9月19日，英諾賽科蘇州第三代半導體基地舉行設備搬入儀式。這意味著英諾賽科蘇州第三代半導體基地開始由廠房建設階段進入量產(chǎn)準備階段，標志著全球最大氮化鎵工廠正式建設完成，同時也標志著中國半導體創(chuàng)新史步入一個新紀元。
蘇州市委市政府領導、吳江區(qū)委書記李銘、吳江區(qū)委副書記、區(qū)人民政府代區(qū)長王國榮、吳江區(qū)委常委、汾湖高新區(qū)黨工委書記萬利、吳江區(qū)人民政府副區(qū)長、汾湖高新區(qū)黨工委副書記、管委會主任張炳高、國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金總裁丁文武、第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟秘書長于坤山等來自各相關部門的領導同志和第三代半導體市場的主要客戶、重要設備廠商、資深投資人共150位嘉賓出席了儀式。
英諾賽科蘇州第三代半導體基地舉行設備搬入儀式
據(jù)了解，英諾賽科項目建成后將成為全球最大的集研發(fā)、設計、外延生產(chǎn)、芯片制造、測試等于一體的第三代半導體全產(chǎn)業(yè)鏈研發(fā)生產(chǎn)平臺，滿產(chǎn)后將實現(xiàn)月產(chǎn)8英寸硅基氮化鎵晶圓65000片，產(chǎn)品將為5G移動通信、數(shù)據(jù)中心、新能源汽車、無人駕駛、手機快充等戰(zhàn)略新興產(chǎn)業(yè)的自主創(chuàng)新發(fā)展提供核心電子元器件。
英諾賽科蘇州第三代半導體基地位于江蘇省蘇州市吳江區(qū)汾湖高新區(qū)，總占地24.5萬平方米，屬于江蘇省重點項目，一期投資總額超60億元人民幣。項目預計今年年底進入試生產(chǎn)階段。英諾賽科相關負責人表示，氮化鎵功率芯片量產(chǎn)線的通線投產(chǎn)，填補了我國高端半導體器件的產(chǎn)業(yè)空白，同時也意味著制約我國第三代半導體產(chǎn)業(yè)的技術瓶頸得到突破。
英諾賽科（蘇州）半導體有限公司總經(jīng)理孫在亨先生表示，今天的儀式標志著我們產(chǎn)能爬升的開始，也是氮化鎵芯片產(chǎn)品市場開拓的起點。“氮化鎵以其更快的速度，更高的頻率，更高的功率密度和更低的能耗將會為未來的科技發(fā)展帶來核心的技術方案，它的產(chǎn)業(yè)化發(fā)展將會重新定義我們未來世界的產(chǎn)品。”
國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金總裁丁文武在演講中表示，中國集成電路產(chǎn)業(yè)在國家的支持下實現(xiàn)了長足的發(fā)展。不過，我國在產(chǎn)業(yè)規(guī)模，人才儲備等方面與國外還有著一定的差距。以氮化鎵為代表的第三代半導體有著廣闊的市場空間，我們應當以此為契機，實現(xiàn)相關領域的自主可控。
關于英諾賽科：
英諾賽科于2015年底成立，是一家專業(yè)從事第三代半導體硅基氮化鎵芯片開發(fā)與制造的企業(yè)，成立至今先后引進了近百名國際一流知名半導體企業(yè)的頂尖人才，組建國際一流半導體研發(fā)團隊，開展自主研發(fā)工作，形成了自主可控核心技術，并已申請290余項國內(nèi)外核心專利。
作為全球領先的硅基氮化鎵功率器件制造商，英諾賽科采用集研發(fā)、設計、生產(chǎn)、制造和測試為一體的IDM模式，全產(chǎn)業(yè)鏈技術自主可控。商業(yè)模式具有明顯高效低成本優(yōu)勢，優(yōu)于國際友商，同時實現(xiàn)全產(chǎn)業(yè)鏈核心技術自主可控，為公司產(chǎn)品的快速迭代創(chuàng)新提供了一個最好的平臺。
英諾賽科主要產(chǎn)品為30V-650V氮化鎵功率器件、功率模塊和射頻器件等，產(chǎn)品覆蓋面為全球氮化鎵企業(yè)之首。公司的IDM產(chǎn)業(yè)化模式及其首創(chuàng)的8英寸硅基氮化鎵功率與射頻器件量產(chǎn)線，使公司產(chǎn)品具有高性能、低成本、高可靠性等市場優(yōu)勢。
英諾賽科積極建立完善基于硅基氮化鎵的第三代半導體的生態(tài)體系，與眾多國際、國內(nèi)IC設計公司、磁材料公司、先進封裝廠等廠商深度合作，開發(fā)針對硅基氮化鎵的配套系統(tǒng)，建立自主可控的生態(tài)系統(tǒng)。尤其在快充領域，英諾賽科“InnoGaN”氮化鎵功率器件已被魅族、努比亞、ROCK、飛頻、Lapo等多個品牌的采用，并實現(xiàn)了大規(guī)模量產(chǎn)，產(chǎn)品性能獲得市場一致認可。
接下來，英諾賽科將借助長三角的半導體產(chǎn)業(yè)基礎，與區(qū)域內(nèi)更多企業(yè)開展合作，以進一步形成產(chǎn)業(yè)鏈集群，助力國產(chǎn)半導體實現(xiàn)“芯”突破。
