三、材料
半導體材料發(fā)展歷程
Si：主要應用于集成電路的晶圓片和功率器件;
GaAs：主要應用于大功率發(fā)光電子器件和射頻器件;
GaN：主要應用于光電器件和微波通信器件;
SiC：主要應用于功率器件。
▲各代代表性材料主要應用
▲第二、三代半導體材料技術(shù)成熟度
細分領(lǐng)域已經(jīng)實現(xiàn)彎道超車，核心領(lǐng)域仍未實現(xiàn)突破，半導體材料主要分為晶圓制造材料和封裝材料兩大塊。晶圓制造材料中，硅片機硅基材料最高占比31%，其次依次為光掩模版14%、光刻膠5%及其光刻膠配套試劑7%。封裝材料中，封裝基板占比最高，為40%，其次依次為引線框架16%，陶瓷基板11%，鍵合線15%。
日美德在全球半導體材料供應上占主導地位。各細分領(lǐng)域主要玩家有：硅片——Shin-Etsu、Sumco，光刻膠——TOK、Shipley，電子氣體——Air Liquid、Praxair，CMP——DOW、3M，引線架構(gòu)——住友金屬，鍵合線——田中貴金屬、封裝基板——松下電工，塑封料——住友電木。
?。?）靶材、封裝基板、CMP 等，我國技術(shù)已經(jīng)比肩國際先進水平的、實現(xiàn)大批量供貨、可以立刻實現(xiàn)國產(chǎn)化。已經(jīng)實現(xiàn)國產(chǎn)化的半導體材料典例——靶材。
?。?）硅片、電子氣體、掩模板等，技術(shù)比肩國際、但仍未大批量供貨的產(chǎn)品。
?。?）光刻膠，技術(shù)仍未實現(xiàn)突破，仍需要較長時間實現(xiàn)國產(chǎn)替代。
