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  • 南京大學(xué)教授陳鵬:基
    基于多邊形微腔的表面等離激元在LED中的發(fā)光增強(qiáng)效應(yīng)Luminescence Enhancement Effect of Cavity Plasmonic based on Polygonal Microcavity in LED陳鵬南京大學(xué)教授CHEN PengProfessor of Nanjing University
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    guansheng2023-05-19 12:56
  • 湖北大學(xué)陳興馳:基于
    基于n-ZnO/n-Ga2O3/p-GaN異質(zhì)結(jié)與pn結(jié)耦合增強(qiáng)型自驅(qū)動紫外探測器研究陳興馳,陳劍,樊啟賢,毛佳興,張忠輝,許雅俊,盧寅梅,何云斌*湖北大學(xué)
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    guansheng2022-09-01 16:22
  • 中國科學(xué)院微電子所金
    面向全GaN集成的高性能GaN基增強(qiáng)型p-FET器件研究金昊,蔣其夢*,黃森*,王鑫華,王英杰,戴心玥,樊捷,魏珂,劉新宇中國科學(xué)院微電子研究所
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    guansheng2022-09-01 12:49
  • 南京大學(xué)王海萍:基于
    基于增強(qiáng)型p-GaN HEMT的高性能紫外光電晶體管王海萍,游海帆,陳敦軍*,張榮,鄭有炓南京大學(xué)
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    guansheng2022-09-01 12:16
  • 黃火林:GaN基增強(qiáng)型H
    《GaN基增強(qiáng)型HEMT器件關(guān)鍵技術(shù)》作者:黃火林單位:大連理工大學(xué)光電工程與儀器科學(xué)學(xué)院
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    limit2022-01-10 11:07
  • 席鑫:BiVO4和WO3異質(zhì)
    《BiVO4和WO3異質(zhì)結(jié)增強(qiáng)GaN在光解水中的性能》作者:席鑫,陳志忠單位:北京大學(xué)
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    limit2022-01-06 10:10
  • 加拿大多倫多大學(xué)教授
    加拿大多倫多大學(xué)教授吳偉東分享了《用于增強(qiáng)型GaN功率晶體管的智能門極驅(qū)動芯片》研究報(bào)告。吳偉東,多倫多大學(xué)電子與計(jì)算機(jī)工
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    limit2020-01-28 12:45
  • 極智報(bào)告|美國哈佛大
    美國哈佛大學(xué)醫(yī)學(xué)院麻省總醫(yī)院黃櫻櫻在“碘化鉀增強(qiáng)抗菌劑光動力失活”報(bào)告時指出,目前耐藥菌已經(jīng)成為醫(yī)學(xué)界很大的問題,根據(jù)報(bào)道估計(jì)在2050年的時候大概會有30億人會受到影響,自從1940年抗生素發(fā)明以來,就不斷有耐藥菌產(chǎn)生,我們又沒有辦法發(fā)掘新的抗生素,現(xiàn)在抗生素還是從真菌里面提取的。據(jù)估計(jì)到2050年的時候大概有1億人受到影響,遠(yuǎn)遠(yuǎn)就超過了癌癥對人生命的影響。其中,最受影響的地區(qū)我認(rèn)為就是欠發(fā)達(dá)地區(qū),比如像亞洲、中國、非洲和南美洲,這都是比較受影響的地方。 更多精彩報(bào)告,請點(diǎn)擊頁面頂端下載極智頭條APP
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    limit2025-02-06 13:05
  • 極智報(bào)告|英諾賽科副
    英諾賽科(珠海)科技有限公司副總經(jīng)理金源俊介紹“200mm CMOS晶圓廠無分散增強(qiáng)型650V GaN-on-Si HEMTs 器件工藝”報(bào)告。 由于缺乏低成本GaN體襯底,GaN被外延生長在各種基底上,最常見的是藍(lán)寶石,碳化硅(SiC)和硅。雖然晶格常數(shù)和熱膨脹系數(shù)(CTE)的失配使外延GaN很困難,特別是對于較大的Si襯底尺寸,但是對GaN生長Si襯底變得有吸引力,這是因?yàn)镾i的晶圓直徑大(200mm及更高)。為了替代商業(yè)的Si功率器件,GaN器件應(yīng)當(dāng)設(shè)計(jì)為增強(qiáng)型(e-mode),并通過低成本,
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    limit2025-02-06 13:05
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