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杭州鎵仁半導(dǎo)體氧化鎵襯底技術(shù)突破，助力客戶實(shí)現(xiàn)2400V增強(qiáng)型晶體管

成都氮矽科技申請(qǐng) N 面增強(qiáng)型 GaN 雙向功率器件專利，提高器件的抗輻照能力

安森美將收購碳化硅JFET技術(shù)，以增強(qiáng)其針對(duì)人工智能數(shù)據(jù)中心的電源產(chǎn)品組合

無錫博通申請(qǐng)半橋GaN增強(qiáng)型開關(guān)器件及其制備方法專利，保證器件的高速開關(guān)

Facebook開發(fā)的首款增強(qiáng)現(xiàn)實(shí)AR眼鏡采用碳化硅材料，開拓元宇宙領(lǐng)域的新藍(lán)海市場(chǎng)

我國攻克1200V以上增強(qiáng)型氮化鎵電力電子芯片量產(chǎn)技術(shù)

西安電子科技大學(xué)攻克 1200V 以上增強(qiáng)型氮化鎵電力電子芯片量產(chǎn)技術(shù)

安森美完成收購SWIR Vision Systems，增強(qiáng)智能感知產(chǎn)品組合

科技成果推介｜增強(qiáng)型GaN電力電子器件

斯達(dá)半導(dǎo)取得功率模塊專利，增強(qiáng)功率半導(dǎo)體模塊的使用壽命

呂堅(jiān)院士團(tuán)隊(duì) l 3D打印莫來石增強(qiáng)的碳化硅氣凝膠復(fù)合材料

CSPSD 2024成都前瞻|氮矽科技劉勇：PGaN增強(qiáng)型GaN功率器件設(shè)計(jì)與仿真技術(shù)

成果推薦| 基于凹槽二次外延技術(shù)的p-GaN柵極增強(qiáng)型電力電子器件

大阪公立大學(xué)梁劍波：增強(qiáng) GaN/3C-SiC/金剛石結(jié)構(gòu)的散熱性能，以適應(yīng)實(shí)際器件應(yīng)用

IFWS 2023│氮矽科技朱仁強(qiáng)：增強(qiáng)型功率氮化鎵器件結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)進(jìn)展

西安交通大學(xué)王瑋：低功函數(shù)柵極增強(qiáng)型氫終端單晶金剛石場(chǎng)效應(yīng)晶體管研究

CASICON西安站前瞻|西安交通大學(xué)王瑋：低功函數(shù)柵極增強(qiáng)型氫終端單晶金剛石場(chǎng)效應(yīng)晶體管研究

新微半導(dǎo)體40V增強(qiáng)型氮化鎵功率器件工藝平臺(tái)成功量產(chǎn)

十年來我國科技事業(yè)發(fā)生歷史性變化四個(gè)顯著增強(qiáng)

技術(shù)分享：基于氮化鎵單晶襯底的增強(qiáng)型氮化鎵HEMTs

復(fù)旦大學(xué)微電子學(xué)院成功研制新原理機(jī)器視覺增強(qiáng)芯片

紫外增強(qiáng)圖像傳感器的研究進(jìn)展

清華大學(xué)交叉信息研究院段路明課題組實(shí)現(xiàn)量子存儲(chǔ)器增強(qiáng)的非局域圖態(tài)制備

重大突破！碳化硅量子比特刷新紀(jì)錄：量子態(tài)保持超5秒，信號(hào)增強(qiáng)萬倍

西電張進(jìn)成教授團(tuán)隊(duì)最新成果：基于p-SnO帽層?xùn)诺母唛撝?span id="6116111" class="highlight">增強(qiáng)型AlGaN/GaN HEMTs

工信部：我國制造業(yè)已連續(xù)11年位居世界第一高技術(shù)制造業(yè)和裝備制造業(yè)引領(lǐng)帶動(dòng)作用顯著增強(qiáng)

【CASICON 2021】南京大學(xué)徐尉宗：面向高可靠性、高能效應(yīng)用的GaN HEMT增強(qiáng)型器件技術(shù)

CASICON 2021前瞻：面向高可靠性、高能效應(yīng)用的GaN HEMT增強(qiáng)型器件技術(shù)

集成電路為高可靠性電源提供增強(qiáng)的保護(hù)和改進(jìn)的安全特性

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