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用于病毒滅活的藍(lán)寶石生長(zhǎng)230nm遠(yuǎn)紫外光功率模組的開(kāi)發(fā)研究Development of 230 nm Far-UVC LED Power Module Grown on c-Sapphire for Human Harmless Virus Inactivation平山秀樹(shù)日本理化研究所平山量子光素子研究室主任Hideki HIRAYAMAProfessor ofRIkagaku KENkyusho Institute of Physical and Chemical Research(RIKEN),Japan

碳化硅單晶缺陷研究及產(chǎn)業(yè)化進(jìn)展Research and Industrialization Progress of SiC Single Crystal Defects陳秀芳山東大學(xué)教授、南砂晶圓董事CHEN XiufangProfessor of Shandong University, Board Director of Guangzhou Summit Crystal Semiconductor Co.,Ltd

氧化鎵PECVD外延生長(zhǎng)及光電信息感知器件研究Research on PECVD Epitaxial Growth of Gallium Oxide and the Photoelectric Information Sensing Devices李山南京郵電大學(xué)副教授、蘇州鎵和半導(dǎo)體研發(fā)總監(jiān)LI ShanAssociate Professor, Nanjing University of Posts and Telecommunications, RD director of Suzhou GAO Semiconductor Co. Ltd.

電流/功率截止頻率為135/310 GHz的高性能硅基InAlN/GaN HEMTsHigh-Performance InAlN/GaN HEMTs on Silicon Substrate with fT/fmax of 135/310 GHz 崔鵬山東大學(xué)新一代半導(dǎo)體材料研究院研究員CUIPengResearch Fellow of the Institute of Novel Semiconductor of Shandong University

-Ga2O3單晶的體晶生長(zhǎng)與性能Bulk crystal growth and properties of?-Ga2O3Single Crystal穆文祥山東大學(xué)副教授MU WenxiangAssociate Professor of Shandong University

新型寬禁帶壓電半導(dǎo)體材料-Ga2O3及其在射頻諧振器中的應(yīng)用-Ga2O3: an Emerging Wide Bandgap Piezoelectric Semiconductor for Application in Radio Frequency Resonators王鋼中山大學(xué)佛山研究院院長(zhǎng)，中山大學(xué)半導(dǎo)體照明材料及器件國(guó)家地方聯(lián)合工程實(shí)驗(yàn)室主任、教授WANG GangProfessor and Dean of Foshan Institute of Sun Yat-Sen University; Director of the National-Local Joint Engineering Laboratory of Semiconductor

內(nèi)置PL顏色轉(zhuǎn)換器的高效率氮化綠色LEDHigh Efficiency Nitride Green LEDs with Built-in PL Color Converter閆春輝松山湖東莞中民研究院常務(wù)副院長(zhǎng)（杜嚴(yán)浩代講）Chris YANExecutive Vice-President ofInstitute of General Applied Technologies

第三代半導(dǎo)體助力數(shù)字能源產(chǎn)業(yè)發(fā)展The wide bandgap semiconductor boosts the development of digital energy industry于坤山北京世紀(jì)金光半導(dǎo)體有限公司副總裁YU KunshanVice President of CENGOL

半導(dǎo)體激光器的理論和實(shí)踐都取得巨大成果。近年來(lái),GaAs基大功率半導(dǎo)體激光器憑其優(yōu)勢(shì)，在眾多領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用。但是GaAs基大功率半導(dǎo)體激光器仍面臨著功率不足、發(fā)熱量大及光束質(zhì)量差的問(wèn)題。光電性能差是限制其應(yīng)用的關(guān)鍵問(wèn)題，如何進(jìn)一步提高激光器的光電性能是半導(dǎo)體激光器面臨的挑戰(zhàn)。朱振博士在報(bào)告中，詳細(xì)分享了GaAs半導(dǎo)體激光器關(guān)鍵技術(shù)及最新研究進(jìn)展，報(bào)告指出基于GaAs襯底的6x x（635-690），8 x x（780-880），9 x x

大尺寸高質(zhì)量氧化鎵單晶生長(zhǎng)及性能研究穆文祥，李陽(yáng)，賈志泰*，陶緒堂山東大學(xué)

基于金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積的-Ga2O3薄膜異質(zhì)外延及其在場(chǎng)效應(yīng)晶體管中的應(yīng)用王鋼*，陳偉驅(qū)，羅浩勛，陳梓敏，盧星，裴艷麗中山大學(xué)

山東大學(xué)教授陶緒堂做了晶體生長(zhǎng)和β-Ga2O3表征的最新進(jìn)展的報(bào)告，分享了在氧化鎵晶體生長(zhǎng)方面的研究實(shí)踐及成果。

山東大學(xué)/濟(jì)南中烏新材料有限公司王?，|做了高溫高壓?jiǎn)尉?shí)驗(yàn)室生長(zhǎng)金剛石技術(shù)的介紹，分享了單晶金剛石生產(chǎn)技術(shù)方面的工作及成果。