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杭州鎵仁半導體氧化鎵襯底技術突破，助力客戶實現(xiàn)2400V增強型晶體管

萬國半導體申請用于功率 MOSFET 的凹陷型多晶硅 ESD 二極管專利，保護功率晶體管免受高電壓 ESD 事件影響

上海燁映微電子申請 GaN 晶體管與柵極驅動器合封專利，實現(xiàn)高頻能力

上海積塔半導體申請?zhí)蓟?span id="5njl3xv" class="highlight">晶體管結構及其制備方法專利，有效降低器件VFSD

CSPSD 2024成都前瞻|上海大學任開琳：一種新型氮化鎵基發(fā)光高電子遷移率晶體管

北京大學申請p溝道氮化鎵異質結晶體管及其制備方法專利，實現(xiàn)電流密度的增加

西電郝躍院士團隊在超陡垂直晶體管器件研究方面取得重要進展

器件新突破！香港科技大學教授陳敬團隊成功研制一種融合氮化鎵和碳化硅二者優(yōu)點的實驗晶體管！

金剛石基板上的GaN晶體管，散熱性能提高2.3倍

IFWS 2023│華南師范大學尹以安：具復合柵極和階梯結構的新型GaN垂直晶體管研究

IFWS 2023│臺灣成功大學李清庭：GaN基單片電子器件的集成互補金屬氧化物半導體D模和E模高電子遷移率晶體管

湖南大學物電院劉淵教授團隊在小尺寸晶體管研究中取得新進展

山東大學徐明升：金剛石場效應晶體管及深紫外光電探測研究

西安交通大學王瑋：低功函數(shù)柵極增強型氫終端單晶金剛石場效應晶體管研究

CASICON西安站前瞻|西安交通大學王瑋：低功函數(shù)柵極增強型氫終端單晶金剛石場效應晶體管研究

MXene范德華接觸在氮化鎵高電子遷移率晶體管中的應用

實現(xiàn)1>1+1的創(chuàng)新！Wolfspeed 碳化硅基氮化鎵功率晶體管，賦能蜂窩通信創(chuàng)新

中國科大龍世兵課題組研制出氧化鎵垂直槽柵場效應晶體管

復旦大學微電子學院朱顥研究團隊實現(xiàn)低功耗負量子電容場效應晶體管器件

復旦大學研究團隊合作發(fā)明晶圓級硅基二維互補疊層晶體管

GAA 晶體管繼任者？復旦大學團隊公布CFET新進展！

CASA發(fā)布T/CASAS 022-2022 三相智能電表用氮化鎵場效應晶體管通用技術規(guī)范

復旦大學研究團隊實現(xiàn)低功耗負量子電容場效應晶體管器件

深圳智芯微電子牽頭起草的《三相智能電表用氮化鎵場效應晶體管通用技術規(guī)范》團體標準已形成委員會草案

深圳智芯微牽頭T/CASAS 022《三相智能電表用氮化鎵場效應晶體管通用技術規(guī)范》征求意見

聞泰科技：安世半導體的產(chǎn)品主要包括Mosfet、邏輯與晶體管等

三星宣布3納米芯片正式開始量產(chǎn) 采用新 GAA晶體管架構提高30%性能

重磅！3.5億個晶體管，國內集成電路領域再突破

二維半導體環(huán)柵晶體管和垂直互補晶體管的陣列驗證

應用材料推出CVD升級技術以支持GAA晶體管結構

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