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GaN基的LED在大功率照明方面的巨大潛力吸引了很多研究者的注意。西安交通大學(xué)田震寰博士帶來(lái)了激光打孔和雙襯底轉(zhuǎn)移技術(shù)制備金字

田朋飛教授在報(bào)告中提出，并實(shí)驗(yàn)實(shí)現(xiàn)了紅，綠和藍(lán)激光二極管(RGB-LD)混合的白光系統(tǒng)，來(lái)同時(shí)用于基于波分復(fù)用(WDM)的高速水下無(wú)

日本名城大學(xué)副教授Motoaki IWAYA 帶來(lái)了關(guān)于基于AlGaN 激光的發(fā)展現(xiàn)狀的報(bào)告。

沙特國(guó)王科技大學(xué)教授李曉航分享了《半導(dǎo)體深紫外激光LED和設(shè)計(jì)軟件》研究報(bào)告。

鄭州大學(xué)Muhammad Nawaz SHARIF介紹了采用n-AlxGa1-xN低波導(dǎo)層連續(xù)分級(jí)生長(zhǎng)的深紫外納米線激光二極管光學(xué)約束優(yōu)化的研究成果。研

報(bào)告嘉賓：Aixtron China Limited大客戶經(jīng)理李曜 報(bào)告主題：《針對(duì)未來(lái)GaAs/InP基激光器的外延大規(guī)模生產(chǎn)》

藍(lán)寶石基B0.375GaN/B0.45GaN量子阱結(jié)構(gòu)的激光二極管中n-p電極對(duì)于p型電導(dǎo)率的影響 The effect of n-p electrodes upon the p-type conductivity of B0.375GaN/B0.45GaN QW/QB edge emitting laser diode grown over sapphire substrateMussaab I. NIASS鄭州大學(xué) Mussaab I. NIASSZhengzhou University

中科院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所研究員劉建平在做“鎵氮基藍(lán)光與綠光激光二極管的發(fā)展”報(bào)告時(shí)表示，對(duì)GaN基藍(lán)色和綠色的激光二極管（LD）的研究已經(jīng)引起人們的廣泛關(guān)注，在過(guò)去的幾年里，為了滿足激光顯示應(yīng)用的需求。我們提高了發(fā)光均勻性和減少基藍(lán)光LD結(jié)構(gòu)面自支撐GaN襯底上生長(zhǎng)GaN的內(nèi)部損失。同質(zhì)外延GaN層的形貌是由邊角料取向和GaN襯底角度很大的影響。并且通過(guò)工程InGaN/GaN量子阱的界面，我們已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了綠色激光器結(jié)構(gòu)1.85 kA cm-2低閾值電流密度。在室溫連續(xù)波作用下，綠光LD的輸出功率為

耶魯大學(xué)研究科學(xué)家宋杰分享了“納米孔GaN作為高反射和熔覆層的III族氮化物激光器”報(bào)告。他表示，我們制備了由納米孔狀的GaN和無(wú)孔GaN薄膜的周期結(jié)構(gòu)組成的布拉格反射層，通過(guò)4～5對(duì)的DBR層就獲得了高達(dá)99.9%的放射率，并且顯著地提高了激光二極管結(jié)構(gòu)中的光學(xué)限制因子，使得閾值材料gain降低至400cm-1，比之前報(bào)道的低了二倍，表明我們可以顯著地降低激光器的開啟閾值電流以及提高光電轉(zhuǎn)化效率。同時(shí)，我們也采用納米孔狀的GaN和無(wú)孔GaN組成的布拉格反射層引用到VCSEL結(jié)構(gòu)中，實(shí)現(xiàn)了光激射的VCSE

復(fù)旦大學(xué)副教授田朋飛介紹了“2.70 Gbps數(shù)據(jù)速率NRZ-OOK調(diào)制的34.5米水下無(wú)線綠色激光通信”技術(shù)。 水下無(wú)線通信因其在戰(zhàn)術(shù)監(jiān)視、海洋學(xué)研究、近海石油勘探、海床勘測(cè)和監(jiān)控中發(fā)揮的重要作用，在軍事、工業(yè)和科學(xué)界引起了極大興趣，人們對(duì)可靠且具有高數(shù)據(jù)速率的水下無(wú)線通信系統(tǒng)的需求日益增長(zhǎng)。水下無(wú)線通信(UOWC)因其高帶寬，低延遲，低功耗和高成本效益等優(yōu)勢(shì)成為替代傳統(tǒng)的聲學(xué)通信和射頻通信的一種極具吸引力的無(wú)線通信方式。然而，水下通信在光學(xué)上非常具有挑戰(zhàn)性。光在水中的傳播因水的吸收和懸浮顆粒散射而衰