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《介穩(wěn)態(tài)氧化鎵薄膜的外延生長與異質(zhì)集成》作者：張文瑞單位：中國科學(xué)院寧波材料技術(shù)與工程研究所

《范德華外延氮化物異質(zhì)結(jié)構(gòu)與光電集成》作者：寧靜，張進成，郝躍單位：西安電子科技大學(xué)微電子學(xué)院

《異質(zhì)集成氧化鎵材料與器件》作者：徐文慧，王軼博，游天桂，胡浩東，韓根全，歐欣單位：中國科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所，西安電子科技大學(xué)

《基于氮化鎵金屬-絕緣層-半導(dǎo)體高電子遷移率晶體管的單片集成DFF-NAND與DFF-NOR電路》作者：朱昱豪，崔苗，李昂，方志成，文輝清，劉雯單位：西交利物浦大學(xué)智能工程學(xué)院

《量子點/氮化物半導(dǎo)體集成結(jié)構(gòu)的Micro-LED器件制備與應(yīng)用》作者：劉斌，許非凡，余俊馳，陶濤，陸海，陳敦軍，張榮單位：南京大

加拿大滑鐵盧大學(xué)William WONG教授分享了《通過薄膜晶體管和III-V光電器件的異質(zhì)集成實現(xiàn)Micro-LED》研究報告。他介紹到，基于氮化鎵(GaN)基微光發(fā)射二極管(microleds)的新型顯示技術(shù)有望使下一代發(fā)射顯示器具有高亮度、低功耗和高分辨率，與現(xiàn)有的基于有機光發(fā)射二極管(OLEDs)的顯示技術(shù)相比。除了在OLED顯示器上的這些改進之外，Micro-LED與薄膜晶體管(TFT)設(shè)備的集成為高亮度和高分辨率柔性顯示器提供了新的途徑。

集成功率器件與智能控制單元、基于片上系統(tǒng)解決方案的智能功率芯片技術(shù)成為未來功率系統(tǒng)的最佳選擇。然而，傳統(tǒng)的硅功率器件的效率、開關(guān)速度以及最高工作溫度已逼近其極限，使得寬禁帶半導(dǎo)體氮化鎵成為應(yīng)用于功率管理的理想替代材料。香港科技大學(xué)教授陳敬做了全GaN功率集成技術(shù)的報告，該技術(shù)能夠?qū)崿F(xiàn)智能功率集成所需的功率模塊和各種控制單元模塊。

化合物半導(dǎo)體是未來核心材料，市場逐步擴大，全球各大廠商都在布局化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈，在功率器件、射頻器件，與終端消費電子領(lǐng)

美國智能照明工程技術(shù)研究中心主任, 美國倫斯勒理工學(xué)院教授Robert F. KARLICEK分享了超越照明：固體照明、顯示器和物聯(lián)網(wǎng)集成主題報告。 他在報告中，Joseph Schumpeter的20世紀中期的創(chuàng)造性破壞的經(jīng)濟概念正在今天的照明工業(yè)中得到實時發(fā)揮。隨著光電子（LED和激光二極管）和物聯(lián)網(wǎng)結(jié)合起來改造照明和顯示行業(yè)，不斷創(chuàng)新和不斷創(chuàng)新的潮流正在繼續(xù)在這兩個市場上開辟新的服務(wù)和能力。 報告中，他系統(tǒng)地回顧了高效LED芯片和封裝的

中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所副研究員楊華在介紹了照明與顯示技術(shù)的集成框架研究報告。他表示，技術(shù)、成本和應(yīng)用場景是照明與現(xiàn)實技術(shù)融合的關(guān)鍵因素。通過對光源技術(shù)發(fā)展的分析目前主要的照明技術(shù)與顯示技術(shù)的基本架構(gòu)、控制難度和成本組成。給出了照明與現(xiàn)實技術(shù)融合的技術(shù)與成本條件。同時對照明與現(xiàn)實技術(shù)融合的應(yīng)用場景進行了分類分析。 　　照明和顯示的融合是隨著燈具技術(shù)適應(yīng)更多樣化的需求以及顯示控制技術(shù)成本的降低，使得產(chǎn)品既能提供一定顯示功能，同時也能夠提供照明功能技術(shù)趨勢，它主要涉及到的技術(shù)內(nèi)容可能包括廉價怎么降低成本

加拿大多倫多大學(xué)教授Wai Tung NG則帶來了“GaN功率晶體管的柵極驅(qū)動器集成電路”研究報告氮化鎵是一種寬能隙材料，它能夠提供與碳化硅（SiC）相似的性能優(yōu)勢，但降低成本的可能性卻更大。氮化鎵電力電子器件具有更高的工作電壓、更高的開關(guān)頻率、更低的導(dǎo)通...