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《石墨烯驅(qū)動的應力工程實現(xiàn)用于深紫外LED的無應變AlN薄膜的高質(zhì)量外延》作者：常洪亮，魏同波，王軍喜，李晉閩單位：中國科學院

加拿大滑鐵盧大學William WONG教授分享了《通過薄膜晶體管和III-V光電器件的異質(zhì)集成實現(xiàn)Micro-LED》研究報告。他介紹到，基于氮化鎵(GaN)基微光發(fā)射二極管(microleds)的新型顯示技術有望使下一代發(fā)射顯示器具有高亮度、低功耗和高分辨率，與現(xiàn)有的基于有機光發(fā)射二極管(OLEDs)的顯示技術相比。除了在OLED顯示器上的這些改進之外，Micro-LED與薄膜晶體管(TFT)設備的集成為高亮度和高分辨率柔性顯示器提供了新的途徑。

復旦大學副教授張樹宇在《135%NTSC色域的CsPbX3鈣鈦礦量子點薄膜》主題報告中表示，全無機CsPbX3 (X=I, Br, Cl)鈣鈦礦量子點(QDs)由于其優(yōu)異的光學性能，包括極高的光致發(fā)光量子產(chǎn)率、狹窄的譜線寬度和廣泛的可調(diào)發(fā)射，很可能成為下一代量子點顯示技術。在制造過程中避免高溫和惰性氣氛的新方法是室溫(RT)再結(jié)晶，為低成本大批量生產(chǎn)CsPbX3 QDs提供了一條很有前途的途徑。然而，RT合成的QDs在工作條件下的穩(wěn)定性性能與傳統(tǒng)QDs不具

北京北方華創(chuàng)微電子裝備有限公司產(chǎn)品總監(jiān)董博宇帶來了《磁控濺射制備的ITO薄膜在LED領域中的開發(fā)及應用》主題報告。

深圳大道半導體有限公司總經(jīng)理兼產(chǎn)品總監(jiān)李剛帶來了薄膜倒裝芯片及其芯片級封裝與應用的報告，分享了一系列制備薄膜倒裝芯片的關

廈門大學副教授林岳分享了聚合物薄膜中MAPbBr3量子點降解的研究成果，合成了聚合物包覆MAPbBr3量子點（平均直徑3nm），通過研究

中科院半導體所張翔帶來了關于石墨烯提升氮化鋁核化以及高質(zhì)量氮化鋁薄膜外延層的報告，分享了該領域的研究動態(tài)以及研究成果。

西安交通大學副教授李強做了題為射頻濺射技術制備h-BN薄膜的制作與應用的主題報告，分享了濺射制備的hBN膜,包括工藝條件的選擇，hBN的性質(zhì)，以及hBN膜的應用，包括電阻開關行為等內(nèi)容。 報告指出，所制備的hBN膜可以在大面積上獲得良好的光滑度。由BN和BAlN薄膜組成的DBR可以在UVA波段實現(xiàn)高反射。首先在Ag / hBN / Al結(jié)構中觀察到通過濺射制備的hBN膜的RS行為。摻鋁氮化硼薄膜的RS窗口明顯增加。

鄭州大學教授劉玉懷做了題為氮化鋁/藍寶石模板上六方氮化硼薄膜的有機金屬氣相外延研究的報告，介紹了多層h-BN膜的表面和結(jié)晶度、微觀結(jié)構和鍵合結(jié)構。h-BN在AlN上的生長模型等研究內(nèi)容。研究成功證明了通過脈沖模式MOVPE在AlN模板上直接生長單晶多層h-BN，在AlN表面上形成連續(xù)和聚結(jié)的多層h-BN，提出了初始帽形核的生長模型，然后在AlN上進行h-BN的二維橫向生長。

同步輻射X射線衍射法實現(xiàn)氮化鎵襯底及同質(zhì)外延薄膜晶格面傾斜可視化 Synchrotron x-ray diffraction-based visualization of lattice-plane tilting of a GaN substrate and epitaxial film坂田修身日本國立材料研究所SPring-8 BL15XU線站站長，東京工業(yè)大學兼職教授 Osami SAKATAStation Director of the Synchrotron X-ray Station at SPring-8 and the Group Leaders of the Synchrotron X-ray group and the Synchrotron X-ray

廣西大學杰出教授、臺灣大學榮退教授馮哲川分享了關于Ga2O3薄膜的光學和結(jié)構特性的研究成果。馮哲川從事于第三代半導體研發(fā)已二三十年, 至今編輯出版了半導體及顯微結(jié)構，多孔硅，碳化硅，III族氮化物(3本)，氧化鋅，固態(tài)照明及LED 領域的11-本英文專著，