TDTTP4000W065AN充分利用SuperGaN? FET的性能，設計更簡單

高可靠性、高性能氮化鎵(GaN)電源轉換產品先驅和全球供應商Transphorm, Inc.(OTCQB: TGAN)宣布推出其最新的評估板TDTTP4000W065AN。該評估板為高達4千瓦(kW)的單相交流轉直流(AC-DC)電源轉換而設計，采用無橋圖騰柱功率因數(shù)校正(PFC)拓撲和傳統(tǒng)的模擬控制。這種組合使Transphorm最新的SuperGaN? FET能夠快速、輕松地獲得一流的轉換效率，且使用數(shù)字信號控制器(DSC)時無需進行固件開發(fā)。

借助RDDR推動GaN普及

Transphorm的高壓GaN平臺和相關設計工具的創(chuàng)新路徑圍繞提供一流的GaN可靠性、易設計性、易駕駛性和大批量可再現(xiàn)性(RDDR)。為此，TDTTP4000W065AN讓電源系統(tǒng)工程師能夠獲得比使用了超結MOSFET的標準CCM Boost PFC設計更高的效率。

該評估套件的額定值為4 kW高壓線(180-260 V)和2 kW低壓線(90-120 V)。模擬圖騰柱解決方案的主要優(yōu)勢如下：

• 維護電源——支持加電和為芯片組供電等基本功能所需的電源——在任何系統(tǒng)中均為相對固定值。因此，隨著應用功率電平的降低，維護電源將占系統(tǒng)總功率損耗的較大比例。與DSP解決方案相比，Transphorm的模擬板從一開始就需要較低的維護功率，從而提高整體系統(tǒng)效率。
• 不需要DSP固件編程，適合標準CCM升壓AC-DC PFC功率級。

對于需要更高設計靈活性的工程師，Transphorm已于今年初推出了TDTTP4000W066C。這款基于DSC的4 kW交流轉直流板還使用無橋圖騰柱PFC及該公司的SuperGaN FET。但是，它整合了微芯科技(Microchip)的dsPIC33CK DSC板，該板已經過預編程，并由專用固件提供支撐。

Transphorm全球技術營銷與北美銷售副總裁Philip Zuk表示：“Transphorm的模擬評估板提供了前所未有的、以最簡單的方式使用我們高效GaN的機會。與之前的數(shù)字板非常相似的是，它為電源系統(tǒng)工程師提供了以往高壓設備市場所缺少的選擇。無論最終應用的針對性價值主張如何，我們都能提供各種工具集和最強大的GaN來幫助您取得成功?！?/p>

SuperGaN器件：性能超越超結MOSFET

TDTTP4000W065AN在板中采用Transphorm的SuperGaN Gen IVTP65H035G4WS FET作為快速開關支路，而低電阻硅MOSFET則用在慢速開關支路中。最終的性能與其數(shù)字控制產品TDTTP4000W066C相似。

TP65H035G4WS是采用TO-247通孔封裝且導通電阻為35毫歐的650伏器件，具有固有的高熱耗散能力。此功能消除了將器件并聯(lián)以輸出更高功率的需求，而這是具有競爭力的表面貼裝GaN解決方案所需的一種設計方法。而且，與所有其他Transphorm GaN器件一樣，SuperGaN FET可以通過4伏閾值電壓(Vth)及0至12伏現(xiàn)成的標準柵極驅動電路來驅動。

供應情況

TDTTP4000W065AN評估板目前可通過Digi-Key和Mouser獲取。

關于Transphorm

Transphorm, Inc.是氮化鎵革命的全球領導者，致力于設計、制造和銷售用于高壓電源轉換應用的高性能、高可靠性的氮化鎵半導體功率器件。Transphorm擁有最龐大的功率氮化鎵知識產權組合之一，持有或取得授權的專利超過1,000多項 ，在業(yè)界率先生產經JEDEC和AEC-Q101認證的高壓GaN半導體器件。得益于垂直整合的業(yè)務模式，公司能夠在產品和技術開發(fā)的每一個階段進行創(chuàng)新：設計、制造、器件和應用支持。Transphorm的創(chuàng)新正在使電力電子設備突破硅的局限性，以使效率超過99%、將功率密度提高40%以及將系統(tǒng)成本降低20%。Transphorm的總部位于加州戈利塔，并在戈利塔和日本會津設有制造工廠。如需了解更多信息，請訪問www.transphormusa.com。在Twitter@transphormusa上關注我們。

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