中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)副理事長(zhǎng)魏少軍在南京舉行的世界半導(dǎo)體大會(huì)上表示，中國(guó)2020年芯片進(jìn)口預(yù)計(jì)將連續(xù)第三年保持在3000億美元以上。

 

臺(tái)積電(南京)有限公司總經(jīng)理羅鎮(zhèn)球透露，目前臺(tái)積電7nm工藝有超過140個(gè)產(chǎn)品在生產(chǎn)，同時(shí)，臺(tái)積電還持續(xù)投入7nm+和6nm工藝。同時(shí)，到目前為止，臺(tái)積電已經(jīng)為全世界提供超過10億顆芯片。2021年，臺(tái)積電最先進(jìn)的3nm工藝產(chǎn)品可以出現(xiàn)在市場(chǎng)上，并于2022年實(shí)現(xiàn)大規(guī)模量產(chǎn)。

 

功率器件是通過控制電子設(shè)備中電壓、電流、頻率以及交流(AC)直流(DC)的轉(zhuǎn)換，從而達(dá)到控制元器件的功能。功率半導(dǎo)體可以分為功率 IC 和功率分立器件兩大類。

碳化硅和氮化鎵是未來功率半導(dǎo)體的核心發(fā)展方向，英飛凌等全球功率半導(dǎo)體巨頭以及華潤(rùn)微、中車時(shí)代半導(dǎo)體等國(guó)內(nèi)功率廠商都重點(diǎn)布局在該領(lǐng)域的研究。為了發(fā)展功率半導(dǎo)體，華為也開啟了對(duì)第三代半導(dǎo)體材料的布局。華為旗下的哈勃科技投資有限公司在2019 年8 月份投資了山東天岳先進(jìn)材料科技有限公司，持股10%，而山東天岳是我國(guó)第三代半導(dǎo)體材料碳化硅龍頭企業(yè)。相對(duì)于傳統(tǒng)的硅材料，碳化硅的禁帶寬度是硅的3 倍；導(dǎo)熱率為硅的4-5 倍；擊穿電壓為硅的8 倍；電子飽和漂移速率為硅的2 倍，因此，碳化硅特別適于制造耐高溫、耐高壓，耐大電流的高頻大功率的器件。

 

根據(jù)Omdia的《2020年SiC和GaN功率半導(dǎo)體報(bào)告》，到2020年底，全球SiC和GaN功率半導(dǎo)體的銷售收入預(yù)計(jì)將從2018年的5.71億美元增至8.54億美元。未來十年的年均兩位數(shù)增長(zhǎng)率，到2029年將超過50億美元。

SiC/GaN功率半導(dǎo)體按應(yīng)用市場(chǎng)情況

 

中國(guó)是全球最大的功率半導(dǎo)體消費(fèi)市場(chǎng)，未來有望保持高速發(fā)展，預(yù)計(jì)年復(fù)合增速達(dá) 4.8%。從增量來源來看，5G、光伏智能電網(wǎng)、新能源汽車等是主要的增量來源。

全球功率半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模及增速

國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模及增速

 

未來功率半導(dǎo)體將呈現(xiàn)高性能，高增長(zhǎng)，高集中度的發(fā)展趨勢(shì)：

 

1、下游新興行業(yè)增量顯著：下游以汽車電子為代表的新興應(yīng)用增速進(jìn)一步加快，新能源汽車中的電子元器件增量預(yù)計(jì)達(dá)50億元；

 

2、自給率仍然偏低，替代空間巨大，目前自給率不足 20%，假設(shè)自給率提升到 50%，國(guó)內(nèi)至少仍有 50 億美元的市場(chǎng)空間增量；

 

3、未來集中度會(huì)進(jìn)一步提升，產(chǎn)品碎片化將有所改善：部分高端產(chǎn)品如 IGBT、MOSFET 技術(shù)壁壘提升，下游對(duì)高端產(chǎn)品的依賴度會(huì)隨之增加，細(xì)分領(lǐng)域集中度提升是必然趨勢(shì)。

 

2020年一季度，國(guó)內(nèi)就有多個(gè)第三代半導(dǎo)體項(xiàng)目有新的進(jìn)展。2020 年3 月，中國(guó)電科(山西)碳化硅材料產(chǎn)業(yè)基地、積塔6 英寸碳化硅生產(chǎn)線兩個(gè)項(xiàng)目開始投產(chǎn)。一季度，和通訊(徐州)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基地、綠能芯創(chuàng)碳化硅芯片項(xiàng)目以及博方嘉芯氮化鎵射頻及功率器件項(xiàng)目三個(gè)項(xiàng)目開工；泰科天潤(rùn)運(yùn)營(yíng)總部及碳化硅器件生產(chǎn)基地項(xiàng)目、高啟電子氮化鎵外延片項(xiàng)目等多個(gè)項(xiàng)目實(shí)現(xiàn)簽約。

 

第三代半導(dǎo)體材料相關(guān)上市公司：