性研究進展 更多精彩報告，敬請點擊頁面頂端下載極智頭條APP。

極智報告|華中科技大學張偉：一種新的AlGaN基深紫外LED光提取效率和可靠性的新方法

中國電子科技集團公司第十三研究所研究員馮志紅介紹了關于解決InAlN/GaN異質結場效應晶體管（HFETs）應用的漏電大和可靠性差的瓶頸問題方法的研究成果。馮志紅研究員現(xiàn)任中國電子科技集團公司首席專家，國際電工技術標準委員會專家，研究方向為太赫茲固態(tài)電子器件、先進半導體材料與器件。 其中，馮志紅表示，氮化鎵與氮化鋁是非常好的搭配，會帶來比較高的功率，相比其他一些結構更加優(yōu)化，也有很多應用。人們希望可以將氮化鎵應用到5G等領域，希望增加輸出功率。結合具體的建模分析，馮志紅表示，降低延遲，為了獲得信號而降低

該視頻為：中國科學院半導體研究所研究員、中國科學院大學崗位教授趙麗霞，主講的《Reliability and Failure Analysis for GaN-based LEDs》學術報告。

周達成授表示，在過去十年中，基于兩個寬禁帶（WBG）半導體（GaN和SiC）的功率開關器件正在影響功率電子系統(tǒng)，這是由于其良好的工業(yè)效用和改善的性能，且比傳統(tǒng)的硅基器件的功率損耗低和能量效率高。他表示，通過模擬和實驗應力（如電流崩塌和高溫反偏），評估了現(xiàn)有......請在WIFI條件下反復觀看！