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科銳中國(guó)市場(chǎng)推廣部總監(jiān)林鐵先生分享了“大功率LED和COB器件技術(shù)發(fā)展”報(bào)告。 科銳作為全球大功率的整個(gè)國(guó)際上的領(lǐng)先者，其技術(shù)和產(chǎn)品研發(fā)一直都是業(yè)界關(guān)注的焦點(diǎn)。會(huì)上，林鐵總監(jiān)表示，大功率LED和COB器件在高端照明市場(chǎng)具備競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)。隨著國(guó)家相關(guān)政策和產(chǎn)業(yè)發(fā)展趨勢(shì)，大功率LED器件技術(shù)也在不斷變革、細(xì)化、發(fā)展。器件的光效 、光輸出、光學(xué)均勻性、性能都在不斷提升。超大功率LED器件帶來更高流明輸出和光效。 科銳在LED器件領(lǐng)域又有重大突破，推出革新性的NX技術(shù)平臺(tái)。該平臺(tái)將為新一代照明級(jí)LED的創(chuàng)新發(fā)展，

日本Novel Crystal Technology公司總裁Akito KURAMATA做了用于功率器件的β-Ga2O3晶體塊體和外延生長(zhǎng)的報(bào)告，分享了其最新研究成果。

蘇州大學(xué)功能納米與軟物質(zhì)研究院教授馮敏強(qiáng)在“高效白光OLED材料及器件工程”。主要介紹什么做白光OLED及應(yīng)用，并從材料、合成器件的研究，把OLED的效率提高。

瑞典查爾姆斯理工大學(xué)副教授Jie SUN帶來了關(guān)于GaN光電器件CVD石墨烯透明電極研究進(jìn)展，讓與會(huì)代表拍手稱贊！ 石墨烯傳統(tǒng)上是通過石墨機(jī)械剝落制備的，且大面積單層石墨烯的制備很有挑戰(zhàn)性。為此，化學(xué)氣相沉積（CVD）在過渡金屬上石墨烯最近被發(fā)展。自2009年以來，在Chalmers我們已經(jīng)在金屬箔（Cu，Pt，Ta等）上生長(zhǎng)了單層石墨烯，在硅襯底上蒸鍍了金屬薄膜.9-9 CH4或C2H2作為反應(yīng)物，石墨烯通過商業(yè)直冷式Aixtron系統(tǒng)生長(zhǎng)。通過濕化學(xué)法蝕刻銅或更環(huán)保的電化學(xué)氣泡分層，石墨烯可以轉(zhuǎn)移到

南京電子器件研究所高級(jí)工程師吳少兵做了W波段AlGaN/GaN MMIC 功率放大器的報(bào)告。圍繞高輸出功率的W波段AlGaN/GaN MMIC 功率放大器，吳少兵詳細(xì)介紹了器件技術(shù)與制造工藝 、MMIC設(shè)計(jì)、MMIC的表征等內(nèi)容，介紹了一種采用Lange橋耦合及微帶匹配的平衡式4級(jí)功率放大器。器件采用電子束直寫工藝在高Al含量的AlGaN/GaN HEMT外延結(jié)構(gòu)上制備了柵長(zhǎng)100nm的“T”型柵結(jié)構(gòu)以及最新成果。 吳少兵一直從事固態(tài)微波毫米波器件的研發(fā)工作。作為項(xiàng)目負(fù)責(zé)人，主持開發(fā)了基于0.1um G

英諾賽科（珠海）科技有限公司副總經(jīng)理金源俊介紹“200mm CMOS晶圓廠無分散增強(qiáng)型650V GaN-on-Si HEMTs 器件工藝”報(bào)告。 由于缺乏低成本GaN體襯底，GaN被外延生長(zhǎng)在各種基底上，最常見的是藍(lán)寶石，碳化硅（SiC）和硅。雖然晶格常數(shù)和熱膨脹系數(shù)（CTE）的失配使外延GaN很困難，特別是對(duì)于較大的Si襯底尺寸，但是對(duì)GaN生長(zhǎng)Si襯底變得有吸引力，這是因?yàn)镾i的晶圓直徑大（200mm及更高）。為了替代商業(yè)的Si功率器件，GaN器件應(yīng)當(dāng)設(shè)計(jì)為增強(qiáng)型（e-mode），并通過低成本，

所有的技術(shù)都有一個(gè)發(fā)展過程，尤其對(duì)于電網(wǎng)來說，它要求的高電壓大電流，它的可靠性要求三十年甚至四十年。國(guó)家電網(wǎng)全球能源互聯(lián)網(wǎng)研究院功率半導(dǎo)體研究所副總工程師楊霏介紹了碳化硅材料和電力器件在電網(wǎng)當(dāng)中的應(yīng)用。其中對(duì)電網(wǎng)整體對(duì)材料的要求，材料部分的需求和裝備的國(guó)內(nèi)國(guó)際進(jìn)展進(jìn)行了細(xì)致介紹。他表示，預(yù)期到2025年左右，十千伏十安的全控型的模塊應(yīng)當(dāng)是可以達(dá)到應(yīng)用水平，這樣的話就是直流輸電的話，靈活直流輸電可能要突破五百千伏到八百千伏的水平，到2050年碳化硅三十千伏五千的應(yīng)該可以達(dá)到應(yīng)用水平，這樣來說對(duì)電網(wǎng)的預(yù)期是整

