亚洲日韩久久|国偷自产一区二区三区蜜臀国|国产一区二区日韩|99热这里只亚洲无码,无码

  • 中國(guó)科學(xué)院微電子研究
    中國(guó)科學(xué)院微電子研究所研究員龍世兵分享了基于(100) -Ga2O3 單晶的肖特基二極管和MOS電容的研究成果。基于型氧化鎵所生產(chǎn)的一些器件在能源使用中發(fā)揮著重要的作用。能源使用的安全性是一個(gè)重要問(wèn)題,在自然能源不斷減少,價(jià)格不斷上升的背景下,我們需要找到一個(gè)更加有效的方式來(lái)利用能源。當(dāng)前在高電壓應(yīng)用領(lǐng)域,包括高鐵和智能電網(wǎng)等,硅仍然是主導(dǎo)材料,但有一定局限性,比如禁帶比較窄等。與寬禁帶材料相比,有弱勢(shì)的地方。
    215100
    limit2018-02-01 10:49
  • 中科院電工所研究員
    極智報(bào)告推薦:中科院電工所研究員溫旭輝分享的《半導(dǎo)體功率模塊在新能源汽車中應(yīng)用》主題報(bào)告。更多精彩報(bào)告,請(qǐng)點(diǎn)擊頁(yè)面頂端下載極智頭條APP,海量專業(yè)學(xué)術(shù)報(bào)告任性看!
    000
    limit2025-02-11 15:13
  • 極智報(bào)告|中科院半導(dǎo)
    中科院半導(dǎo)體研究所的研究員總工程師伊?xí)匝喾窒砹恕暗锛{米線可控生長(zhǎng)與器件應(yīng)用展望”主題報(bào)告。 她表示,目前從芯片發(fā)展趨勢(shì)技術(shù)上來(lái)看,一個(gè)是性能的提升,可以用納米線的新的結(jié)構(gòu)形式去考慮,從器件的結(jié)構(gòu)上怎么樣提高性能。第二個(gè)芯片發(fā)展到這個(gè)階段,將來(lái)的天花板是顯示屏等等,我們面臨非常廣泛的應(yīng)用空間,從應(yīng)用的角度可以提出來(lái)對(duì)芯片的要求,我們可以根據(jù)應(yīng)用設(shè)計(jì)出來(lái)全新結(jié)構(gòu)的芯片結(jié)構(gòu)形式,現(xiàn)在提的比較多的農(nóng)業(yè)、可穿戴、定位和通訊、顯示,論壇上MicroLED顯示還是大家非常關(guān)注的,還有智能光源、智慧城市跟光電的集成
    1000
    limit2025-02-11 15:13
  • 極智報(bào)告|中科院蘇州
    中科院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所研究員劉建平在做“鎵氮基藍(lán)光與綠光激光二極管的發(fā)展”報(bào)告時(shí)表示,對(duì)GaN基藍(lán)色和綠色的激光二極管(LD)的研究已經(jīng)引起人們的廣泛關(guān)注,在過(guò)去的幾年里,為了滿足激光顯示應(yīng)用的需求。我們提高了發(fā)光均勻性和減少基藍(lán)光LD結(jié)構(gòu)面自支撐GaN襯底上生長(zhǎng)GaN的內(nèi)部損失。同質(zhì)外延GaN層的形貌是由邊角料取向和GaN襯底角度很大的影響。并且通過(guò)工程InGaN/GaN量子阱的界面,我們已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了綠色激光器結(jié)構(gòu)1.85 kA cm-2低閾值電流密度。在室溫連續(xù)波作用下,綠光LD的輸出功率為
    700
    limit2025-02-11 15:13
  • 極智報(bào)告|中國(guó)電子科
    中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第十三研究所研究員馮志紅介紹了關(guān)于解決InAlN/GaN異質(zhì)結(jié)場(chǎng)效應(yīng)晶體管(HFETs)應(yīng)用的漏電大和可靠性差的瓶頸問(wèn)題方法的研究成果。馮志紅研究員現(xiàn)任中國(guó)電子科技集團(tuán)公司首席專家,國(guó)際電工技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)委員會(huì)專家,研究方向?yàn)樘掌澒虘B(tài)電子器件、先進(jìn)半導(dǎo)體材料與器件。 其中,馮志紅表示,氮化鎵與氮化鋁是非常好的搭配,會(huì)帶來(lái)比較高的功率,相比其他一些結(jié)構(gòu)更加優(yōu)化,也有很多應(yīng)用。人們希望可以將氮化鎵應(yīng)用到5G等領(lǐng)域,希望增加輸出功率。結(jié)合具體的建模分析,馮志紅表示,降低延遲,為了獲得信號(hào)而降低
    600
    limit2025-02-11 15:13
  • 極智報(bào)告|中科院微電
    中國(guó)科學(xué)院微電子研究所研究員黃森分享“基于超薄壁壘AlGaN / GaN 異質(zhì)結(jié)構(gòu)的常關(guān)型GaN MIS-HEMTs制造”報(bào)告。 中國(guó)科學(xué)院微電子研究所研究員黃森表示,超薄勢(shì)壘(UTB)AlGaN / GaN異質(zhì)結(jié)用于制造常關(guān)斷型GaN基MIS-HEMT。通過(guò)低壓化學(xué)氣相沉積(LPCVD)生長(zhǎng)的SiNx鈍化膜,有效地減少了超薄勢(shì)壘(UTB) Al0.22Ga0.78N(5nm)/ GaN異質(zhì)結(jié)構(gòu)中2維電子氣體(2DEG)的薄層電阻。制造的Al2O3 / AlGaN / GaN MIS-HEMT表現(xiàn)出
    100
    limit2025-02-11 15:13
  • 極智報(bào)告|中國(guó)科學(xué)院
    該視頻為:中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所研究員、中國(guó)科學(xué)院大學(xué)崗位教授趙麗霞,主講的《Reliability and Failure Analysis for GaN-based LEDs》學(xué)術(shù)報(bào)告。
    100
    limit2025-02-11 15:13
  • 極智報(bào)告|中科院蘇州
    中國(guó)科學(xué)院蘇州生物醫(yī)學(xué)工程技術(shù)研究所光健康中心董建飛研究員也分享了具有復(fù)雜動(dòng)態(tài)光伏窗遮陽(yáng)控制的建筑物的采光模擬與分析報(bào)告。他表示,光伏(PV)遮陽(yáng)系統(tǒng)將光伏材料與窗戶處理(百葉窗,百葉窗等)結(jié)合在一起,用于建筑環(huán)境中的能量平衡。光伏遮陽(yáng)系統(tǒng)在發(fā)電,照明控制,眩光保護(hù)等方面對(duì)建筑物有利。為了從窗戶區(qū)域收獲最大的太陽(yáng)能,在PV遮陽(yáng)元件中應(yīng)用太陽(yáng)能跟蹤,從而可以實(shí)時(shí)移動(dòng)和動(dòng)態(tài)采光,但是很難通過(guò)常規(guī)方法模擬這一操作。
    000
    limit2025-02-11 15:13
聯(lián)系客服 投訴反饋  頂部