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《介穩(wěn)態(tài)氧化鎵薄膜的外延生長與異質集成》作者：張文瑞單位：中國科學院寧波材料技術與工程研究所

《范德華外延氮化物異質結構與光電集成》作者：寧靜，張進成，郝躍單位：西安電子科技大學微電子學院

《異質集成氧化鎵材料與器件》作者：徐文慧，王軼博，游天桂，胡浩東，韓根全，歐欣單位：中國科學院上海微系統與信息技術研究所，西安電子科技大學

《基于氮化鎵金屬-絕緣層-半導體高電子遷移率晶體管的單片集成DFF-NAND與DFF-NOR電路》作者：朱昱豪，崔苗，李昂，方志成，文輝清，劉雯單位：西交利物浦大學智能工程學院

《量子點/氮化物半導體集成結構的Micro-LED器件制備與應用》作者：劉斌，許非凡，余俊馳，陶濤，陸海，陳敦軍，張榮單位：南京大

加拿大滑鐵盧大學William WONG教授分享了《通過薄膜晶體管和III-V光電器件的異質集成實現Micro-LED》研究報告。他介紹到，基于氮化鎵(GaN)基微光發(fā)射二極管(microleds)的新型顯示技術有望使下一代發(fā)射顯示器具有高亮度、低功耗和高分辨率，與現有的基于有機光發(fā)射二極管(OLEDs)的顯示技術相比。除了在OLED顯示器上的這些改進之外，Micro-LED與薄膜晶體管(TFT)設備的集成為高亮度和高分辨率柔性顯示器提供了新的途徑。

集成功率器件與智能控制單元、基于片上系統解決方案的智能功率芯片技術成為未來功率系統的最佳選擇。然而，傳統的硅功率器件的效率、開關速度以及最高工作溫度已逼近其極限，使得寬禁帶半導體氮化鎵成為應用于功率管理的理想替代材料。香港科技大學教授陳敬做了全GaN功率集成技術的報告，該技術能夠實現智能功率集成所需的功率模塊和各種控制單元模塊。

化合物半導體是未來核心材料，市場逐步擴大，全球各大廠商都在布局化合物半導體產業(yè)鏈，在功率器件、射頻器件，與終端消費電子領

美國智能照明工程技術研究中心主任, 美國倫斯勒理工學院教授Robert F. KARLICEK分享了超越照明：固體照明、顯示器和物聯網集成主題報告。 他在報告中，Joseph Schumpeter的20世紀中期的創(chuàng)造性破壞的經濟概念正在今天的照明工業(yè)中得到實時發(fā)揮。隨著光電子（LED和激光二極管）和物聯網結合起來改造照明和顯示行業(yè)，不斷創(chuàng)新和不斷創(chuàng)新的潮流正在繼續(xù)在這兩個市場上開辟新的服務和能力。 報告中，他系統地回顧了高效LED芯片和封裝的

中國科學院半導體研究所副研究員楊華在介紹了照明與顯示技術的集成框架研究報告。他表示，技術、成本和應用場景是照明與現實技術融合的關鍵因素。通過對光源技術發(fā)展的分析目前主要的照明技術與顯示技術的基本架構、控制難度和成本組成。給出了照明與現實技術融合的技術與成本條件。同時對照明與現實技術融合的應用場景進行了分類分析。 　　照明和顯示的融合是隨著燈具技術適應更多樣化的需求以及顯示控制技術成本的降低，使得產品既能提供一定顯示功能，同時也能夠提供照明功能技術趨勢，它主要涉及到的技術內容可能包括廉價怎么降低成本

加拿大多倫多大學教授Wai Tung NG則帶來了“GaN功率晶體管的柵極驅動器集成電路”研究報告氮化鎵是一種寬能隙材料，它能夠提供與碳化硅（SiC）相似的性能優(yōu)勢，但降低成本的可能性卻更大。氮化鎵電力電子器件具有更高的工作電壓、更高的開關頻率、更低的導通...