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英諾賽科研發(fā)中心副總裁David C. ZHOU分享了《200mm 40V-650V E型硅基氮化鎵材料功率器件技術(shù)：從器件、封裝、到系統(tǒng)》研究報(bào)告

日本德島大學(xué)教授、西安電子科技大學(xué)特聘教授敖金平分享了《常關(guān)型AlGaN/GaN HFET功率器件的發(fā)展》技術(shù)報(bào)告。敖金平博士1989年畢

2018年10月23日下午，第十五屆中國(guó)國(guó)際半導(dǎo)體照明論壇（SSLCHINA 2018）暨2018國(guó)際第三代半導(dǎo)體論壇（IFWS 2018）開(kāi)幕大會(huì)在深圳會(huì)展中心隆重召開(kāi)。大會(huì)以創(chuàng)芯聚智 共享生態(tài)為主題，吸引了來(lái)自海內(nèi)外半導(dǎo)體照明，第三代半導(dǎo)體及相關(guān)領(lǐng)域的專家學(xué)者、企業(yè)領(lǐng)袖、行業(yè)機(jī)構(gòu)領(lǐng)導(dǎo)以及相關(guān)政府官員的積極參與，共同論道產(chǎn)業(yè)發(fā)展。 本屆論壇由國(guó)家半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟（CSA）、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）、深圳市

極智報(bào)告|英飛凌科技香港有限公司市場(chǎng)總監(jiān)馬國(guó)偉：CoolSiCTMSiC MOSFET技術(shù)、器件和應(yīng)用 更多精彩報(bào)告，敬請(qǐng)點(diǎn)擊頁(yè)面頂端下載極智頭條APP。

極智報(bào)告|中電科55所：SiC電力電子器件產(chǎn)品國(guó)產(chǎn)化進(jìn)展

極智報(bào)告|株洲中車時(shí)代電動(dòng)汽車股份有限公司副總經(jīng)理劉國(guó)友：新能源汽車用功率器件解決方案報(bào)告。更多專業(yè)學(xué)術(shù)報(bào)告，請(qǐng)點(diǎn)擊頁(yè)面頂端下載極智頭條APP，海量報(bào)告，免費(fèi)看！

美國(guó)智能照明工程技術(shù)研究中心主任, 美國(guó)倫斯勒理工學(xué)院教授Robert F. KARLICEK分享了超越照明：固體照明、顯示器和物聯(lián)網(wǎng)集成主題報(bào)告。 他在報(bào)告中，Joseph Schumpeter的20世紀(jì)中期的創(chuàng)造性破壞的經(jīng)濟(jì)概念正在今天的照明工業(yè)中得到實(shí)時(shí)發(fā)揮。隨著光電子（LED和激光二極管）和物聯(lián)網(wǎng)結(jié)合起來(lái)改造照明和顯示行業(yè)，不斷創(chuàng)新和不斷創(chuàng)新的潮流正在繼續(xù)在這兩個(gè)市場(chǎng)上開(kāi)辟新的服務(wù)和能力。 報(bào)告中，他系統(tǒng)地回顧了高效LED芯片和封裝的

今天極智課堂邀請(qǐng)到中國(guó)電子科技集團(tuán)第五十五研究所李士顏博士，分享《從特斯拉用碳化硅代替IGBT說(shuō)起——碳化硅功率器件之新能源汽車應(yīng)用及展望》主題報(bào)告

本期嘉賓蘇州能訊高能半導(dǎo)體有限公司總經(jīng)理任勉為我們分享的主題是《氮化鎵主題報(bào)告（二）氮化鎵（GaN）電子器件產(chǎn)業(yè)發(fā)展》

中科院半導(dǎo)體研究所的研究員總工程師伊?xí)匝喾窒砹恕暗锛{米線可控生長(zhǎng)與器件應(yīng)用展望”主題報(bào)告。 她表示，目前從芯片發(fā)展趨勢(shì)技術(shù)上來(lái)看，一個(gè)是性能的提升，可以用納米線的新的結(jié)構(gòu)形式去考慮，從器件的結(jié)構(gòu)上怎么樣提高性能。第二個(gè)芯片發(fā)展到這個(gè)階段，將來(lái)的天花板是顯示屏等等，我們面臨非常廣泛的應(yīng)用空間，從應(yīng)用的角度可以提出來(lái)對(duì)芯片的要求，我們可以根據(jù)應(yīng)用設(shè)計(jì)出來(lái)全新結(jié)構(gòu)的芯片結(jié)構(gòu)形式，現(xiàn)在提的比較多的農(nóng)業(yè)、可穿戴、定位和通訊、顯示，論壇上MicroLED顯示還是大家非常關(guān)注的，還有智能光源、智慧城市跟光電的集成

科銳中國(guó)市場(chǎng)推廣部總監(jiān)林鐵先生分享了“大功率LED和COB器件技術(shù)發(fā)展”報(bào)告。 科銳作為全球大功率的整個(gè)國(guó)際上的領(lǐng)先者，其技術(shù)和產(chǎn)品研發(fā)一直都是業(yè)界關(guān)注的焦點(diǎn)。會(huì)上，林鐵總監(jiān)表示，大功率LED和COB器件在高端照明市場(chǎng)具備競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)。隨著國(guó)家相關(guān)政策和產(chǎn)業(yè)發(fā)展趨勢(shì)，大功率LED器件技術(shù)也在不斷變革、細(xì)化、發(fā)展。器件的光效 、光輸出、光學(xué)均勻性、性能都在不斷提升。超大功率LED器件帶來(lái)更高流明輸出和光效。 科銳在LED器件領(lǐng)域又有重大突破，推出革新性的NX技術(shù)平臺(tái)。該平臺(tái)將為新一代照明級(jí)LED的創(chuàng)新發(fā)展，

