亚洲日韩久久|国偷自产一区二区三区蜜臀国|国产一区二区日韩|99热这里只亚洲无码,无码

  • 皮孝東：半導(dǎo)體碳化硅
    《半導(dǎo)體碳化硅晶圓生長和單晶加工》作者：皮孝東單位：浙江大學(xué)硅材料國家重點實驗室
    15000
    limit2022-01-05 17:02
  • 劉建勛：大尺寸硅基Ga
    《大尺寸硅基GaN射頻器件材料外延生長研究》作者：劉建勛，詹曉寧，孫秀建，黃應(yīng)南，高宏偉，孫錢，楊輝單位：中國科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所，中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)納米技術(shù)與納米仿生學(xué)院
    25700
    limit2022-01-05 16:49
  • 黃思溢：基于水平常壓
    《基于水平常壓式MOCVD的低溫p-GaN生長與性能表征》作者：黃思溢，池田昌夫，張名龍，張峰，朱建軍，劉建平，楊輝單位：中國科學(xué)
    25300
    limit2022-01-05 11:27
  • 余佳東：等離子體密度
    《等離子體密度對ICP-MOCVD生長GaN薄膜的影響》作者：余佳東，羅毅，王健，張子軒，李翔，汪萊，郝智彪單位：北京信息科學(xué)與技術(shù)
    26400
    limit2022-01-05 11:25
  • 趙見國：非極性(11-20
    《非極性(11-20)面P型GaN和全組分InGaN的MOCVD生長與研究》作者：趙見國，陳凱，胡文曉，宮毛高，劉斌，陶濤，謝自力，嚴羽，張
    26200
    limit2022-01-05 11:22
  • 宋文濤：液態(tài)銦氮化生
    《液態(tài)銦氮化生長高質(zhì)量氮化銦》作者：李凱，黃增立，劉爭暉，徐耿釗，韓廈，陳科蓓，張春玉，宋文濤，徐科單位：中國科學(xué)院蘇州
    14900
    limit2022-01-05 11:20
  • 【視頻報告 2018】Kaz
    特阿卜杜拉國王科技大學(xué)的Kazuhiro OHKAWA教授介紹了《AlGaN 材料MOCVD生長優(yōu)化和反應(yīng)器設(shè)計》研究報告。報告中，在較寬的壓力、Al /（Ga + Al）比例和溫度范圍內(nèi)成功仿真AlGaN生長。考慮到適量聚合物的形成，仿真中AlGaN的生長速率和組分與實驗中的非常一致。這一技術(shù)使我們有可能優(yōu)化氮化物MOCVD并設(shè)計升級反應(yīng)器。
    23600
    limit2021-04-29 12:24
  • 【視頻報告 2018】中
    中微半導(dǎo)體設(shè)備（上海）有限公司副總裁MOCVD產(chǎn)品事業(yè)部總經(jīng)理郭世平帶來了《氮化物深紫外LED生產(chǎn)型MOCVD機臺設(shè)計及外延生長的挑
    300
    limit2021-04-29 12:23
  • 【視頻報告 2018】南
    【極智報告】南京大學(xué)陳琳：6英寸GaN襯底生長用HVPE反應(yīng)腔的三維數(shù)值模擬
    135700
    limit2021-04-29 12:23
  • 【視頻報告 2018】中
    LED的應(yīng)用早已不限于植物，對魚類影響的研究也在繼續(xù)，中科院海洋所教授李賢做了LED光對海水魚類生長和代謝的影響的報告。
    000
    limit2021-04-29 12:07
  • 【視頻報告 2018】英
    世界農(nóng)業(yè)正在向可持續(xù)性和資源利用效率創(chuàng)新驅(qū)動的新技術(shù)范式過渡。通過持續(xù)的智能、綠色和增長革命以及市場的新需求，這種新模式
    000
    limit2021-04-29 12:06
  • 【視頻報告 2018】北
    垂直氮化鎵器件，尤其是硅襯底上，因其低成本襯底而引起了人們對大功率應(yīng)用的廣泛關(guān)注。但其性能仍低于氮化鎵襯底上的垂直氮化鎵器件。關(guān)鍵問題是在硅襯底上實現(xiàn)低位錯密度和連續(xù)厚氮化鎵層具有挑戰(zhàn)性。會上，北京大學(xué)馮玉霞博士結(jié)合具體的研究實踐，分享了Si襯底上GaN基外延材料生長及雜質(zhì)缺陷研究的成果，首次提供了在C摻雜半絕緣氮化鎵中取代C原子占據(jù)N位點的明確證據(jù)。
    65400
    limit2021-04-29 12:05
  • 【視頻報告 2019】奧
    奧趨光電技術(shù)（杭州）有限公司首席執(zhí)行官吳亮分享《高功率UVC-LED用AlN單晶襯底生長最新進展及其未來挑戰(zhàn)》。
    86000
    limit2021-04-29 11:04
  • 【視頻報告 2019】鄭
    鄭州大學(xué)Muhammad Nawaz SHARIF介紹了采用n-AlxGa1-xN低波導(dǎo)層連續(xù)分級生長的深紫外納米線激光二極管光學(xué)約束優(yōu)化的研究成果。研
    000
    limit2021-04-29 10:28
  • 【視頻報告 2019】廈
    廈門大學(xué)高娜帶來了題為可原子尺度精確調(diào)控的AlN/GaN結(jié)構(gòu)分選生長的主題報告，從晶體生長熱力學(xué)角度出發(fā)，采用第一性原理模擬了
    300
    limit2021-04-29 10:27
  • 【視頻報告 2019】天
    報告嘉賓：北京天科合達半導(dǎo)體股份有限公司副總經(jīng)理兼技術(shù)總監(jiān)劉春俊博士 報告主題：《大尺寸碳化硅單晶生長研究及產(chǎn)業(yè)進展》
    161200
    limit2020-03-19 10:27
  • 【視頻報告】俄羅斯ST
    碳化硅生長和襯底建模以及基于MOVPE技術(shù)的氮化鎵生長模擬 Modeling of SiC crystal growth and epitaxy and simulation of GaN metal Organic Vapor DepositionAndrey SMIRNOV俄羅斯STR Group, Inc.資深研發(fā)工程師 Andrey SMIRNOVSenior Research Engineer of STR Group, Inc., Russia
    363000
    limit2020-03-10 15:45
  • 【視頻報告】廈門大學(xué)
    報告簡介單晶4H型碳化硅臺階生長機理 The step growth mechanism for 4H-SiC with Improved Single Polytypes林偉廈門大學(xué)副教授 LINWeiAssociate Professor of Xiamen University
    226800
    limit2020-03-08 10:21
  • 【視頻報告】美國倫斯
    美國智能照明工程技術(shù)研究中心主任、美國倫斯勒理工學(xué)院教授Robert F. KARLICEK分享了《針對葉菜利用動態(tài)光譜調(diào)節(jié)提升生長效率和營養(yǎng)水平：初期研究》主題報告。 　　隨著LED技術(shù)的發(fā)展，可以同時優(yōu)化光照的光譜特性和動態(tài)特性，從而對植物生長產(chǎn)生有益的影響。本次講座將重點介紹LESA最近在使用定制光譜和脈沖光生長協(xié)議促進紅萵苣生長方面的一些工作，重點是提高植物生長速度和營養(yǎng)價值。光譜可以影響植物的整體生長效率和代謝副
    321100
    limit2020-03-01 15:42
聯(lián)系客服 投訴反饋  頂部