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我國(guó)在太空成功驗(yàn)證第三代半導(dǎo)體材料制造的功率器件

德州儀器：到 2030 年，公司預(yù)計(jì)有超 95% 晶圓通過(guò)內(nèi)部采購(gòu)

中科院理化所&吉大&中科大Nature Nano.：用于超高分辨率micro-LED顯示器的遠(yuǎn)程外延晶體鈣鈦礦

中國(guó)首款高壓抗輻射碳化硅功率器件研制成功通過(guò)太空驗(yàn)證

中國(guó)太空科技新突破！首款高壓抗輻射碳化硅功率器件研制成功并驗(yàn)證

杭州士蘭微電子取得半導(dǎo)體器件專利，控制了柵漏電容

總投資10億元，芯瓷科技半導(dǎo)體功率器件用DPC陶瓷基板項(xiàng)目投產(chǎn)

電子科技大學(xué)朱慧慧、劉奧教授在Nature Protocols上發(fā)表新型半導(dǎo)體薄膜電子器件研究成果

南科大深港微電子學(xué)院于洪宇、王中銳、汪青研究團(tuán)隊(duì)在LiNbO3壓電聲表面波相移器領(lǐng)域取得新進(jìn)展

英飛凌宣布合并傳感器和射頻業(yè)務(wù)

核能安全所在超寬禁帶材料半導(dǎo)體輻射探測(cè)器研制方面取得新進(jìn)展

蘋果攻機(jī)器人砷化鎵三雄迎大商機(jī)

年產(chǎn)100萬(wàn)只高速光通信器件和模塊項(xiàng)目正式啟動(dòng)廠房裝修工程

基本半導(dǎo)體“碳化硅基集成SBD和SGT器件及其制備方法”專利公布

世界首個(gè)采用6.5kV功率器件的柔性直流工程成功投運(yùn)

基本半導(dǎo)體“碳化硅基集成SBD和SGT器件及其制備方法”專利公布

南京郵電大學(xué)研究團(tuán)隊(duì)在用于低功率光通信的GaN/CuI異質(zhì)結(jié)構(gòu)紫外光伏探測(cè)器取得進(jìn)展

甬江實(shí)驗(yàn)室信息材料與微納器件制備平臺(tái)正式投用

昌龍智芯半導(dǎo)體功率器件項(xiàng)目投資超5億元

半導(dǎo)體所在基于氧化鎵的日盲紫外偏振光探測(cè)器方面取得新進(jìn)展

行業(yè)Top級(jí)廠商齊聚功率器件展區(qū)！CSE 2025等您來(lái)探！

功率半導(dǎo)體器件研發(fā)商中微創(chuàng)芯完成近億元Pre-B輪融資

武漢敏聲高端射頻濾波器生產(chǎn)線項(xiàng)目封頂

寧波材料所與鄭州大學(xué)實(shí)現(xiàn)金剛石/氧化鎵異質(zhì)結(jié)器件突破

廣州華瑞升陽(yáng)申請(qǐng)寬禁帶半導(dǎo)體器件專利，降低寬禁帶半導(dǎo)體器件導(dǎo)通損耗和柵介質(zhì)層擊穿風(fēng)險(xiǎn)

北京大學(xué)團(tuán)隊(duì)在GaN基功率電子器件研究上取得系列重要進(jìn)展

總投資7.5億元，星曜半導(dǎo)體5G射頻濾波器芯片晶圓產(chǎn)線項(xiàng)目投產(chǎn)

晶體材料及元器件廠商飛銳特完成數(shù)千萬(wàn)元A輪融資

士蘭微“用于LLC諧振變換器的恒流控制電路及恒流控制方法”專利獲授權(quán)

北大集成電路學(xué)院研究團(tuán)隊(duì)在GaN基功率電子器件研究上取得系列重要進(jìn)展

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