美國布法羅大學(xué)科研團(tuán)隊(duì)開發(fā)了一種新形式的功率MOSFET晶體管，這種晶體管可以用最小的厚度處理難以置信的高電壓，可能會提升電動汽車電力電子元件效率。金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管，也就是我們常說的MOSFET，是各種消費(fèi)類電子產(chǎn)品中極為常見的元件，尤其是汽車電子領(lǐng)域。

功率MOSFET是一種專門為處理大功率負(fù)載而設(shè)計(jì)的開關(guān)。每年大約有500億個這樣的開關(guān)出貨。實(shí)際上，它們是三腳、扁平的電子元件，可作為電壓控制開關(guān)。當(dāng)在柵極引腳上施加足夠的（通常是相當(dāng)小的）電壓時，就會在其他兩個引腳之間建立連接，完成一個電路。它們可以非?？焖俚亻_啟和關(guān)閉大功率電子器件，是電動汽車不可或缺的一部分。

通過創(chuàng)建基于氧化鎵的MOSFET，布法羅大學(xué)的團(tuán)隊(duì)聲稱，他們已經(jīng)研究出了如何使用薄如紙的晶體管來處理極高的電壓。當(dāng)用一層常見的環(huán)氧樹脂聚合物SU-8 "鈍化 "后，這種基于氧化鎵的晶體管在實(shí)驗(yàn)室測試中能夠處理超過8000伏的電壓，然后才會出現(xiàn)故障，研究人員稱這一數(shù)字明顯高于用碳化硅或氮化鎵制成的類似晶體管。

實(shí)驗(yàn)當(dāng)中，氧化鎵的帶隙數(shù)字為4.8電子伏特，令人印象深刻。帶隙是衡量一個電子進(jìn)入導(dǎo)電狀態(tài)所需的能量，帶隙越寬，效果越好。硅是電力電子器件中最常見的材料，其帶隙為1.1電子伏特。碳化硅和氮化鎵的帶隙分別為3.4和3.3電子伏特。因此，氧化鎵的4.8電子伏特帶隙使其處于領(lǐng)先地位。

通過開發(fā)一種能夠以極小的厚度處理極高電壓的MOSFET，布法羅團(tuán)隊(duì)希望其工作能夠?yàn)殡妱榆囶I(lǐng)域、機(jī)車、飛機(jī)、微電網(wǎng)技術(shù)以及潛在的固態(tài)變壓器等更小、更高效的電力電子器件做出貢獻(xiàn)。

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