極智高端訪談：凱耀電器總經(jīng)理沈雁偉暢談公司及產(chǎn)業(yè)新動(dòng)態(tài)

浙大三色儀器有限公司總經(jīng)理王建平在2018光亞展期間，接受極智頭條現(xiàn)場(chǎng)訪問(wèn)，王建平總經(jīng)理現(xiàn)場(chǎng)與極智網(wǎng)友分享公司核心競(jìng)爭(zhēng)力！

日本Novel Crystal Technology公司總裁Akito KURAMATA做了用于功率器件的β-Ga2O3晶體塊體和外延生長(zhǎng)的報(bào)告，分享了其最新研究成果。

蘇州大學(xué)功能納米與軟物質(zhì)研究院教授馮敏強(qiáng)在“高效白光OLED材料及器件工程”。主要介紹什么做白光OLED及應(yīng)用，并從材料、合成器件的研究，把OLED的效率提高。

耶魯大學(xué)研究科學(xué)家宋杰分享了“納米孔GaN作為高反射和熔覆層的III族氮化物激光器”報(bào)告。他表示，我們制備了由納米孔狀的GaN和無(wú)孔GaN薄膜的周期結(jié)構(gòu)組成的布拉格反射層，通過(guò)4～5對(duì)的DBR層就獲得了高達(dá)99.9%的放射率，并且顯著地提高了激光二極管結(jié)構(gòu)中的光學(xué)限制因子，使得閾值材料gain降低至400cm-1，比之前報(bào)道的低了二倍，表明我們可以顯著地降低激光器的開(kāi)啟閾值電流以及提高光電轉(zhuǎn)化效率。同時(shí)，我們也采用納米孔狀的GaN和無(wú)孔GaN組成的布拉格反射層引用到VCSEL結(jié)構(gòu)中，實(shí)現(xiàn)了光激射的VCSE

瑞典查爾姆斯理工大學(xué)副教授Jie SUN帶來(lái)了關(guān)于GaN光電器件CVD石墨烯透明電極研究進(jìn)展，讓與會(huì)代表拍手稱贊！ 石墨烯傳統(tǒng)上是通過(guò)石墨機(jī)械剝落制備的，且大面積單層石墨烯的制備很有挑戰(zhàn)性。為此，化學(xué)氣相沉積（CVD）在過(guò)渡金屬上石墨烯最近被發(fā)展。自2009年以來(lái)，在Chalmers我們已經(jīng)在金屬箔（Cu，Pt，Ta等）上生長(zhǎng)了單層石墨烯，在硅襯底上蒸鍍了金屬薄膜.9-9 CH4或C2H2作為反應(yīng)物，石墨烯通過(guò)商業(yè)直冷式Aixtron系統(tǒng)生長(zhǎng)。通過(guò)濕化學(xué)法蝕刻銅或更環(huán)保的電化學(xué)氣泡分層，石墨烯可以轉(zhuǎn)移到

南京電子器件研究所高級(jí)工程師吳少兵做了W波段AlGaN/GaN MMIC 功率放大器的報(bào)告。圍繞高輸出功率的W波段AlGaN/GaN MMIC 功率放大器，吳少兵詳細(xì)介紹了器件技術(shù)與制造工藝 、MMIC設(shè)計(jì)、MMIC的表征等內(nèi)容，介紹了一種采用Lange橋耦合及微帶匹配的平衡式4級(jí)功率放大器。器件采用電子束直寫(xiě)工藝在高Al含量的AlGaN/GaN HEMT外延結(jié)構(gòu)上制備了柵長(zhǎng)100nm的“T”型柵結(jié)構(gòu)以及最新成果。 吳少兵一直從事固態(tài)微波毫米波器件的研發(fā)工作。作為項(xiàng)目負(fù)責(zé)人，主持開(kāi)發(fā)了基于0.1um G

中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所固態(tài)照明研發(fā)中心張連分享“選擇區(qū)域生長(zhǎng)AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)雙極晶體管的n-AlGaN發(fā)射器”研究報(bào)告。 張連表示，GaN基異質(zhì)結(jié)雙極晶體管（HBT）具有本征優(yōu)點(diǎn)，例如更高線性度，常關(guān)工作模式和更高的電流密度。然而，其發(fā)展進(jìn)度緩慢。一個(gè)主要問(wèn)題是由低自由空穴濃度引起的基極層的低導(dǎo)電性，以及外部基極區(qū)域的等離子體干蝕刻損傷。雖然一些研究人員使用選擇性區(qū)域再生來(lái)減輕基層的損害，但工作后沒(méi)有顯著的進(jìn)步。最常見(jiàn)的因素之一是難以獲得高質(zhì)量的選擇性區(qū)域再生長(zhǎng)基底層和發(fā)射極層。通過(guò)使用選擇

英諾賽科（珠海）科技有限公司副總經(jīng)理金源俊介紹“200mm CMOS晶圓廠無(wú)分散增強(qiáng)型650V GaN-on-Si HEMTs 器件工藝”報(bào)告。 由于缺乏低成本GaN體襯底，GaN被外延生長(zhǎng)在各種基底上，最常見(jiàn)的是藍(lán)寶石，碳化硅（SiC）和硅。雖然晶格常數(shù)和熱膨脹系數(shù)（CTE）的失配使外延GaN很困難，特別是對(duì)于較大的Si襯底尺寸，但是對(duì)GaN生長(zhǎng)Si襯底變得有吸引力，這是因?yàn)镾i的晶圓直徑大（200mm及更高）。為了替代商業(yè)的Si功率器件，GaN器件應(yīng)當(dāng)設(shè)計(jì)為增強(qiáng)型（e-mode），并通過(guò)低成本，