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基于InGaN基硅襯底Micro-LED的多色集成轉(zhuǎn)移印刷技術(shù)Transfer printing technology based on InGaN-based silicon substrate micro-LEDs for multicolor integration田朋飛復(fù)旦大學(xué)副教授TIAN Pengfei Associate Professor of Fudan University

1200V級(jí)硅襯底GaN縱向PiN功率二極管郭小路，鐘耀宗，周宇，陳昕，閆書(shū)萌，劉建勛，孫秀建，孫錢(qián)*，楊輝中國(guó)科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所

《硅襯底GaN基激光器研究進(jìn)展》作者：馮美鑫，劉建勛，孫錢(qián)，楊輝單位：中國(guó)科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所

高溫、高功率寬帶隙半導(dǎo)體要求掌握碳化硅（SiC）等材料的晶體生長(zhǎng)過(guò)程。今天，SiC是通過(guò)氣相或液相法生長(zhǎng)的，它包括下列過(guò)程：反應(yīng)物的生成、反應(yīng)物到生長(zhǎng)表面的傳輸、生長(zhǎng)表面的吸附、成核和最終晶體生長(zhǎng)。GT Advanced Technologies首席技術(shù)官P.S. RAGHAVAN分享了《碳化硅襯底技術(shù)的最新進(jìn)展》技術(shù)報(bào)告，報(bào)告中介紹了不同的SiC晶體生長(zhǎng)過(guò)程以及SiC技術(shù)的最新進(jìn)展。

【極智課堂】晶能光電王瓊： 硅襯底UV LED技術(shù)與應(yīng)用