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極智報(bào)告|日本大阪大學(xué)高悅：銅顆粒燒結(jié)貼片連接SiC-MOSFET的長(zhǎng)期可靠性研究進(jìn)展 更多精彩報(bào)告，敬請(qǐng)點(diǎn)擊頁面頂端下載極智頭條APP。

南京電子器件研究所黃潤(rùn)華博士分享了1.2kV 4H-SiC DMOSFET的設(shè)計(jì)與制造關(guān)鍵點(diǎn)。他表示，未來的工作主要還是針對(duì)一千兩百伏到一千七百伏的企業(yè)，要實(shí)現(xiàn)一個(gè)產(chǎn)品化，目前提供可生產(chǎn)性基本滿足產(chǎn)品要求，未來就是為了降低電阻，提升我們的可靠性，還要進(jìn)行下一步的研究。再下一步要開發(fā)三千三百伏到一萬伏，爭(zhēng)取到五千伏的時(shí)候推出一些產(chǎn)品。