德國(guó)愛思強(qiáng)股份有限公司電力電子器件副總裁Frank WISCHMEYER先生分享了，就高生產(chǎn)率的碳化硅同質(zhì)外延的程序在大容量生產(chǎn)反應(yīng)器當(dāng)中的表現(xiàn)主題報(bào)告。他表示，用于高產(chǎn)量生產(chǎn)的高增長(zhǎng)率SiC同質(zhì)外延工藝生長(zhǎng)的大容量生產(chǎn)反應(yīng)器，它是在于每小時(shí)二十五微米，更好地，更快速地長(zhǎng)外延材料，那么也是在生產(chǎn)領(lǐng)域?qū)τ谏a(chǎn)廠家來說是一個(gè)好事，那么同時(shí)它這個(gè)結(jié)果在之間出的效果，尤其是在一千二百伏元器件體現(xiàn)出來。預(yù)計(jì)2018年這種全面的自動(dòng)化技術(shù)的使用，會(huì)使得我們整個(gè)產(chǎn)業(yè)會(huì)有大量的一個(gè)客戶量的增長(zhǎng)。

南京電子器件研究所黃潤(rùn)華博士分享了1.2kV 4H-SiC DMOSFET的設(shè)計(jì)與制造關(guān)鍵點(diǎn)。他表示，未來的工作主要還是針對(duì)一千兩百伏到一千七百伏的企業(yè)，要實(shí)現(xiàn)一個(gè)產(chǎn)品化，目前提供可生產(chǎn)性基本滿足產(chǎn)品要求，未來就是為了降低電阻，提升我們的可靠性，還要進(jìn)行下一步的研究。再下一步要開發(fā)三千三百伏到一萬伏，爭(zhēng)取到五千伏的時(shí)候推出一些產(chǎn)品。

泰科天潤(rùn)半導(dǎo)體科技（北京）有限公司（以下簡(jiǎn)稱“泰科天潤(rùn)”）是中國(guó)碳化硅（SiC）功率器件產(chǎn)業(yè)化的倡導(dǎo)者之一，致力于中國(guó)半導(dǎo)體功率器件制造產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，并向全球功率器件消費(fèi)者提供優(yōu)質(zhì)的半導(dǎo)體功率器件產(chǎn)品和專業(yè)服務(wù)。 作為國(guó)內(nèi)唯一一家碳化硅研發(fā)生產(chǎn)和平臺(tái)服務(wù)型公司，泰科天潤(rùn)目前在北京已建成國(guó)內(nèi)第一條完整的4～6寸碳化硅器件量產(chǎn)線，可在SiC外延上實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體功率器件的制造工藝。 泰科天潤(rùn)的產(chǎn)品線涉及基礎(chǔ)核心技術(shù)產(chǎn)品、碳化硅成型產(chǎn)品以及多套行業(yè)解決方案。公司基礎(chǔ)核心產(chǎn)品以碳化硅肖特基二極管為代表，其中6

韓國(guó)嶺南大學(xué)教授Ja-soon JANG 介紹了GaN基發(fā)光二極管器件可靠性特性分析方法技術(shù)報(bào)告。他表示，發(fā)光二極管（LED）技術(shù)已經(jīng)迅速發(fā)展以滿足LED應(yīng)用領(lǐng)域的各種需求，如汽車照明，手術(shù)照明和IT可控智能照明。 隨著LED的重要性越來越大，可靠性問題越來越重要。 他分享了最近的可靠性問題，并考慮到可以解決可靠性問題的可行方法。為此，我們從遺傳個(gè)體和外部誘導(dǎo)的退化因素、復(fù)雜因素和觸發(fā)因子等方面進(jìn)行研究，新提出了影響LED可靠性行為的邊界條件（芯片和封裝之間）以及影響因素，以確保LED的哪些部分易受

美國(guó)Wolfspeed 電力設(shè)備研究科學(xué)家Jon ZHANG教授帶來“碳化硅功率器件的現(xiàn)狀與展望”主題報(bào)告。Jon ZHANG教授表示，功率半導(dǎo)體器件是電力電子系統(tǒng)的重要組成部分，其決定了能量調(diào)節(jié)系統(tǒng)的效率、尺寸和成本。功率器件的進(jìn)步革新了電力電子系統(tǒng)。針對(duì)不同的應(yīng)用，如今的商業(yè)市場(chǎng)提供了廣泛的電子器件。在所有類型的電力器件中，IGBTs和FRDs是目前是分立器件和功率模塊中最常用的組件。盡管有這些優(yōu)勢(shì)，Si 功率器件正在接近他們的性能極限。